| Александр Леонидович Асеев | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Улан-Удэ, Республика Бурятия |
| Страна: |
Российская Федерация |
| Научная сфера: |
физика |
| Период работы в Томском университете : | |
| Место работы в Томском университете: |
кафедра физики полупроводников |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: |
Новосибирский Государственный Университет |
| Научный руководитель: |
С.И. Стенин |
| Известные ученики: |
А.В. Латышев, Л.И. Федина |
| Награды и премии: |
|
АСЕЕВ Александр Леонидович (24 сентября 1946, Верхнеудинск (ныне Улан-Удэ), Бурят-Монгольская АССР (Республика Бурятия) – физик, профессор кафедры физики полупроводников.
Отец А.Л. Асеева, Леонид Семенович (1913-1982), из семьи потомственных железнодорожников. Дедушка Александра Леонидовича по линии отца, Семен Дмитриевич, был машинистом на Восточно-Сибирской железной дороги, лауреат Сталинской премии. Паровоз, на котором он работал, установлен в качестве памятника на железно-дорожной станции Улан-Удэ, был начальником цеха, парторгом на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе. В 1963-1973 гг. – председатель Бурятского республиканского совета профсоюзов. Был награжден орденами «Трудового Красного знамени», «Знак Почета» (трижды), медалью «За доблестный труд в Великой Отечественной войне», удостоен знака «Почетный железнодорожник». Мать Александра Леонидовича, Клавдия Митрофановна (девичья Овчинникова, 1918-1993), из семьи сибирских старожилов, была фельдшером, воспитала 2 детей (брат А.Л. Асеева, Валерий, 1941-2001, работал на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе).
Женат на Вере Николаевне (девичья Близнюк, 1947). Она окончила НГУ, кандидат химических наук, работала в Институте неорганической химии СО АН СССР (с 1991 г. – РАН), в настоящее время на пенсии. Их дочь Ольга (1971) окончила Новосибирский медицинский институт, работает в представительстве фармацевтической фирмы в Москве.
В период учебы в школе Александр Леонидович увлекался радиотехникой. После окончания средней школы № 3 в Улан-Удэ (1963) он поступил на физический факультет НГУ. В числе его университетских преподавателей А.М. Будкер, И.Ф. Гинзбург, М.И. Каргаполов, А.В. Ржанов, Ю.Б. Румер и др. В летние месяцы в составе стройотрядов работал в Новосибирской и Магаданской области, Красноярском крае, Бурятской и Якутской АССР. Окончил университет в 1968 году, защитив дипломную работу «Дислокационная структура изогнутых кристаллов германия» (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин).
С 1968 г. – стажер-исследователь, с 1969 г. – младший, с 1979 г. – старший научный сотрудник, с 1985 г. – заведующий лабораторией, с 1993 г. – заведующий отделом, с 1994 г. – исполняющий обязанности заместителя директора по научной работе, с 1997 г. – исполняющий обязанности директора, с 1998 г. – директор Института физики полупроводников СО РАН. По совместительству с 1 сентября 2002 г. – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ.
Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «Физика твердого тела» присвоено решением президиума АН СССР 7 марта 1985 г.
Область научных интересов А.Л. Асеева – физика полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности, физика и технология твердотельных микро- и наноструктур. С помощью методов электронной микроскопии атомного разрешения им исследованы процессы структурных перестроек на атомно-чистых поверхностях кремния и в границах раздела полупроводниковых структур, определены свойства точечных дефектов в кристаллах кремния и германия в реакциях взаимодействия между собой, поверхностью, атомами примесей и дислокациями. Он исследовал механизмы пластической деформации кристаллов кремния и германия, дислокационные механизмы релаксации упругих напряжений в эпитаксиальных структурах кремний - германий и германий - арсенид галлия. При исследовании процессов формирования кластеров точечных дефектов при облучении кристаллов кремния и германия высокоэнергетическими электронами и при ионной имплантации им введены представления о метастабильных конфигурациях собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Получил принципиально новые данные о нестабильности системы диффузионно-связанных моноатомных ступеней на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов.
В настоящее время занимается созданием полупроводниковых микро- и наноструктур и изучением квантовых и одноэлектронных эффектов в них, разработкой нового поколения полупроводниковых устройств микро-, нано- и оптоэлектроники. Основное внимание уделяет реализации предельных возможностей современных методов оптической, электронной и зондовой литографии и диагностике наноструктур прямыми методами с атомным разрешением (просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения, отражательная и сканирующая электронная микроскопия, зондовая микроскопия). Главные результаты данного подхода состоят в упр. атомными процессами при формировании полупроводниковых микро- и наноструктур и получении новых устройств СВЧ-электроники, нано- и одноэлектронных транзисторов, фотоприемников ИК-диапазона, поверхностно-излучающих лазеров, квантовых интерферометров.
11 апреля 1975 г. в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Л.Н. Александров, кандидат физико-математических наук М.М. Мышляев; утвержден ВАК 10 декабря 1975 г.).
30 января 1990 г. в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научные консультанты профессора С.И. Стенин и Л.С. Смирнов; официальные оппоненты член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный, доктора физико-математических наук М.Г. Мильвидский и В.Н. Рожанский; утвержден ВАК 3 августа 1990 г.).
При активном участии и под руководством Александра Леонидовича в Институте ведутся работы по материаловедению кремния и структур на его основе для силовой и радиационно-стойкой электроники, солнечной энергетики.
Александр Леонидович – представитель научных школ академика А.В. Ржанова, профессоров С.И. Стенина и Л.С. Смирнова.
Автор более 150 научных работ.
Принимал участие в работе большого числа конференций различного уровня, входил в состав организационных и программных комитетов IV, V и VI Российской конференции по физике полупроводников (1999-2003); 9th, 10th and 11th Int. Symposiums «Nanostructures: Physics and Technology» (St. Petersburg, 2001-2003); Autumn Schools on Materials Science and Electron Microscopy (Berlin; Halle, 1997-2002); IX и X Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002) и многих др.
Поддерживает широкие международные научные связи. Начиная с 70-х, несколько раз проводил научные исследования в Институте физики микроструктур в Галле (Германия), в 1993 г. знакомился с работой Отделения материалов Оксфордского университета (Англия) и Центра ядерных исследований в Гренобле (Франция). В 1996 г. Асеев Александр Леонидович преподавал на физическом факультете Университета штата Висконсин (США).
Входит в состав редколлегий журналов «Crystal Research and Technology» (Берлин, с 1996), «Физика и техника полупроводников» (Санкт-Петербург, с 2000), «Автометрия» (Новосибирск, с 2000), «Известия вузов. Материалы электронной техники» (Москва, с 2002).
Член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии. Член совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). Член-корреспондент РАН с 2000.
Подготовил 3 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников А.В. Латышев (в настоящее время заведующий лаборатории Института физики полупроводников СО РАН), Л.И. Федина (в настоящее время старший научный сотрудник института).
Председатель диссертационного совета (физика конденсированного состояния) и диссертационного совета (физика полупроводников) в Институте физики полупроводников СО РАН.
В 1976-1986 - председатель жилищной комиссии объединенного профсоюзного комитета СО АН СССР.
В числе увлечений А.Л. Асеева пешие, велосипедные и лыжные прогулки, автомобильные путешествия.
