| Владимир Григорьевич Божков | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
деревня Рождественка Ирбейского района Красноярского края |
| Научная сфера: |
физика |
| Период работы в Томском университете : | |
| Место работы в Томском университете: |
кафедра физики полупроводников |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: |
Томский государственный университет |
| Научный руководитель: | |
| Известные ученики: |
В.М. Тевелевич, А.А. Пономарев, Г.Ф. Ковтуненко. |
| Награды и премии: |
|
БОЖКОВ Владимир Григорьевич (3 сентября 1939, деревня Рождественка Ирбейского района Красноярского края – физик, профессор кафедры физики полупроводников.
Отец Божков, Григорий Селиверстович (1912-1942), из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал трактористом в колхозе, погиб на фронте. Мать, Наталья Фоминична (девичья фамилия Шкиркова, 1912-2000), из крестьян, трудилась в полеводческой бригаде. В семье было пятеро детей (Владимир; Дмитрий, 1931-1951; Лидия, родилась в 1934 г.; Таисия, родилась в 1936 г.; Екатерина, родилась в 1942 г.).
Женат на Елене Викторовне (девичья фамилия Целебровская, родилась в 1946 г.). Она окончила радиофизический факультет ТГУ, в настоящее время инженер НИИПП. Их дети: Наталья (родилась в 1972 г.), окончила Омский технологический институт, художник-модельер; Ирина (родилась 1985 г.), окончила СибГМУ.
После трагической смерти Дмитрия, работавшего электромонтером на Красноярском заводе «Красмаш», Владимир вместе с матерью и сёстрами переехал в Красноярск, где в 1956 г. окончил среднюю школу № 48. В том же году поступил на радиофизический факультет ТГУ. Среди его университетских учителей В.Н. Кессених, В.В. Колпаков, Л.Г. Лаврентьева, В.А. Преснов, А.Б. Сапожников и др. Окончил университет (1961) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «радиофизик», защитив дипломную работу «Исследование выпрямляющих свойств контакта металл - GaAs» (научный руководитель Л.Г. Лаврентьева, в настоящее время профессор ТГУ).
С октября 1961 г. по июнь 1964 г. – аспирант кафедры полупроводников. С 15 июля 1964 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ. С 1 сентября 1965 г. – ассистент кафедры полупроводников радиофизического факультета ТГУ. С октября 1967 г. - ведущий инженер, с января 1968 г. – начальник лаборатории, с 1995 г. – начальник отдела СВЧ-электроники НИИПП. По совместительству с 1 сентября 1987 г. – старший преподаватель, с 27 апреля 1988 г. – профессор кафедры физики твердого тела, с 1 сентября 1991 г. – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ, в 1996-1998 гг. – профессор кафедры конструирования узлов и деталей радиоаппаратуры ТУСУР.
Учёное звание профессора по кафедре физики твердого тела присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию 11 ноября 1991 г.
В ТГУ читает спецкурсы: «Физика полупроводников»; «Физика полупроводниковых приборов»; «Полупроводниковые приборы»; «Физические основы микроэлектроники».
Область научных интересов В.Г. Божкова – полупроводниковая электроника. Большое влияние на становление его как исследователя оказал В.А. Преснов, по инициативе которого в ТГУ была открыта кафедры полупроводников. В первое время Божков изучал влияние состояния поверхности полупроводника на работу (параметры, стабильность и надёжность) полупроводниковых приборов.
26 октября 1971 г. в совете Одесского университета им. И.И. Мечникова Божков защитил диссертацию «Исследование рекомбинационных процессов на границе раздела германий - электролит» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор В.А. Преснов; официальные оппоненты профессор В.И. Стриха и доцент Н.И. Сердюк; утверждено ВАК 9 февраля 1972).
Для того чтобы выяснить характер изменений поверхности под влиянием внешней среды, Божков занялся изучением ее начального состояния, непосредственно в водной среде (в условиях обработки). Под руководством доцента, затем профессора Г.А. Катаев Божков на кафедре аналитической химии ТГУ изучал основы химии и электрохимии полупроводников. Разработал наиболее совершенные на то время экспериментальные установки, впервые провел уникальные эксперименты по исследованию свойств атомарно-чистой поверхности, полученной скалыванием образцов непосредственно в электролите, изучил свойства «естественных» (структурных) и «примесных» (при контролируемом введении в раствор ионов металлов) поверхностных электронных состояний, которые и определяли в значительной степени свойства «сухой» поверхности германия.
В тесном взаимодействии с отделом полупроводников СФТИ и кафедры аналитической химии ТГУ Божков разрабатывал приборы (смесительные, детекторные и настроечные диоды) на основе контакта металлов с GaAs и InP. Осуществил комплексный подход к решению проблем, выделив три взаимодополняющих направления: электрофизических (исследование электрофизических, шумовых и фотоэлектрических характеристик структур в зависимости от технологичных и конструктивных факторов), физико-химических (исследование межфазного взаимодействия в контакте с целью определения причин его деградации) и конструкторско-технологичных (вопросы оптимального конструирования простых в производстве и надежных изделий). В результате было показано, что известные аномалии в поведении вольт-амперных характеристик контактов при низких температурах, особенности их низкочастотных и высокочастотных шумов связаны с неоднородным распределением высоты барьера по площади контакта, а не с наличием в них промежуточного слоя и поверхностных электронных состояний, как это считалось ранее. Было также установлено, что основной причиной неоднородности являются локальные мех. напряжения растяжения в контакте, вызванные конструктивными и технологичными факторами и собственными дефектами материала. Этот вывод позволил вести целенаправленную работу по созданию приборов с совершенными характеристиками. В исследованиях межфазного взаимодействия в контактах, проведенных НИИПП совместно с НИИ ядерной физики при ТПИ (руководители И.П. Чернов и А.А. Ятис), использовались уникальные в то время методы обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия и ионов азота (последний метод предложен в НИИЯФ). Это были наиболее полные и систематические исследования контактов GaAs и InP с рядом металлов (Au, Ag, Cu, Ni, Pd, Pt, Rh, Re, Al, Ti, Cr, V, Mo, W), сплавов и многослойных металлизаций. Многие системы были исследованы впервые в нашей стране. Были выяснены причины деградации контактов, связанные как с термодинамическими особенностями полупроводников, так и с особенностями металлов, обусловленными их фундаментальными свойствами (положением в таблице Менделеева). Удалось также установить специфические причины деградации приборов, обусловленные конкретными особенностями систем, условиями их получения, режимами и средой обработки. Было разработано 30 типов (более 70 типономиналов) полупроводниковых приборов. Среди них первые не только в отечественной, но и в зарубежной практике уникальные монолитно-интегральные смесители миллиметрового диапазона, ставшие базой для создания высокочувствительных приемных устройств. Созданы также уникальные монолитные и квазимонолитные модули и устройства миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов оригинальной конструкции, которые не имеют аналогов ни в России, ни за рубежом, активные элементы, эффективно работающие в качестве преобразователей частоты не только в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах, но и в дальнем и ближнем ИК и даже в оптическом диапазоне волн. Структуры InP/металл, позволившие получить наилучшие параметры приборов, предложены для этой цели впервые. Они нашли применение в линиях связи и системах ближней локации, радиоастрономии, радиоспектроскопии и экологическом мониторинге, в исследовании плазмы и химии горения, создании систем точного времени и др.
В 1987 г. в специализированном совете при ТГУ Божков защитил диссертацию «Исследование контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки и разработка на его основе преобразовательных диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн» на соискание ученой степени доктора технических наук (официальные оппоненты профессора И.М. Викулин, В.Е. Любченко и Л.Л. Люзе; утверждено ВАК 2 октября 1987 г.).
В последующие годы Божков занимался созданием физико-химических и конструкторско-технологических основ нового направления в разработке монолитных и квазимонолитных элементов, узлов, модулей и устройств мм и субмм диапазонов длин волн. Итогом явилась элементная (модульная) база для освоения миллиметровых и отчасти субмиллиметровых диапазонов длин волн.
Автор и более 90 работ, имеет около 40 авт. свидетельств и патентов.
Им подготовлено 5 кандидатских наук. В их числе: К.И. Куркан, О.Ю. Малаховский (в настоящее время руководитель производственного СВЧ-комплекса НИИПП), К.В. Солдатенко и Н.В. Карпович (все выпускники ТГУ).
Среди учеников Божков также В.М. Тевелевич (в настоящее время первый заместитель губернатора Хабаровского края), А.А. Пономарев (в настоящее время главный инженер НИИПП), Г.Ф. Ковтуненко (в настоящее время главный конструктор НИИПП).
Выступал на многих научных и научно-технических конференциях. По приглашению оргкомитета выступил с докладом на IV Международном симпозиуме «PHYSICS AND ENGINEERING OF MILLIMETER AND SUBMILLIMETER WAVES» (Харьков, Украина, 2001).
В 1995-1999 гг. – член специализированного кандидатского диссертационного совета в ТГУ. В настоящее время член докторского диссертационного совета в ТУСУР. Изобретатель СССР (1976).
