| Сергей Иванович Борисенко | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Анжеро-Судженск Кемеровской области |
| Научная сфера: |
физика |
| Период работы в Томском университете : |
с 1973 г. |
| Место работы в Томском университете: |
СФТИ; кафедра полупроводниковой электроники |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: | |
| Научный руководитель: | |
| Награды и премии: |
|
БОРИСЕНКО Сергей Иванович (родился 1 января 1951, Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.
Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду.
С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирниковой (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (родилась в 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (родилась 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики.
После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко поступил на физический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей – М.А. Большанина, В.А. Перкальскис, Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, Г.Ф. Караваев, А.Ф. Терпугова, М.Р. Куваев и другие. Окончил университет (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель старший научный сотрудник Г.Ф. Караваев).
С 1973 г. – младший научный сотрудник, в 1986–2004 гг. – научный сотрудник лаборатории теоретической физики СФТИ при ТГУ.
Одновременно с 1992 г. – старший преподаватель, с 2000 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ.
С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ.
По совместительству с 2005 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники.
Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В ТГУ читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Вел лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника».
Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством Г.Ф. Караваева построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон.
В 1986 г. в специализированном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в 1987).
В 2004 г. в диссертационном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в 2005).
В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010).
Ведомственные
Государственные
Томского государственного университета
Список трудов в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ
Список источников и литературы в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ
