ВойцеховскийАВ.png
Дата рождения:

26 июля 1943 г.

Место рождения:

Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области

Научная сфера:

физика

Научная школа

"Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров)

Период работы в Томском университете :

с июня 1966 г. по настоящее время

Место работы в Томском университете:

СФТИ; радиофизический факультет

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Томский государственный университет

Награды и премии:


премия Томской области в сфере образования и науки (1998, 2005, 2008), медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом” (1998), серебряная медаль “В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета” (2013).

ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич (родился 26 июля 1943, Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, профессор кафедры квантовой электроники и фотоники Томского государственного университета.

Семья

Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, родилась в 1936) работала на том же заводе, что и мать.

А.В. Войцеховский женат на Ольге Кузьминичне (дев. Цыцарева, родилась в 1944), профессоре ТГУ. Их сын Андрей (родился в 1964) окончил радиофизический факультет ТГУ, предприниматель.

Студенческие годы

А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число студентов физического факультета ТГУ. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции Э.С. Воробейчикова, Ю.С. Завьялова, В.Н. Кессениха, В.Ф. Конусова, А.С. Майдановского, А.С. Петрова, А.Б. Сапожникова, В.А. Филоненко, Н.Г. Щеглова и др. Курсовые работы писал под научным руководством Э.С. Воробейчикова. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду ТГУ.

Окончил с отличием университет (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – доцент, впоследствии профессор ТГУ А.С. Петров).

В Новосибирске

С февраля 1966 г. – инженер Новосибирского института мер и измерительных приборов.

В Томске

С июня 1966 г. – младший научный сотрудник, с 1967 г. – старший научный сотрудник СФТИ при ТГУ. С 1 января 1983 г. по настоящее время – заведующий кафедрой квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета ТГУ.

По совместительству с июня 1988 г. – заведующий лабораторией фотоэлектроники, с 1996 г. – заведующий отделом радиоэлектроники СФТИ.

С 2005 г. – руководитель НОЦ “Функциональные материалы радио и оптоэлектроники” (отделение ФМРО). С 2014 г. – заведующий лабораторией “«Оптическая электроника” ТГУ. В настоящее время - ведущий научный сотрудник научной лаборатории терагерцовых исследований ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности “Радиофизика, включая квантовую радиофизику” присвоено ВАК 5 сентября 1979 г. Ученое звание профессора кафедры квантовой электроники присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию 18 ноября 1988 г.

Преподавательская деятельность

В ТГУ читает курсы: “Введение в радиофизику и электронику”, “Физические основы функциональной электроники”, спецкурсы: “Прием оптических сигналов”, “Оптические явления в полупроводниках”, “Приборы с переносом заряда”, “Фотоэлектроника”, “Оптоэлектроника”, “Оптоэлектронные приборы на структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках”, “Коллективные явления в твердых телах”, “Фазовые переходы и сверхпроводимость в твердых телах”, “Самоорганизация в полупроводниках”, “Оптические процессы в полупроводниках”, “Оптическая электроника”, “Низкоразмерные структуры в оптоэлектронике”.

Направления научной деятельности

Областью научных интересов А.В. Войцеховского являются радиационная физика узкозонных полупроводниковых материалов и фотоэлектрических структур на их основе, физика процессов на границах раздела сред в поверхностно-барьерных структурах. Им были выявлены закономерности радиационных воздействий на сложные полупроводниковые соединения, физические основы элементов радиационной технологии получения фоточувствительных материалов и структур с заданными параметрами. Созданы опытные образцы фотоприемников ИК-излучения для активных и пассивных оптических систем различного назначения.

Наряду с этим А.В. Войцеховский занимался развитием физических представлений об электронных процессах на границах раздела диэлектрик-узкозонный полупроводник, разрабатывал и исследовал приборные структуры типа “металл – диэлектрик – полупроводник” (МДП) на основе узкозонных полупроводниковых соединений и создавались фоточувствительные МДП-датчики излучения для регистрации слабых световых потоков. В ходе исследований выявлена энергетическая структура дефектов (включая радиационные), формирующих электрические и рекомбинационные свойства объемной и приповерхностной областей узкозонных полупроводников и границы раздела с диэлектриком. Обоснована применимость явлений электрон-позитронной аннигиляции и резерфордовского обратного рассеяния ионов для диагностики ростовых и радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках и на границе раздела фаз и с их помощью изучены процессы дефектообразования при различных режимах облучения. В его работах даны модельные представления радиационно-стимулированной диффузии примесей в сложных полупроводниковых соединениях под влиянием облучения ионизирующих частиц и ионов. Определены закономерности ионного легирования примесей и нейтронной трансмутации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, физические и физико-химические особенности электронных процессов на поверхности и границе раздела “полупроводник – диэлектрик”, формирующие электрофизические и рекомбинационные характеристики МДП-структур на основе целого ряда узкозонных полупроводниковых соединений. Наряду с этим предложены методы радиационного управления свойствами узкозонных полупроводниковых соединений и фотоэлектрических поверхностно-барьерных структур на их основе. Разработаны и созданы фотоприемные структуры, чувствительные в широкой области ИК-диапазона длин волн для оптических систем различного назначения.

27 ноября 1975 г. в диссертационном совете при ТГУ А.В. Войцеховский защитил диссертацию “Исследование и разработка фоторезисторных приемников ИК-диапазона с постоянным и СВЧ-смещением на основе примесных и собственных полупроводниковых материалов” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман и кандидат физико-математических наук, доцент И.С. Захаров; утвержден ВАК 7 июля 1976).

В 1984 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию “Радиационное управление характеристиками фоточувствительных структур на основе узкозонных твердых растворов” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант – профессор А.С. Петров; официальные оппоненты – доктора физико-математических наук Л.К. Водопьянов, В.Г. Савицкий и Н.С. Несмелов; утвержден ВАК 6 декабря 1985).

В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.

Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау.

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013).

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – А.П. Коханенко, доктор физико-математических наук, профессор ТГУ.

Научно-организационная и экспертная деятельность

Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009).

А.В. Войцеховский возглавляет научную школу “Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров), в состав которой в настоящее время входят 7 докторов наук, около 30 кандидатов наук. Поддерживает научные связи с Институтом электроники Болгарской АН и Институтом прикладной физики (Польша), Берлинским университетом прикладных наук (Германия), университетом Лафборо (Англия), Львовским политехническим университетом (Украина).

Научно-организационная деятельность

С 1995 г. – член редколлегии журнала “Известия вузов. Физика” (Томск). Состоял председателем секции Томского редакционного совета издательства “Радио и связь”, членом секции Научного совета АН СССР по физике полупроводников, членом координационного совета СО АН СССР “Монокристалл”. В настоящее время – член диссертационных советов Д 212.267.04 и Д 212.267.07 по защите докторских диссертаций в ТГУ и диссертационного совета в ТПУ. Действительный член Академии технологических наук Российской Федерации (2009), Академии военных наук Российской Федерации (2005), Международной академии наук высшей школы (2005). Член-корреспондент СО МАНВШ (1997). Изобретатель СССР (1990). Зарегистрирован в федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (2001); эксперт научно-технической сферы ГУ РИНКЦЭ (2012).

Общественная деятельность

Состоял в КПСС (1972–1991). Избирался председателем группы народного контроля СФТИ (1970-е), членом и секретарем бюро ВЛКСМ СФТИ, членом партбюро института, членом бюро головной группы народного контроля ТГУ (1980-е), членом парткомиссии по контролю за деятельностью администрации СФТИ.

Награды

Ведомственные

  • Нагрудный знак “За отличные успехи в работе” (1987);
  • Нагрудный знак “За развитие научно-исследовательской работы студентов” (2009);
  • Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2008).


Региональные


Томского государственного университета

Премии

Томского государственного университета

  • Премия ТГУ (совместно с В.Н. Давыдовым) за монографию “Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных проводников” (1992);
  • Премия ТГУ (2016).

Почетные звания

Труды

Источники и литература

Источник — «http://wiki.tsu.ru/wiki/index.php?title=Войцеховский,_Александр_Васильевич&oldid=39715»