| Проскуровский Дмитрий Ильич | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Жашков Киевской области УССР |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: | |
| Научный руководитель: |
Г.А. Месяц, А.А. Воробьев |
| Известные ученики: |
Е.Б. Янкелевич, В.П. Ротштейн, Б.А. Коваль, Г.Е. Озур, В.А. Кагадей, А.В. Батраков, Б.А. Марков, С.А. Попов |
| Награды и премии: |
|
ПРОСКУРОВСКИЙ Дмитрий Ильич (родился 6 июня 1939 г., Жашков Киевской области УССР) – профессор кафедры физики плазмы.
Отец Д.И, Проскуровского, Илья Абрамович (1904-1965), родом из Винницкой губернии, до войны работал технологом на мясоперерабатывающем предприятии. Мать, Софья Аврамовна Бабич (1912-1971) родом из Жашкова, работала кассиром в сельпо. В начале войны семья эвакуировалась в Джамбул КазССР. Отец Д.И. Проскуровского начал работать на Джамбульском сахарном комбинате, а мать – на железно-дорожной фабрике-кухне при станции Джамбул. Отец Д.И. Проскуровского принял участие в Великой Отечественной войне, получил тяжелое ранение в районе Харькова (февраль 1942 г.), лечился в госпиталях, вернулся домой весной 1945 г. инвалидом III группы. После войны отец и мать Д.И. Проскуровского работали в Джамбульском откормсовхозе.
Женат на Ларисе Тимофеевне (девичья Чешуина, 1939). Она окончила химико-технологический факультет ТПИ, работала преподавателем и научным сотрудником, кандидат химических наук. Их дети: Ирина (1966), с отличием окончила философский факультет ТГУ, кандидат философских наук, заведующая кафедрой гуманитарных технологий в образовании ТГПУ; Софья (1972), окончила Томское музыкальное училище, Новосибирскую консерваторию, кандидат философских наук, старший преподаватель Института искусств и культуры ТГУ.
Д.И. Проскуровский в старших классах увлекся математикой и физикой, занимался в электротехническом кружке. Большое влияние на него в школьные годы оказали классный руководитель, учитель математики С.Б. Теппеев и учитель физики Н.В. Суковатицын, оба фронтовики. Избирался секретарем школьной комсомольской организации, в старших классах работал пионервожатым. После окончания средней школы им. Н.Г. Чернышевского (1956) поступил на радиотехнический факультет ТПИ и окончил его с отличием (1961) по специальности «электронные приборы» с квалификацией «инженер-электрик». На старших курсах института активно занимался научной работой под руководством старшего преподавателя Л.А. Левшука и доцента Л.М. Ананьева. Результатом явилось создание первой в мире миниатюрной отпаянной ускорительной камеры для строившегося в то время в ТПИ первого в мире малогабаритного бетатрона. Этим исследованиям и была посвящена его дипломная работа (научный руководитель старший преподаватель Л.А. Левшук).
С 19 июня 1961 г. – ассистент кафедры промышленной электроники ТПИ, с 1 октября 1962 г. – ассистент, с 20 сентября 1963 г. – старший преподаватель кафедры электронных приборов ТИРиЭТ. С 1 октября 1964 г. – аспирант ТПИ. С 1 апреля 1966 г. – инженер, с 6 марта 1967 г. – аспирант ТПИ. С 1 декабря 1968 г. – старший инженер, с 1 ноября 1969 г. – старший научный сотрудник НИИ ядерной физики при ТПИ. С 23 сентября 1970 г. – старший научный сотрудник группы физической электроники (с 5 ноября того же года заместитель руководителя группы) ИОА СО АН СССР. С 1 октября 1977 г. – старший научный сотрудник, с 27 марта 1980 г. – заведующий лабораторией вакуумной электроники ИСЭ СО АН СССР. По совместительству с 1 апреля 1991 г. – профессор кафедры физики плазмы физического факультета ТГУ.
Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «физическая электроника, в том числе квантовая» присвоено Президиумом АН СССР 2 апреля 1981 г., профессора по специальности «вакуумная и плазменная электроника» присвоено ВАК 7 декабря 1990 г. В ТГУ читает спецкурс «Эмиссионная электроника».
Область научных интересов Д.И. Проскуровского – физика нестационарных процессов в вакуумных разрядах. Исследованиями в этом направлении начал заниматься в 1964 г. под руководством Г.А. Месяца (ныне академик РАН, вице-президент РАН) вместе с С.П. Бугаевым, впоследствии академик РАН. В 1966 г. им совместно с Г.А. Месяцем, С.П. Бугаевым и А.М. Искольдским (сотрудник ИЯФ СО АН СССР, Новосибирск) с помощью уникальной по тем временам электронно-оптической аппаратуры с наносекундным временным и микронным пространственным разрешениями и гигантским усилением яркости изображения впервые в мире была экспериментально исследована и принципиально понята кинетика электрического пробоя вакуумных промежутков. В результате было обнаружено новое физическое явление (взрывная электронная эмиссия), впоследствии официально признанное как научное открытие (диплом № 176). Открытие этого явления позволило не только однозначно объяснить механизм электрического пробоя, искровых и дуговых разрядов в вакууме, понять природу функционирования катодного пятна, но и использовать его для получения сильноточных импульсных электронных и ионных пучков.
В марте 1969 г. в совете ТПИ защитил диссертацию «Исследование импульсного электрического пробоя вакуумных промежутков в наносекундном диапазоне» на соискание ученой степени кандидата технических наук (научные руководители доктор технических наук Г.А. Месяц и профессор А.А. Воробьев; официальные оппоненты профессор И.И. Каляцкий и кандидат технических наук Ю.Е. Крейндель; утверждено ВАК в июле 1969 г.).
Вскоре Д.И. Проскуровский был назначен заместителем руководителя группы исследователей, созданной по инициативе Г.А. Месяца из выпускников ТПИ и ТГУ (Е.Б. Янкелевич, Я.Я. Юрике, В.П. Ротштейн, Г.П. Баженов и В.Ф. Пучкарев) и занимавшейся детальным изучением на модельных системах явления взрывной электронной эмиссии и его роли в вакуумных разрядах и при формировании сильноточных электронных пучков. В 1970 г. вместе с группой ученых, руководимых Г.А. Месяцем, перешел на работу в отдел сильноточной электроники во вновь образованном ИОА СО АН СССР, а в 1977 г. – в открытый в Томске ИСЭ СО АН СССР.
Д.И. Проскуровский и его группа совместно с теоретической группой (руководитель Е.А. Литвинов) продолжили целенаправленные исследования физики вакуумных разрядов и сильноточной эмиссионной электроники. Результаты экспериментальных исследований были обобщены им в диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую Д.И. Проскуровский защитил в совете Института высоких температур АН СССР (Москва) в декабре 1982 г. (официальные оппоненты доктора физико-математических наук, профессора А.А. Рухадзе, А.В. Кириллин и В.П. Смирнов; утверждено ВАК 13 мая 1983 г.) и в написанной им совместно с Г.А. Месяцем монографии «Импульсный электрический разряд в вакууме» (Новосибирск, 1984), которая в переработанном и дополненном виде была издана в 1989 г. издательством «Springer Verlag» на английском языке.
Впоследствии он занялся изучением проблемы использования взрывной электронной эмиссии для генерации низкоэнергетических сильноточных электронных пучков в вакуумных (совместно с Е.Б. Янкелевичем и Б.А. Ковалем) и плазмонаполненных (совместно с Г.Е. Озуром) каналах. На основе исследований физики формирования и транспортировки сильноточных электронных пучков в таких каналах под руководством Д.И. Проскуровского созданы уникальные по совокупности параметров источники низкоэнергетических сильноточных электронных пучков. С использованием таких источников, а также широкоапертурных плазменных источников электронов, созданных в содружестве с профессором Ю.Е. Крейнделем и его учениками в ТУСУР, в лаборатории (1979-1990) был проведен большой цикл исследований влияния импульсной электронно-лучевой обработки на электрофизические свойства различных полупроводниковых структур (совместно с Е.Б. Янкелевичем, Н.И. Лебедевой, В.А. Кагадеем и др.). В результате было обнаружено явление аномально ускоренного испарения имплантированной примеси (As, P, Sb) из ионно-легированного слоя Si, представляющее большой интерес с точки зрения динамики неравновесных приповерхностных систем, а также указывающее один из возможных путей создания сверхмелких p-n переходов.
Опыт исследований взаимодействия потоков заряженных частиц с полупроводниковыми материалами навел В.А. Кагадея и Д.И. Проскуровского в начале 90-х на мысль о необходимости перехода к обработке полупроводниковых структур интенсивными потоками химически активных атомарных (электрически нейтральных) частиц. На основе использования комбинированных форм газовых разрядов низкого давления ими разработаны (совместно с доцентом ТУСУР О.Е. Трояном и И.В. Осиповым) уникальные по совокупности параметров источники интенсивных потоков атомарного водорода для технологии микро- и наноэлектроники и проведен большой цикл физико-технологических исследований, имеющих важное научное и прикладное значение. Исследования в этом направлении продолжаются и в настоящее время.
Параллельно в лаборатории с начала 80-х проводится большой объем физико-технологических исследований, связанных с использованием низкоэнергетических сильноточных электронных пучков для модификации свойств поверхностных слоев металлических материалов (совместно с В.П. Ротштейном, Г.Е. Озуром, А.Б. Марковым и А.В. Батраковым). Работами, выполненными в лаборатории, были заложены физико-технологические основы импульсной электронно-лучевой обработки поверхностных слоев различных материалов с целью модификации их служебных характеристик. Доказана перспективность использования такой технологии для обработки режущего инструмента, лопаток авиационных и газотурбинных двигателей с целью увеличения их ресурса, зубопротезных деталей, медицинских имплантатов с целью улучшения их биологической совместимости, электродов ускорителей заряженных частиц с целью достижения высоких рабочих электрических полей.
В области физики вакуумных разрядов и сильноточной эмиссионной электроники интересы Д.И. Проскуровского с начала 90-х сосредоточились на исследовании жидкометаллических взрывоэмиссионных катодов. Совместно с А.В. Батраковым и С.А. Поповым им осуществлен большой цикл исследований, позволивший уточнить ряд принципиально важных закономерностей функционирования взрывоэмиссионных центров и катодного пятна, а в содружестве с немецкими коллегами (профессор Б. Юттнер и профессор Н. Фогель) удалось обнаружить явление возникновения «капельных пятен» – превращение вылетевших из катода жидких капель в источники интенсивной эмиссии заряженных частиц и плазмы. Это явление в настоящее время интенсивно изучается совместно с немецкими коллегами и теоретической группой кафедры физики плазмы физического факультета ТГУ (заведующий профессор А.В. Козырев).
Автор и соавтор более 250 работ, имеет около 20 патентов.
Участвовал в работе многих российских и международных конференций, являлся членом оргкомитетов ряда конференций, поддерживает широкие международные связи.
Подготовил 14 кандидатов наук (Е.Б. Янкелевич, В.П. Ротштейн, Б.А. Коваль, Г.Е. Озур, В.А. Кагадей, А.В. Батраков, Б.А. Марков, С.А. Попов и другие). Был научным консультантом докторской диссертации В.П. Ротштейна.
Член научных советов РАН «Физика низкотемпературной плазмы» и «Релятивистская электроника и ускорители заряженных частиц». С 1986 г. – ученый секретарь докторского диссертационного совета ИСЭ СО РАН.
Письма в журнал технической физики. 1993. Т. 19, вып. 19;
