Версия 20:36, 18 февраля 2023

ХЛУДКОВ Станислав Степанович (1 октября 1935 г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.

Семья

Отец Х., Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем мех. цеха Белоусовского рудника. Мать Х., Федосия Ивановна (дев. Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним х-вом. В семье было 3 детей (сестры Х.: Римма, в замужестве Кабакова, р. 1937, окончила Усть-Каменогорский мед. техникум, работала фельдшером, мед. сестрой, в н. в. на пенсии; Тамара, в замужестве Кириллова, р. 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП, в н. в. на пенсии).

Женат на Анастасии Николаевне (дев. Голозубцева, р. 1935). Она окончила физ. ф-т ТГУ, работала ст. науч. сотр. СФТИ. Их дочь Людмила (р. 1962) окончила радиофиз. ф-т ТГУ, науч. сотр. СФТИ.

Школьные и студенческие годы

В период учебы в школе Х. особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофиз. ф-т ТГУ. Среди его унив. преп. В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов и др. Окончил ун-т (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (науч. руководитель доц., впоследствии проф. В.А. Преснов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С авг. 1958 - лаборант Ин-та автоматики и электрометрии, с окт. 1958 - мл. науч. сотр. лаб. прочности при высоких температурах отдела прочности Ин-та гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 - аспирант каф. полупроводников радиофиз. ф-та ТГУ. С сент. 1962 - ст. науч. сотр. СФТИ. С окт. 1965 – начальник отдела, с 1969 - учен. секретарь, затем начальник лаб. НИИПП. С 1 окт. 1973 - зав. лаб. физики полупроводников, с 1 янв. 1995 - зав. лаб. и зав. отделом физики полупроводниковых приборов, с апр. 2000 - зав. отделом физики полупроводниковых приборов, с апр. 2003 – ведущий науч. сотр. того же отдела СФТИ. По совместительству с 1992 - проф. каф. физ. электроники ТУСУР, с сент. 1999 по авг. 2000 и с сент. по дек. 2002 – проф. каф. полупроводниковой микроэлектроники радиофиз. ф-та ТГУ.

В учен. звании доц. по каф. полупроводников утв. ВАК в марте 1969, проф. по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001. В ТГУ читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.

Научно-исследовательская деятельность

Обл. науч. исследований Х. - арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С кон. 50-х под руководством В.А. Преснова занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований Х. были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и др. приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных обл. техники, в т. ч. космической.

19 мая 1966 в совете ТГУ защитил дис. «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук (науч. руководитель проф. В.А. Преснов; офиц. оппоненты проф. К.В. Савицкий, доц. А.М. Трубицин; утв. ВАК 29 окт. 1966.)

В последующий период Х. исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной гр. железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой гр. Практ. результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в т. ч. лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физ. эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в дис. (спецтема) на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук, которую Х. защитил в февр. 1999 в совете ТГУ (офиц. оппоненты проф. И.М. Викулин, Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утв. ВАК 27 окт. 1999).

В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной обл.; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. Х. положил начало новому науч. направлению - исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.

Автор более 150 работ. Имеет 17 авт. свидетельств на изобретения.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 5 канд. и 1 д-ра наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаб. НИИПП), д-р физ.-мат. наук О.П. Толбанов (в н. в. зав. отделом СФТИ, проф. ТГУ).

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимал участие в работе многих науч. конф., совещ. и симпозиумов. В их числе: Всесоюзн., затем Рос. конф. «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др. Исследования Х. поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с ун-тами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был чл. исслед. гр. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 - руководитель (от СФТИ) проекта Междунар. науч.-техн. центра по разработке гамма-детекторов для совр. диагностических систем. С 1996 - чл. докт. дис. совета в ТПУ.

Награды и премии

• Награжден грамотой Министерства электронной промышленности СССР (1979);
• знаком «Отличник соц. соревнования Министерства электронной промышленности» (1979);
• медалью им. К.Э. Циолковского Федерации космонавтики России (1996);
• медалью «За заслуги перед Том. гос. ун-том» (1998).
• медали «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970);
• «Ветеран труда» (1985).

Общественная деятельность

Являлся чл. обл. правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, чл. партбюро, был чл. гр. нар. контроля СФТИ.

Увлечения

Любит читать худож. лит, особенно рус. и зарубежную классику. Зимой любит лыжные прогулки.

Труды

• Совм. с В.А. Пресновым. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Изв. вузов. Физика. 1961. № 1;
• Совм. с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7;
• Совм. с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1971. Т. 7, № 2;
• Совм. с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Там же. 1972. Т. 8, № 6;
• Совм. с О.П. Толбановым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // ФТП. 1992. Т. 26, № 2;
• Совм. с O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // J. phys. D: Appl. phys. 1996.Vol. 29;
• Совм. с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410;
• Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Рос. конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения гр. III-V», Томск 1-4 окт. 2002 г. Томск, 2002.

Источники и литература

• Выдающиеся выпускники Томского государственного университета /авт.-сост.: Фоминых С.Ф. (отв. ред.), Некрылов С.А., Грибовский М.В. и др. Томск: Изд-во ТГУ, 2013. 258 с.
• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 28. Д. 22;
• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64;
• Развитие физ. наук в Том. ун-те: Сб. ст. / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981.