Версия 13:03, 19 февраля 2023

ХЛУДКОВ Станислав Степанович (1 октября 1935 г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.

Семья

Отец С.С. Хлудкова, Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем механического цеха Белоусовского рудника. Мать С.С. Хлудкова, Федосия Ивановна (девичья Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним хозяйством. В семье было 3 детей (сестры С.С. Хлудкова: Римма, в замужестве Кабакова, 1937, окончила Усть-Каменогорский медицинский техникум, работала фельдшером, медицинской сестрой; Тамара, в замужестве Кириллова, 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП).

Женат на Анастасии Николаевне (девичья Голозубцева, 1935). Она окончила физический факультет ТГУ, работала старшим научным сотрудником СФТИ. Их дочь Людмила (родилась в 1962 г.) окончила радиофизический факультет ТГУ, научный сотрудник СФТИ.

Школьные и студенческие годы

В период учебы в школе С.С. Хлудков особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофизический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов и др. Окончил университет (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (научный руководитель доцент, впоследствии профессор В.А. Преснов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С августа 1958 г. – лаборант Института автоматики и электрометрии, с октября 1958 г. – младший научный сотрудник лаборатории прочности при высоких температурах отдела прочности Института гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 гг. – аспирант кафедры полупроводников радиофизического факультета ТГУ. С сентября 1962 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С октября 1965 г. – начальник отдела, с 1969 г. – ученый секретарь, затем начальник лаборатории НИИПП. С 1 октября 1973 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников, с 1 января 1995 г. – заведующий лабораторией и заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2000 г. – заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2003 г. – ведущий научный сотрудник того же отдела СФТИ.

По совместительству с 1992 г. – профессор кафедры физической электроники ТУСУР, с сентября 1999 г. по август 2000 г. и с сентября по декабрь 2002 г. – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники радиофизического факультета ТГУ.

В ученом звании доцента по кафедре полупроводников утвержден ВАК в марте 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001 г. В ТГУ читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.

Научно-исследовательская деятельность

Область научных исследований С.С. Хлудкова – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С конца 50-х под руководством В.А. Преснова занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований С.С. Хлудкова были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и других приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных областей техники, в том числе космической.

19 мая 1966 г. в совете ТГУ защитил диссертацию «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор В.А. Преснов; официальные оппоненты профессор К.В. Савицкий, доцент А.М. Трубицин; утвержден ВАК 29 октября 1966 г.)

В последующий период С.С. Хлудков исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной группы железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой группы. Практическим результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в том числе лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физические эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в диссертации (спецтема) на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую С.С. Хлудков защитил в феврале 1999 г. в совете ТГУ (официальные оппоненты профессора И.М. Викулин, Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утвержден ВАК 27 октября 1999 г.).

В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной области; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. С.С. Хлудков положил начало новому научному направлению – исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.

Автор более 150 работ. Имеет 17 авторских свидетельств на изобретения.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 5 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаборатории НИИПП), доктор физико-математических наук О.П. Толбанов (заведующий отделом СФТИ, профессор ТГУ).

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе: Всесоюзная, затем Российская конференция «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др.

Исследования С.С. Хлудкова поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с университетами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был членом исследовательской группы. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 гг. – руководитель (от СФТИ) проекта Международного научно-технического центра по разработке гамма-детекторов для современных диагностических систем.

Научно-организационная и экспертная деятельность

С 1996 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ.

Награды и премии

• Грамота Министерства электронной промышленности СССР (1979);
• Знак «Отличник социального соревнования Министерства электронной промышленности» (1979);
• Медаль им. К.Э. Циолковского Федерации космонавтики России (1996);
• Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998);
• Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970);
• Медаль «Ветеран труда» (1985).

Общественная деятельность

Являлся членом областного правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, членом партбюро, был членом группы народного контроля СФТИ.

Увлечения

Любит читать художественную литературу, особенно русскую и зарубежную классику. Зимой любит лыжные прогулки.

Труды

• Совместно с В.А. Пресновым. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1;
• Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7;
• Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2;
• Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6;
• Совместно с О.П. Толбановым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, № 2;
• Совместно с O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1996.Vol. 29;
• Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410;
• Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002.

Источники и литература

• Выдающиеся выпускники Томского государственного университета /авт.-сост.: Фоминых С.Ф. (отв. ред.), Некрылов С.А., Грибовский М.В. и др. Томск: Изд-во ТГУ, 2013. 258 с.
• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 28. Д. 22;
• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64;
• Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981.