[досмотренная версия][досмотренная версия]
Строка 1: Строка 1:
 
{{Персона
 
{{Персона
  |Имя                  =  
+
  |Имя                  = Хлудков Станислав Степанович
 
  |Оригинал имени      =  
 
  |Оригинал имени      =  
 
  |Фото                =  
 
  |Фото                =  
Строка 15: Строка 15:
 
  |Период работы в Томском университете  =  
 
  |Период работы в Томском университете  =  
 
  |Место работы в Томском университете  =  
 
  |Место работы в Томском университете  =  
  |Учёная степень      =  
+
  |Учёная степень      = доктор физико-математических наук
 
  |Учёное звание        = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]]
 
  |Учёное звание        = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]]
 
  |Альма-матер          =  
 
  |Альма-матер          =  
  |Научный руководитель =  
+
  |Научный руководитель = [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]]
  |Знаменитые ученики  =  
+
  |Знаменитые ученики  = Г.Л. Приходько, [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]]
  |Награды и премии    =  
+
  |Награды и премии    = [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998); [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|Медаль «Ветеран труда»]] (1985)
 
}}
 
}}
 
''' ХЛУДКОВ Станислав Степанович ''' ([[1 октября в истории Томского университета|1]] [[Октябрь 1935 года в истории Томского университета|октября]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.  
 
''' ХЛУДКОВ Станислав Степанович ''' ([[1 октября в истории Томского университета|1]] [[Октябрь 1935 года в истории Томского университета|октября]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.  
  
 
=='''Семья'''==
 
=='''Семья'''==
Отец Х., Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем мех. цеха Белоусовского рудника. Мать Х., Федосия Ивановна (дев. Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним х-вом. В семье было 3 детей (сестры Х.: Римма, в замужестве Кабакова, р. 1937, окончила Усть-Каменогорский мед. техникум, работала фельдшером, мед. сестрой, в н. в. на пенсии; Тамара, в замужестве Кириллова, р. 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП, в н. в. на пенсии).  
+
Отец С.С. Хлудкова, Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем механического цеха Белоусовского рудника. Мать С.С. Хлудкова, Федосия Ивановна (девичья Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним хозяйством. В семье было 3 детей (сестры С.С. Хлудкова: Римма, в замужестве Кабакова, 1937, окончила Усть-Каменогорский медицинский техникум, работала фельдшером, медицинской сестрой; Тамара, в замужестве Кириллова, 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП).  
  
Женат на Анастасии Николаевне (дев. Голозубцева, р. 1935). Она окончила физ. ф-т [[Томский государственный университет|ТГУ]], работала ст. науч. сотр. СФТИ. Их дочь Людмила (р. 1962) окончила радиофиз. ф-т [[Томский государственный университет|ТГУ]], науч. сотр. СФТИ.
+
Женат на Анастасии Николаевне (девичья Голозубцева, 1935). Она окончила физический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]], работала старшим научным сотрудником СФТИ. Их дочь Людмила (родилась в 1962 г.) окончила радиофизический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]], научный сотрудник СФТИ.
  
 
=='''Школьные и студенческие годы'''==
 
=='''Школьные и студенческие годы'''==
В период учебы в школе Х. особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофиз. ф-т [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его унив. преп. В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов и др. Окончил ун-т (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (науч. руководитель доц., впоследствии проф. В.А. Преснов).  
+
В период учебы в школе С.С. Хлудков особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофизический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его университетских преподавателей [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожников]], [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьянов]] и др. Окончил университет (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (научный руководитель доцент, впоследствии профессор [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]]).  
  
 
=='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''==
 
=='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''==
С авг. 1958 – лаборант Ин-та автоматики и электрометрии, с окт. 1958 мл. науч. сотр. лаб. прочности при высоких температурах отдела прочности Ин-та гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 – аспирант каф. полупроводников радиофиз. ф-та [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С сент. 1962 ст. науч. сотр. СФТИ. С окт. 1965 – начальник отдела, с 1969 – учен. секретарь, затем начальник лаб. НИИПП. С 1 окт. 1973 зав. лаб. физики полупроводников, с 1 янв. 1995 зав. лаб. и зав. отделом физики полупроводниковых приборов, с апр. 2000 зав. отделом физики полупроводниковых приборов, с апр. 2003 – ведущий науч. сотр. того же отдела СФТИ. По совместительству с 1992 - проф. каф. физ. электроники ТУСУР, с сент. 1999 по авг. 2000 и с сент. по дек. 2002 – проф. каф. полупроводниковой микроэлектроники радиофиз. ф-та [[Томский государственный университет|ТГУ]].  
+
С августа 1958 г. – лаборант Института автоматики и электрометрии, с октября 1958 г. – младший научный сотрудник лаборатории прочности при высоких температурах отдела прочности Института гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 гг. – аспирант кафедры полупроводников радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С сентября 1962 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С октября 1965 г. – начальник отдела, с 1969 г. ученый секретарь, затем начальник лаборатории НИИПП. С 1 октября 1973 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников, с 1 января 1995 г. – заведующий лабораторией и заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2000 г. – заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2003 г. – ведущий научный сотрудник того же отдела СФТИ.  
  
В учен. звании доц. по каф. полупроводников утв. ВАК в марте 1969, проф. по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.  
+
По совместительству с 1992 г. – профессор кафедры физической электроники ТУСУР, с сентября 1999 г. по август 2000 г. и с сентября по декабрь 2002 г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой микроэлектроники радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]].
 +
 
 +
В ученом звании доцента по кафедре полупроводников утвержден ВАК в марте 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001 г. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.  
  
 
=='''Научно-исследовательская деятельность'''==
 
=='''Научно-исследовательская деятельность'''==
Обл. науч. исследований Х. – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С кон. 50-х под руководством В.А. Преснова занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований Х. были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и др. приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных обл. техники, в т. ч. космической.  
+
Область научных исследований С.С. Хлудкова – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С конца 50-х под руководством [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснова]] занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований С.С. Хлудкова были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и других приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных областей техники, в том числе космической.  
  
19 мая 1966 в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] защитил дис. «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук (науч. руководитель проф. В.А. Преснов; офиц. оппоненты проф. К.В. Савицкий, доц. А.М. Трубицин; утв. ВАК 29 окт. 1966.)  
+
19 мая 1966 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]]; официальные оппоненты профессор [[Савицкий, Константин Владимирович|К.В. Савицкий]], доцент А.М. Трубицин; утвержден ВАК 29 октября 1966 г.)  
  
В последующий период Х. исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной гр. железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой гр. Практ. результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в т. ч. лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физ. эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в дис. (спецтема) на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук, которую Х. защитил в февр. 1999 в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] (офиц. оппоненты проф. И.М. Викулин, Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утв. ВАК 27 окт. 1999).  
+
В последующий период С.С. Хлудков исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной группы железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой группы. Практическим результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в том числе лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физические эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в [[:Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете|диссертации]] (спецтема) на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую С.С. Хлудков защитил в феврале 1999 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] (официальные оппоненты профессора [[Викулин, Иван Михайлович|И.М. Викулин]], Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утвержден ВАК 27 октября 1999 г.).  
  
В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной обл.; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. Х. положил начало новому науч. направлению - исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.  
+
В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной области; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. С.С. Хлудков положил начало новому научному направлению исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.  
  
Автор более 150 работ. Имеет 17 авт. свидетельств на изобретения.  
+
Автор более 150 работ. Имеет 17 авторских свидетельств на изобретения.  
  
 
=='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''==
 
=='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''==
Подготовил 5 канд. и 1 д-ра наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаб. НИИПП), д-р физ.-мат. наук О.П. Толбанов (в н. в. зав. отделом СФТИ, проф. [[Томский государственный университет|ТГУ]]).  
+
Подготовил 5 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаборатории НИИПП), доктор физико-математических наук [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]] (заведующий отделом СФТИ, профессор [[Томский государственный университет|ТГУ]]).  
  
 
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''==
 
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''==
Принимал участие в работе многих науч. конф., совещ. и симпозиумов. В их числе: Всесоюзн., затем Рос. конф. «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др. Исследования Х. поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с ун-тами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был чл. исслед. гр. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 – руководитель (от СФТИ) проекта Междунар. науч.-техн. центра по разработке гамма-детекторов для совр. диагностических систем. С 1996 – чл. докт. дис. совета в ТПУ.  
+
Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе: Всесоюзная, затем Российская конференция «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др.  
 +
 
 +
Исследования С.С. Хлудкова поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с университетами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был членом исследовательской группы. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 гг. – руководитель (от СФТИ) проекта Международного научно-технического центра по разработке гамма-детекторов для современных диагностических систем.  
 +
 
 +
=='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''==
 +
С 1996 г. член докторского диссертационного совета в ТПУ.  
  
 
=='''Награды и премии'''==
 
=='''Награды и премии'''==
* Награжден грамотой Министерства электронной промышленности СССР (1979);
+
* Грамота Министерства электронной промышленности СССР (1979);
* знаком «Отличник соц. соревнования Министерства электронной промышленности» (1979);
+
* Знак «Отличник социального соревнования Министерства электронной промышленности» (1979);
* медалью им. К.Э. Циолковского Федерации космонавтики России (1996);
+
* Медаль им. К.Э. Циолковского Федерации космонавтики России (1996);
* медалью «За заслуги перед Том. гос. ун-том» (1998).
+
* [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998);
* медали «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970);
+
* Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970);
* «Ветеран труда» (1985).
+
* [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|Медаль «Ветеран труда»]] (1985).
  
 
=='''Общественная деятельность'''==
 
=='''Общественная деятельность'''==
Являлся чл. обл. правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, чл. партбюро, был чл. гр. нар. контроля СФТИ.  
+
Являлся членом областного правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, членом партбюро, был членом группы народного контроля СФТИ.  
  
 
=='''Увлечения'''==
 
=='''Увлечения'''==
Строка 69: Строка 76:
  
 
=='''Труды'''==
 
=='''Труды'''==
* Совместно с В.А. Пресновым. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1;  
+
* Совместно с [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Пресновым]]. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1;  
 
* Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7;  
 
* Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7;  
 
* Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2;  
 
* Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2;  
 
* Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6;  
 
* Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6;  
* Совместно с О.П. Толбановым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // ФТП. 1992. Т. 26, № 2;  
+
* Совместно с [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбановым]]. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, № 2;  
* Совместно с O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // J. phys. D: Appl. phys. 1996.Vol. 29;  
+
* Совместно с [[Толбанов, Олег Петрович|O.P. Tolbanov]], V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1996.Vol. 29;  
* Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410;  
+
* Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, [[Толбанов, Олег Петрович|O.P. Tolbanov]]. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410;  
 
* Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002.  
 
* Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002.  
  
Строка 83: Строка 90:
 
* Архив [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64;  
 
* Архив [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64;  
 
* Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981.
 
* Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981.
 +
 +
[[Категория: Персоналии]]
 +
[[Категория: Профессора Томского университета]]
 +
[[Категория: Сотрудники Радиофизического факультета Томского университета]] [[Категория: Выпускники Томского университета]]
 +
[[Категория: Выпускники Радиофизического факультета Томского университета]]
 +
[[Категория: Доктора физико-математических наук]]
 +
[[Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»]]
 +
[[Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»]]
 +
[[Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете]]
 +
[[Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете]]
 +
[[Категория: Все статьи]]
 +
[[Категория: Х]]

Версия 13:03, 19 февраля 2023

Хлудков Станислав Степанович
Дата рождения:

1 октября 1935 г.

Место рождения:

с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Научный руководитель:

В.А. Преснов

Известные ученики:

Г.Л. Приходько, О.П. Толбанов

Награды и премии:


Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998); Медаль «Ветеран труда» (1985)

ХЛУДКОВ Станислав Степанович (1 октября 1935 г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.

Семья

Отец С.С. Хлудкова, Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем механического цеха Белоусовского рудника. Мать С.С. Хлудкова, Федосия Ивановна (девичья Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним хозяйством. В семье было 3 детей (сестры С.С. Хлудкова: Римма, в замужестве Кабакова, 1937, окончила Усть-Каменогорский медицинский техникум, работала фельдшером, медицинской сестрой; Тамара, в замужестве Кириллова, 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП).

Женат на Анастасии Николаевне (девичья Голозубцева, 1935). Она окончила физический факультет ТГУ, работала старшим научным сотрудником СФТИ. Их дочь Людмила (родилась в 1962 г.) окончила радиофизический факультет ТГУ, научный сотрудник СФТИ.

Школьные и студенческие годы

В период учебы в школе С.С. Хлудков особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофизический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов и др. Окончил университет (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (научный руководитель доцент, впоследствии профессор В.А. Преснов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С августа 1958 г. – лаборант Института автоматики и электрометрии, с октября 1958 г. – младший научный сотрудник лаборатории прочности при высоких температурах отдела прочности Института гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 гг. – аспирант кафедры полупроводников радиофизического факультета ТГУ. С сентября 1962 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С октября 1965 г. – начальник отдела, с 1969 г. – ученый секретарь, затем начальник лаборатории НИИПП. С 1 октября 1973 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников, с 1 января 1995 г. – заведующий лабораторией и заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2000 г. – заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2003 г. – ведущий научный сотрудник того же отдела СФТИ.

По совместительству с 1992 г. – профессор кафедры физической электроники ТУСУР, с сентября 1999 г. по август 2000 г. и с сентября по декабрь 2002 г. – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники радиофизического факультета ТГУ.

В ученом звании доцента по кафедре полупроводников утвержден ВАК в марте 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001 г. В ТГУ читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.

Научно-исследовательская деятельность

Область научных исследований С.С. Хлудкова – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С конца 50-х под руководством В.А. Преснова занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований С.С. Хлудкова были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и других приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных областей техники, в том числе космической.

19 мая 1966 г. в совете ТГУ защитил диссертацию «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор В.А. Преснов; официальные оппоненты профессор К.В. Савицкий, доцент А.М. Трубицин; утвержден ВАК 29 октября 1966 г.)

В последующий период С.С. Хлудков исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной группы железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой группы. Практическим результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в том числе лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физические эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в диссертации (спецтема) на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую С.С. Хлудков защитил в феврале 1999 г. в совете ТГУ (официальные оппоненты профессора И.М. Викулин, Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утвержден ВАК 27 октября 1999 г.).

В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной области; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. С.С. Хлудков положил начало новому научному направлению – исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.

Автор более 150 работ. Имеет 17 авторских свидетельств на изобретения.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 5 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаборатории НИИПП), доктор физико-математических наук О.П. Толбанов (заведующий отделом СФТИ, профессор ТГУ).

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе: Всесоюзная, затем Российская конференция «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др.

Исследования С.С. Хлудкова поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с университетами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был членом исследовательской группы. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 гг. – руководитель (от СФТИ) проекта Международного научно-технического центра по разработке гамма-детекторов для современных диагностических систем.

Научно-организационная и экспертная деятельность

С 1996 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ.

Награды и премии

Общественная деятельность

Являлся членом областного правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, членом партбюро, был членом группы народного контроля СФТИ.

Увлечения

Любит читать художественную литературу, особенно русскую и зарубежную классику. Зимой любит лыжные прогулки.

Труды

  • Совместно с В.А. Пресновым. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1;
  • Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7;
  • Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2;
  • Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6;
  • Совместно с О.П. Толбановым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, № 2;
  • Совместно с O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1996.Vol. 29;
  • Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410;
  • Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002.

Источники и литература