[досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Mgrib (обсуждение | вклад) |
Mgrib (обсуждение | вклад) |
||
Строка 1: | Строка 1: | ||
{{Персона | {{Персона | ||
− | |Имя = | + | |Имя = Хлудков Станислав Степанович |
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = | |Фото = | ||
Строка 15: | Строка 15: | ||
|Период работы в Томском университете = | |Период работы в Томском университете = | ||
|Место работы в Томском университете = | |Место работы в Томском университете = | ||
− | |Учёная степень = | + | |Учёная степень = доктор физико-математических наук |
|Учёное звание = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] | |Учёное звание = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] | ||
|Альма-матер = | |Альма-матер = | ||
− | |Научный руководитель = | + | |Научный руководитель = [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]] |
− | |Знаменитые ученики = | + | |Знаменитые ученики = Г.Л. Приходько, [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]] |
− | |Награды и премии = | + | |Награды и премии = [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998); [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|Медаль «Ветеран труда»]] (1985) |
}} | }} | ||
''' ХЛУДКОВ Станислав Степанович ''' ([[1 октября в истории Томского университета|1]] [[Октябрь 1935 года в истории Томского университета|октября]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники. | ''' ХЛУДКОВ Станислав Степанович ''' ([[1 октября в истории Томского университета|1]] [[Октябрь 1935 года в истории Томского университета|октября]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники. | ||
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
− | Отец | + | Отец С.С. Хлудкова, Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем механического цеха Белоусовского рудника. Мать С.С. Хлудкова, Федосия Ивановна (девичья Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним хозяйством. В семье было 3 детей (сестры С.С. Хлудкова: Римма, в замужестве Кабакова, 1937, окончила Усть-Каменогорский медицинский техникум, работала фельдшером, медицинской сестрой; Тамара, в замужестве Кириллова, 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП). |
− | Женат на Анастасии Николаевне ( | + | Женат на Анастасии Николаевне (девичья Голозубцева, 1935). Она окончила физический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]], работала старшим научным сотрудником СФТИ. Их дочь Людмила (родилась в 1962 г.) окончила радиофизический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]], научный сотрудник СФТИ. |
=='''Школьные и студенческие годы'''== | =='''Школьные и студенческие годы'''== | ||
− | В период учебы в школе | + | В период учебы в школе С.С. Хлудков особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофизический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его университетских преподавателей [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожников]], [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьянов]] и др. Окончил университет (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (научный руководитель доцент, впоследствии профессор [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]]). |
=='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | =='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | ||
− | С | + | С августа 1958 г. – лаборант Института автоматики и электрометрии, с октября 1958 г. – младший научный сотрудник лаборатории прочности при высоких температурах отдела прочности Института гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 гг. – аспирант кафедры полупроводников радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С сентября 1962 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С октября 1965 г. – начальник отдела, с 1969 г. – ученый секретарь, затем начальник лаборатории НИИПП. С 1 октября 1973 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников, с 1 января 1995 г. – заведующий лабораторией и заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2000 г. – заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2003 г. – ведущий научный сотрудник того же отдела СФТИ. |
− | + | По совместительству с 1992 г. – профессор кафедры физической электроники ТУСУР, с сентября 1999 г. по август 2000 г. и с сентября по декабрь 2002 г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой микроэлектроники радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. | |
+ | |||
+ | В ученом звании доцента по кафедре полупроводников утвержден ВАК в марте 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001 г. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов. | ||
=='''Научно-исследовательская деятельность'''== | =='''Научно-исследовательская деятельность'''== | ||
− | + | Область научных исследований С.С. Хлудкова – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С конца 50-х под руководством [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснова]] занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований С.С. Хлудкова были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и других приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных областей техники, в том числе космической. | |
− | 19 мая 1966 в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] защитил | + | 19 мая 1966 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Преснов]]; официальные оппоненты профессор [[Савицкий, Константин Владимирович|К.В. Савицкий]], доцент А.М. Трубицин; утвержден ВАК 29 октября 1966 г.) |
− | В последующий период | + | В последующий период С.С. Хлудков исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной группы железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой группы. Практическим результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в том числе лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физические эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в [[:Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете|диссертации]] (спецтема) на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую С.С. Хлудков защитил в феврале 1999 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] (официальные оппоненты профессора [[Викулин, Иван Михайлович|И.М. Викулин]], Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утвержден ВАК 27 октября 1999 г.). |
− | В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной | + | В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной области; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. С.С. Хлудков положил начало новому научному направлению – исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами. |
− | Автор более 150 работ. Имеет 17 | + | Автор более 150 работ. Имеет 17 авторских свидетельств на изобретения. |
=='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''== | =='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''== | ||
− | Подготовил 5 | + | Подготовил 5 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаборатории НИИПП), доктор физико-математических наук [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]] (заведующий отделом СФТИ, профессор [[Томский государственный университет|ТГУ]]). |
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | =='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | ||
− | Принимал участие в работе многих | + | Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе: Всесоюзная, затем Российская конференция «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др. |
+ | |||
+ | Исследования С.С. Хлудкова поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с университетами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был членом исследовательской группы. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 гг. – руководитель (от СФТИ) проекта Международного научно-технического центра по разработке гамма-детекторов для современных диагностических систем. | ||
+ | |||
+ | =='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''== | ||
+ | С 1996 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ. | ||
=='''Награды и премии'''== | =='''Награды и премии'''== | ||
− | * | + | * Грамота Министерства электронной промышленности СССР (1979); |
− | * | + | * Знак «Отличник социального соревнования Министерства электронной промышленности» (1979); |
− | * | + | * Медаль им. К.Э. Циолковского Федерации космонавтики России (1996); |
− | * медалью «За заслуги перед | + | * [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998); |
− | * | + | * Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970); |
− | * «Ветеран труда» (1985). | + | * [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|Медаль «Ветеран труда»]] (1985). |
=='''Общественная деятельность'''== | =='''Общественная деятельность'''== | ||
− | Являлся | + | Являлся членом областного правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, членом партбюро, был членом группы народного контроля СФТИ. |
=='''Увлечения'''== | =='''Увлечения'''== | ||
Строка 69: | Строка 76: | ||
=='''Труды'''== | =='''Труды'''== | ||
− | * Совместно с В.А. Пресновым. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1; | + | * Совместно с [[Преснов, Виктор Алексеевич|В.А. Пресновым]]. О методах получения электронно-дырочных переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1; |
* Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7; | * Совместно с С.В. Машниным. Исследование барьерной емкости p-n переходов в арсениде галлия // Радиотехника и электроника. 1971. № 7; | ||
* Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2; | * Совместно с Т.Т. Лаврищевым. Влияние давления паров мышьяка на диффузию германия в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1971. Т. 7, № 2; | ||
* Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6; | * Совместно с Г.Л. Приходько, Т.А. Карелиной. Диффузия железа, хрома и кобальта в арсениде галлия // Известия АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1972. Т. 8, № 6; | ||
− | * Совместно с О.П. Толбановым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // | + | * Совместно с [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбановым]]. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, № 2; |
− | * Совместно с O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // | + | * Совместно с [[Толбанов, Олег Петрович|O.P. Tolbanov]], V.E. Stepanov. Radiation hardness of detector for high energy physics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1996.Vol. 29; |
− | * Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410; | + | * Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, [[Толбанов, Олег Петрович|O.P. Tolbanov]]. Investigation of transport and charge collection in particle detectors based on compensated GaAs // Nuclear instruments and methods in physics research. 1998. Vol. A410; |
* Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002. | * Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа // Материалы VIII Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск. 1-4 октября, 2002. | ||
Строка 83: | Строка 90: | ||
* Архив [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64; | * Архив [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ф. Р-815. Оп. 75. Д. 64; | ||
* Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981. | * Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981. | ||
+ | |||
+ | [[Категория: Персоналии]] | ||
+ | [[Категория: Профессора Томского университета]] | ||
+ | [[Категория: Сотрудники Радиофизического факультета Томского университета]] [[Категория: Выпускники Томского университета]] | ||
+ | [[Категория: Выпускники Радиофизического факультета Томского университета]] | ||
+ | [[Категория: Доктора физико-математических наук]] | ||
+ | [[Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»]] | ||
+ | [[Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»]] | ||
+ | [[Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете]] | ||
+ | [[Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете]] | ||
+ | [[Категория: Все статьи]] | ||
+ | [[Категория: Х]] |
Хлудков Станислав Степанович | |
Дата рождения: | |
---|---|
Место рождения: |
с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР |
Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
Учёное звание: | |
Научный руководитель: | |
Известные ученики: |
Г.Л. Приходько, О.П. Толбанов |
Награды и премии: |
|
ХЛУДКОВ Станислав Степанович (1 октября 1935 г., с. Белоусовка Кировского района Восточно-Казахстанской области КазССР) – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники.
Отец С.С. Хлудкова, Степан Тимофеевич (1910-1991), из уральских крестьян, работал токарем механического цеха Белоусовского рудника. Мать С.С. Хлудкова, Федосия Ивановна (девичья Лапченко, 1914-1995), тоже из крестьян, занималась домашним хозяйством. В семье было 3 детей (сестры С.С. Хлудкова: Римма, в замужестве Кабакова, 1937, окончила Усть-Каменогорский медицинский техникум, работала фельдшером, медицинской сестрой; Тамара, в замужестве Кириллова, 1950, окончила ТИРиЭТ, работала инженером в НИИПП).
Женат на Анастасии Николаевне (девичья Голозубцева, 1935). Она окончила физический факультет ТГУ, работала старшим научным сотрудником СФТИ. Их дочь Людмила (родилась в 1962 г.) окончила радиофизический факультет ТГУ, научный сотрудник СФТИ.
В период учебы в школе С.С. Хлудков особый интерес проявил к изучению физики (учитель физики А.Н. Редькин). После окончания Белоусовской средней школы (1953) поступил на радиофизический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов и др. Окончил университет (1958) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Получение электронно-дырочных переходов новыми методами» (научный руководитель доцент, впоследствии профессор В.А. Преснов).
С августа 1958 г. – лаборант Института автоматики и электрометрии, с октября 1958 г. – младший научный сотрудник лаборатории прочности при высоких температурах отдела прочности Института гидродинамики СО АН СССР (Новосибирск). В 1959-1962 гг. – аспирант кафедры полупроводников радиофизического факультета ТГУ. С сентября 1962 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С октября 1965 г. – начальник отдела, с 1969 г. – ученый секретарь, затем начальник лаборатории НИИПП. С 1 октября 1973 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников, с 1 января 1995 г. – заведующий лабораторией и заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2000 г. – заведующий отделом физики полупроводниковых приборов, с апреля 2003 г. – ведущий научный сотрудник того же отдела СФТИ.
По совместительству с 1992 г. – профессор кафедры физической электроники ТУСУР, с сентября 1999 г. по август 2000 г. и с сентября по декабрь 2002 г. – профессор кафедры полупроводниковой микроэлектроники радиофизического факультета ТГУ.
В ученом звании доцента по кафедре полупроводников утвержден ВАК в марте 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников» присвоено ВАК 8 июня 2001 г. В ТГУ читал курс физики полупроводниковых и микроэлектронных приборов.
Область научных исследований С.С. Хлудкова – арсенид галлия и разработка приборов на его основе. С конца 50-х под руководством В.А. Преснова занимался изучением процессов выращивания монокристаллов арсенида галлия и диффузии примесей в арсениде галлия, разработкой способов создания и исследованием характеристик диффузионных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия. Им были выявлены закономерности диффузионного легирования арсенида галлия рядом примесей, создающих донорные и акцепторные центры с мелкими энергетическими уровнями. Созданы диффузионные электронно-дырочные переходы на основе как электронного, так и дырочного арсенида галлия, исследованы их электрические характеристики. Результаты исследований С.С. Хлудкова были использованы при разработке в НИИПП арсенидгаллиевых биполярных транзисторов, датчиков температуры и других приборов, нашедших применение при создании радиоэлектронной аппаратуры для различных областей техники, в том числе космической.
19 мая 1966 г. в совете ТГУ защитил диссертацию «Диффузия примесей и диффузионные p-n переходы в арсениде галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель профессор В.А. Преснов; официальные оппоненты профессор К.В. Савицкий, доцент А.М. Трубицин; утвержден ВАК 29 октября 1966 г.)
В последующий период С.С. Хлудков исследовал закономерности диффузионного легирования арсенида галлия примесями переходной группы железа периодической системы элементов, создающих в арсениде галлия центры с глубокими энергетическими уровнями. Впервые были получены диффузионные параметры для некоторых примесей этой группы. Практическим результатом явилось создание приборных структур с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. На основе этих структур удалось создать ряд принципиально новых приборов, в том числе лавинные S-диоды, которые по совокупности основных параметров не имеют аналогов. В основе принципа работы лавинных S-диодов лежат такие новые физические эффекты, как статическое отрицательное дифференциальное сопротивление, волны ударной ионизации. Результаты исследований по диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам на основе арсенида галлия были обобщены им в диссертации (спецтема) на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, которую С.С. Хлудков защитил в феврале 1999 г. в совете ТГУ (официальные оппоненты профессора И.М. Викулин, Л.Л. Люзе, Ф.С. Шишияну; утвержден ВАК 27 октября 1999 г.).
В дальнейшем на основе арсенидгаллиевых структур с глубокими примесными центрами были разработаны фотоприемники, обладающие высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от вакуумного ультрафиолета до средней инфракрасной области; высокоэффективные координатно-чувствительные полосковые и матричные детекторы высокоэнергетических заряженных частиц и фотонов, обладаюшие высоким пространственным разрешением и большой радиационной стойкостью, позволяющие регистрировать отдельные частицы и кванты рентгеновского и гамма-излучения и нашедшие применение в физике высоких энергий, технике, медицине. С.С. Хлудков положил начало новому научному направлению – исследованию и разработке полупроводниковых структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими центрами.
Автор более 150 работ. Имеет 17 авторских свидетельств на изобретения.
Подготовил 5 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников Г.Л. Приходько (работал начальником лаборатории НИИПП), доктор физико-математических наук О.П. Толбанов (заведующий отделом СФТИ, профессор ТГУ).
Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе: Всесоюзная, затем Российская конференция «Исследование арсенида галлия» (Томск, 1965-2002) и др.
Исследования С.С. Хлудкова поддержаны грантами ИНТАС, РФФИ, МО РФ, программы МНТЦ (1993-1997). Сотрудничает с университетами Глазго (Великобритания), Удино (Италия). Был членом исследовательской группы. RD-8 Центра европейских ядерных исследований по разработке арсенид галлиевых детекторов для коллайдеров. В 1999-2003 гг. – руководитель (от СФТИ) проекта Международного научно-технического центра по разработке гамма-детекторов для современных диагностических систем.
С 1996 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ.
Являлся членом областного правления НТО им. А.С. Попова. Состоял в КПСС (1977-1991). Избирался парторгом отдела, членом партбюро, был членом группы народного контроля СФТИ.
Любит читать художественную литературу, особенно русскую и зарубежную классику. Зимой любит лыжные прогулки.