ГЕРМОГЕНОВ Валерий Петрович 25 апрель 1946 г. (родился 25 апреля 1946, с. Амга Амгинского района Якутской АССР) – профессор кафедры полупроводниковой электроники.

Семья

Отец В.П. Гермогенова, Петр Николаевич (1922-1993), из семьи служащего потребкооперации, окончил Якутский педагогический институт, работал учителем русского языка и истории, затем директором Усть-Майской средней школы. Заведовал районным отделом народного образования. Избирался вторым секретарем районного комитета Коммунистической партии Советского Союза. Впоследствии работал в аппарате Якутского городского комитета Коммунистической партии Советского Союза и мать, Галина Андреевна (девичьи Жженых, 1924-1992), из семьи работника сельского Совета, окончила Якутский учительский институт, преподавала в школе русский язык и литературу. Заслуженный учитель Якутской Автономной Советской Социалистической Республики.

Женат на Галине Петровне (девичьи Недоделова, родилась в 1946 г.). Она окончила радиофизический факультет Томского государственного университета, в настоящее время патентовед на федеральном государственном унитарном предприятии «Научно исследовательского института полупроводниковых приборов». Их дочь: Вячистая (девичья фамилия Гермогенова), Юлия (родилась в 1970 г.), окончила радиофизический факультет ТГУ и психологический факультет ТГПУ, в настоящее время старший научный сотрудник лаборатории физиологии человека Научно-исследовательского института при ТГУ.

Школьные и студенческие годы

В 1963 г. В.П. Гермогенов с золотой медалью окончил среднюю школу в поселке Усть-Мая Усть-Майского раонна Якутской Автономной Советской Социалистической Республики и поступил на радиофизический факультет Томского государственного университета. Среди педагогов были А.Ф. Ковалевский, В.Ф. Конусов, А.А. Лучинин, В.И. Гаман, Б.Ш. Перкальскис, А.Б. Сапожников, Р.П. Старовойтова, Ю.В. Чистяков и др. Вовремя производственной практики работал техником, затем инженером лаборатории полупроводников Сибирского физико-технического института при ТГУ.

В 1968 г. окончил с отличием университет по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник». Дипломную работу «Влияние условий получения на электрические характеристики эпитаксиальных лазерных диодов» выполнил под научным руководством доцента кафедры полупроводников и диэлектриков ТГУ А.П. Васильева и старшего научного сотрудника лаборатории полупроводников СФТИ У.М. Кулиша.

От доцента до профессора

С 9 сентября 1968 г. – инженер, с 1 марта 1969 г. – старший инженер проблемной лаборатории полупроводников ТГУ. С 16 августа 1970 – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников, а после ее преобразования в отдел физики полупроводников – старший научный сотрудник лаборатории физики полупродниковых приборов СФТИ. С 1 марта 1989 г. – старший преподаватель, с 18 апреля 1990 г. – доцент, с 1 июля 1998 г. – профессор, с 1 декабря 2000 г. – заведующий кафедрой полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности "физика полупроводников и диэлектриков" присвоено ВАК 12 июля 1989 г., профессора по кафедре полупродниковой электроники присвоено МО РФ 18 октября 2000 г.

Читает курс физики, химии, читает или читал спецкурсы: «Полупроводниковая оптоэлектроника», «Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем», «Оптические свойства полупроводников», «Материаловедение полупроводников», «Физические принципы и технология создания интегральных микросхем».

Научно-исследовательская деятельность

В.П. Гермогенов занимался исследованием полупроводникового твердого раствора - антимонида галлия-алюминия - и созданием на его основе приборных структур для целей оптоэлектроники. Начало данных исследований в Сибирском физико-техническом институте при ТГУ относится к 1972 г. Их целью была разработка физических основ технологии получения слоев и приборных структур из антимонида галлия-алюминия, поскольку в то время в литературе практически отсутствовали сведения о получении этого материала эпитаксиальными методами, о его фотоэлектрических и люминесцентных свойствах, возможности создания p-n-переходов и других барьерных структур.

На первом этапе был изучен галлиевый угол фазовой диаграммы тройной системы Ga-Al-Sb, найдены соотношения между равновесными составами жидкой и твердой фаз, исследовано распределение состава твердого раствора по толщине слоев и предложен способ управления им. Наряду с этим были выяснены причины образования основных типов объемных и поверхностных несовершенств в слоях.

В результате были разработаны методики выращивания слоев антимонида галлия-алюминия в широком диапазоне составов. Был проведен теоретический анализ зависимости коэффициентов распределения легирующих примесей в идеальном тройном твердом растворе от его состава. Экспериментально определены тип электрической активности и коэффициенты распределения легирующих примесей Zn, Si, Ge, Sn, Pb, Te в слоях антимонида галлия-алюминия различного состава.

Изучено изменение люминесцентных свойств твердого раствора при увеличении содержания AlSb, определены условия получения слоев с хорошей излучательной способностью.

Эти результаты легли в основу диссертации «Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb» на соискание ученной степени кандидата физико-математических наук, которую В.П. Гермогенов защитил 25 ноября 1980 г. в специальном совете при Томском государственном университете (научные руководителе кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник А.А. Вилисов и А.П. Вяткин; официальные оппоненты профессор Л.Н. Александров, доцент И.С. Захаров; утверждено ВАК 22 апреля 1981 г.)

Полученные результаты послужили базой для проведения более широких исследований данного твердого раствора. В процессе этих исследований, проводившихся группой сотрудников под руководством Г. (В.А. Позолотин, З.В. Коротченко, Я.И. Отман, Л.С. Хлудкова, Л.Е. Эпиктетова), удалось определить условия формирования устойчивой межфазной границы подложки GaSb/расплав Ga+Al+Sb при выращивании (методом жидкофазной эпитаксии) слоев твердого раствора. В результате стало возможным получение многослойных приборных структур из антимонида галлия-алюминия с хорошим качеством поверхности, ровными гетерограницами, низкой плотностью объемных дефектов и дислокаций. Изучалось влияние состава твердого раствора и, соответственно, характера его энергетического спектра на электрическое сопротивление слоев n-типа и чувствительность его к гидростатическому давлению и температуре.

На основе антимонида галлия-алюминия были созданы приборные структуры нескольких типов: гомопереходы, варизонные структуры, гетеропереходы, поверхностно-барьерные структуры; прослежено влияние состава различных областей, структурных дефектов и примесей на электрические и электролюминесцентные характеристики структур; определена зависимость высоты барьера в поверхностно-барьерных структурах от состава твердого раствора.

Экспериментально установлено существование инверсного p-слоя у поверхности твердого раствора n-типа и оценены его параметры. Показано, что присутствие этого слоя во многом определяет электрические и фотоэлектрические характеристики как поверхностно-барьерных структур, так и p-n-структур из твердого раствора. Комплексное решение указанных проблем позволило создать макетные образцы конкретных полупроводниковых приборов: фотодиода с барьером Шоттки, p-n-фотодиода, тензорезистора, датчика гидростатического давления на основе поверхностно-барьерных структур.

В итоге были разработаны физические и физико-химические основы создания приборных структур из нового полупроводникового материала - антимонида галлия-алюминия.

21 мая 1997 г. в диссертационном совете при ТГУ защитил диссертацию «Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-xSb (физические основы технологии, свойства, применение)» на соискание ученной степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты доктора технических наук, профессор В.Г. Божков, доктор физико-математических наук Ю.Б. Болховитянов и Г.Ф. Караваев; утверждено ВАК 13 февраля 1998 г.).

В настоящее время вместе с профессором О.П. Толбановым (ТГУ) В.П. Гермогенов занимается исследованиями эпитаксиальных структур на основе высокоомных слоев арсенида галлия с целью создания детекторов ионизирующих излучений. Является одним из ответственных исполнителей проекта «Детектор» по гранту Международного научно-технического центра.

В.П. Гермогеновым лично и в соавторстве опубликовано около 60 работ, получено 4 авторских свидетельства, в том числе 2 – на способы выращивания полупроводниковых материалов ("Способ жидкостной эпитаксии антимонида галлия и твердых растворов на его основе" и "Способ получения автоэпитаксиальных слоев антимонида галлия").

В период работы в СФТИ публиковал статьи в многотиражной газете ТГУ "За советскую науку".

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Под руководством Валерия Петровича подготовлен 1 кандидат физико-математических наук.

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимал участие в работе многих научных конференций, совещаний и симпозиумов, в том числе IV Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1975), III Всесоюзной конференции по физико - химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1975), II Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Ашхабад, 1978), VI конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1982), VII Российская конференция «Арсенид галлия» «GaAs-99» (Томск, 1999), II Международное совещания по радиационным детекторам изображений (Фрайбург, Германия, 2000).

Научно-организационная и экспертная деятельность

С 2000 г. – член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ и докторского диссертационного совета в ТПУ.

Награды

• Медаль “За заслуги перед Томским государственным университетом” (1998).

Труды

Список трудов в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Совместно с А.А. Вилисовым, А.П. Вяткиным. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоев твердых растворов Al(x)Ga(l-x)Sb // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1976. Т. 12, № 9;
• Совместно с А.А. Вилисовым. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. Зависимость коэффициента распределения примеси от состава твердого раствора // Известия вузов. Физика. 1977. № 7
• Совместно с О.М. Ивлевой, Я.И. Отманом, Л.Е. Эпиктетовой. Исследование совершенства слоев твердого раствора AlGaSb(As) // Известия вузов. Физика. 1988. № 1;
• Совместно с З.В. Коротченко, Я.И. Отманом, В.А. Позолотиным, Л.С. Хлудковой, Л.Е. Эпиктетовой. Влияние поверхности на темновой ток фотодиодов на основе AlGaSb(As) // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 2 (205);
• Совместно с О.Е. Калымбетовым, В.А. Позолотиным. Изучение характеристик инверсного слоя у поверхности твёрдого раствора n-Al(x)Ga(l-x)Sb // Известия вузов. Физика. 1998. № 7;
• Совместно с О.В. Анисимовым, В.А. Позолотиным. Обратный ток в поверхностно-барьерной структуре металл/n-Al(x)Ga(l-x)Sb // Известия вузов. Физика. 1998. № 12;
• Совместно с О.В. Анисимовым, Л.С. Хлудковой, О.В. Юрковским. Влияние поверхности на обратный ток p-n-структуры из Al(x)Ga(l-x)Sb // Известия вузов. Физика. 1999. № 1;
• Совместно с D.L. Budnitsky, S.M. Guschin, A.A. Larionov, L.P. Porokhovnichenko, A.L. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. Epitaxial structures based on compensated GaAs for gamma- and X- ray detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2001. Volume A466;
• Полупроводниковые твердые растворы (зависимости основных свойств от состава). Томск, 2000;
• Полупроводниковые твердые растворы (гетеропереходы и приборы на их основе). Томск, 2001.

Источники и литература

Список источников и литературы в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Архив ТГУ Ф. Р-815. Оп. 28. Д. 29;
• Оп. 58. Д. 610;
• Томский государственный университет: Ежегодник-2001 / Под редакцией Майера Г.В.. Томск, 2002.