Текущая версия на 11:41, 22 августа 2024

Лаврентьева Людмила Германовна
Дата рождения:	30 июля 1931 г.
Место рождения:	Чита
Дата смерти:	2008 г.
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Научный руководитель:	В.А. Преснов
Известные ученики:	И.В. Ивонин, И.С. Захаров
Награды и премии:	Медаль «Ветеран труда» (1984); Лауреат премии Томского государственного университета (1998); Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998)

ЛАВРЕНТЬЕВА Людмила Германовна (родилась 30 июля 1931 г., Чита – 2008 г.) – профессор кафедры физики полупроводников.

Семья

Отец Л.Г. Лаврентьевой, Герман Филиппович (1903-1973), из многодетной семьи (10 детей), в 15 лет остался без попечения родителей. После окончания ремесленного училища работал в железно-дорожном депо (Чита), затем служил в РККА. После демобилизации работал связистом на Забайкальской железной дороге. Мать Л.Г. Лаврентьевой, Клавдия Алексеевна (девичья фамилия Махнева, 1910), родом из семьи железно-дорожного рабочего станции Карымская. После окончания Читинской школы конторского ученичества (1928) работала счетоводом-делопроизводителем. Выйдя замуж оставила работу и занималась домашним хозяйством и воспитанием детей (Л.Г. Лаврентьева; Галина, 1933; Нина, 1939).

В поисках работы, а во второй половине 30-х, спасаясь от репрессий, отец Л.Г. Лаврентьевой вместе с семьей вынужден был менять местожительство. Перед войной переехал в с. Ново-Романово Юргинского района Кемеровской области, где Л.Г. Лаврентьева училась в семилетней школе, которую окончила в 1945 г. В годы войны мать Л.Г. Лаврентьевой работала бухгалтером в машинно-тракторной станции, а отец в апреле 1942 г. был призван в РККА и вскоре направлен на Челябинский танковый завод, где ремонтировал танки. После тяжелой простуды был переведен на инвалидность. Подлечившись, устроился на телефонно-охранную станцию одного из предприятий Бердска (Новосибирская область) предприятия п/я № 7, а позднее стал руководителем этого подразделения. Мать работала на том же предприятии телефонисткой, затем делопроизводителем, инспектором отдела кадров.

Была замужем за Виктором Александровичем Чалдышевым (1929). Он окончил физический факультет ТГУ, кандидат физико-математических наук, доцент, более 30 лет заведовал лабораторией теоретической физики СФТИ, доцент кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ, ветеран труда. Их дети: Наталья Чалдышева (родилась в 1953 г.), окончила радиофизический факультет ТГУ, работала в СФТИ, технический директор фирмы «Поиск»; Владимир Чалдышев (родился в 1958 г.), окончил физико-механический факультет Ленинградского политехнического института (ныне Санкт-Петербургский технический университет), доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Школьные и студенческие годы

Л.Г. Лаврентьева после окончания Бердской средней школы № 2 (1948) поступила на физико-математический факультет ТГУ, который вскоре разделился на механико-математический и физический факультеты. Среди ее университетских учителей Г.А. Бюлер, Ф.И. Вергунас, К.В. Водопьянов, В.В. Жданов, Н.А. Прилежаева, А.Б. Сапожников, С.М. Чанышев и др.

В годы учебы была старостой группы. Работала пропагандистом на Томском электромоторном заводе. Отвечала за научно-исследовательскую работу студентов старших курсов факультета. В составе группы студентов и аспирантов за выполнение темы «Исследование физических свойств спая стекла и керамики с металлом» была награждена грамотой ТГУ, грамотой и денежной премией МВО СССР (1952). Окончила университет (1953) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу «Исследование влияния добавок окислов металлов на физические свойства вакуумноплотной керамики» (научный руководитель В.А. Преснов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С 1 ноября 1953 г. – аспирант кафедры диэлектриков и полупроводников (бывшая кафедра электрофизики). С 1 ноября 1956 г. – ассистент кафедры полупроводников радиофизического факультета, с 1 августа 1960 г. – старший научный сотрудник проблемной лаборатории полупроводников ТГУ, с 1 ноября 1961 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ при ТГУ. По совместительству с 3 сентября 1967 г. по 30 июня 1970 г. – доцент кафедры полупроводников радиофизического факультета. После организации лаборатории эпитаксиальных структур в отделе физики полупроводников СФТИ с 1 января 1974 г. по 1 октября 1993 г. – заведующая лабораторией.

В 1982 г. по инициативе Л.Г. Лаврентьевой на кафедре физики твердого тела физического факультета ТГУ была организована подготовка специалистов по физике полупроводников (до 1991 г. Л.Г лаврентьева исполняющая обязанности руководителя специализации). По совместительству с 1 сентября 1983 г. – профессор кафедры физики твердого тела. После открытия на физическом факультете кафедры физики полупроводников Л.Г. Лаврентьева – заведующая кафедрой (с 1 сентября 1991 г. до 1 сентября 2002 г., до 1 октября 1993 г. по совместительству).

Ученое звание старшего научного сотрудника присвоено ВАК 25 марта 1964 г., доцента по кафедре полупроводников присвоено ВАК 26 февраля 1969 г., профессора по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 17 мая 1985 г.

Читает курс физической химии; спецкурсы: «Физика полупроводников», «Физическое материаловедение полупроводников», «Методы исследования структуры и свойств полупроводников».

Научно-исследовательская деятельность

Основное направление научных исследований Л.Г. лаврентьевой – физическое материаловедение применительно к материалам электронной техники. До начала 60-х гг. она занималась материаловедением диэлектриков: исследовала структуру и свойства стеатитовой радиокерамики, производство которой осваивал один из новосибирских заводов. Экспериментально было изучено влияние состава шихты и условий отжига на процесс формирования структуры кристаллической фазы (метасиликата магния) керамики, на полиморфные превращения в этой фазе, найдены условия стабилизации структуры, что позволило инженерам-разработчикам скорректировать технологию производства и увеличить срок службы металлокерамических радиоламп.

23 мая 1960 г. в совете ТГУ Л.Г. Лаврентьева защитила диссертацию «Исследование структуры стеатитовых керамических радиоматериалов» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель В.А. Преснов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор Н.А. Прилежаева и кандидат технических наук, доцент Р.М. Кессених; утверждено ВАК 6 мая 1961 г.).

Затем Л.Г. Лаврентьева по совету В.А. Преснова переключилась на материаловедение полупроводников, занявшись газофазовой эпитаксией (ГФЭ) полупроводников А3В5. В лаборатории полупроводников СФТИ под руководством Л.Г. Лаврентьевой была создана группа из выпускников радиофизического и физического факультетов ТГУ (М.Д. Вилисова, И.К. Ковалев, Ю.Г. Катаев, В.А. Московкин и др). Впервые в СССР в СФТИ в 1961 г. были получены пленки арсенида галлия газофазовым методом (совместно с В.А. Пресновым, М.Д. Вилисовой), изготовлены первые туннельные диоды на этих пленках.

Для развития работ по эпитаксии полупроводников в СФТИ на базе двух научных групп (эпитаксии и структурных методов, руководители Л.Г. Лаврентьева и М.П. Якубеня) в 1973 г. была сформирована, а в 1974 г. официально открыта в рамках отдела физики полупроводников лаб. эпитаксиальных структур (руководитель Л.Г. Лаврентьева).

В последующие годы лаборатория была оснащена аппаратурой для проведения ГФЭ, изучения структуры (электронные микроскопы, электронограф, рентгеновский дифрактометр) и свойств полупроводников. Были проведены исследования кинетики кристаллизации и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников, получаемых методом ГФЭ, выполнено физическое моделирование этих процессов. Для полупроводников А3В5 (арсенид галлия, арсенид индия) установлены зависимости скорости роста и скорости захвата примеси от кристаллографических индексов поверхности кристалла, исследованы зависимости кинетики роста и кинетики захвата примеси от основных параметров процесса ГФЭ: типа транспортного вещества (иод, хлор), его концентрации и температуры кристаллизации, получены данные о влиянии электрического поля на эпитаксиальный рост пленок арсенида галлия. Выявлены основные закономерности образования переходных слоев на границе пленки с подложкой и роль структуры подложки в формировании специфических дефектов роста (центров торможения ст. роста). Получены приоритетные результаты по закономерностям формирования сложных точечных дефектов (примесно-вакансионных комплексов) в условиях ГФЭ. Разработаны физические модели и проведены расчеты термодинамики адсорбции и комплексообразования, кинетики роста и легирования применительно к газофазовой эпитаксии сложных полупроводников.

6 мая 1982 г. в специальном совете Института физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск) Л.Г. Лаврентьева защитила диссертацию «Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии (на примере арсенида галлия)» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты доктора физико-математических наук А.Ф. Кравченко и С.А. Семилетов, доктор технических наук Ю.Д. Чистяков; утверждено ВАК 17 июня 1983 г.).

Результаты исследований Л.Г. Лаврентьевой были использованы при отработке технологий производства материалов и приборов электроники. С начала 90-х под руководством Л.Г. Лаврентьевой изучались эпитаксиальные слои арсенида галлия, получаемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах (LT-GaAs). Работа выполнялась сотр. трех коллективов (СФТИ, ИФП СО РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе) при финансовой поддержке различных программ и грантов. В результате выяснено, что монокристаллические слои LT-GaAs содержат аномально высокую концентрацию избыточного мышьяка, формирующего при отжиге преципитаты (кластеры) нанометровых размеров, которые существенно изменяют свойства материала. Такой материал представляет практический интерес для СВЧ-приборов специального назначения.

Под руководством Л.Г. Лаврентьевой в ТГУ сформировались научное направление «Физические основы газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5» и научная школа.

Автор более 250 работ, 5 учебных пособий и методических разработок, получила 3 авторских свидетельства.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Она подготовила 10 кандидатов наук. Защитили докторские диссертации ее ученики И.С. Захаров (ректор Курского технического университета, заслуженный деятель науки, организатор и главный редактор всероссийского научно-технического журнала «Телекоммуникации») и И.В. Ивонин (заведующий лабораторией эпитаксиальных структур отдела физики полупроводников СФТИ, заведующий кафедрой физики полупроводников физического факультета ТГУ).

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимала участие в работе многих международных, всесоюзных и российских научных конференциях и совещаниях. Входила в состав оргкомитета Всероссийских научных конференций по арсениду галлия (Томск, 1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999, 2002).

Научно-организационная и экспертная деятельность

С 2001 г. Л.Г. Лаврентьева – член докторского диссертационного совета (физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ. До 2001 г. входила в состав кандидатов диссертационного совета в ТГУ.

Являлась членом научного совета АН СССР «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», совета АН СССР по росту кристаллов, научно-методического совета УМО Минвуза РФ по образованию в области авиации, ракетостроения, космоса и др.

С 1997 – член Научного совета РАН «Физико-химические основы материаловедения полупроводников». Член редколлегии журнала «Известия вузов. Физика» (1982-1991). С 1997 г. – член редколлегии журнала «Известия вузов. Материалы электронной техники» (Москва).

Член-корреспондент (1996), действительный член РАЕН (2000). Действительный член Азиатско-Тихоокеанской академии материалов (APAM – The Asia-Pacific Academy of Materials, 1997). Депутат Томского городского совета депутатов трудящихся (1971-1980). Избиралась членом профбюро СФТИ, член профбюро ТГУ.

Награды и премии

• Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970);
• Медаль «Ветеран труда» (1984);
• Лауреат премии Томского государственного университета за учебное пособие «Физические явления в полупроводниках» (1998);
• Нагрудный знак «За отличные успехи в работе» Минвуза СССР (1978);
• Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (1998);
• Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998).

Труды

• Совместно с И.С. Захаровым, Ю.М. Румянцевым. Зависимость скорости роста и уровня легирования эпитаксиального германия от ориентации подложки // Кристаллография. 1970. Т. 15, № 4;
• Совместно с Л.П. Пороховниченко, И.В. Ивониным, Л.М. Красильниковой. Зарождение дефектов при эпитаксии арсенида галлия // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, 1973;
• Совместно с М.Д. Вилисовой. Переходные слои в автоэпитаксиальных структурах // Известия СО АН СССР. Серия химия. 1975. № 2, вып. 1;
• Совместно с I.V. Ivonin, L.M. Krasilnikova, M.D. Vilisova. Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films // Kristall und Technik, 1980. Vol. 15, № 6;
• Фоновые примеси и локальные неоднородности в слоях арсенида галлия, полученных газофазовой эпитаксией // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Новосибирск, 1981;
• Захват примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Известия вузов. Физика. 1983. № 10;
• Совместно с И.А. Бобровниковой, С.Е. Тороповым. Комплексообразование при газофазовой эпитаксии арсенида галлия, легированного теллуром // Известия вузов. Физика. 1986. № 5;
• Совместно с М.Д. Вилисовой. Образование центров с глубокими уровнями при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Известия вузов. Физика;
• Совместно с З. Алексеевой. Дело ученого // За советскую науку. 1987. № 31;
• Совместно с М.П. Рузайкиным, А.Б. Свечниковым. Расчет энергии адсорбции атомов H и Cl на реконструированной грани (2х1)(100) кремния // Поверхность. 1988. № 11;
• Совместно с М.Д. Вилисовой, В.В. Преображенским, В.В. Чалдышевым. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев // Известия вузов. Физика. 2002. №8.

Источники и литература

• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 28. Д. 3;
• Оп. 65. Д. 64;
• Эпиктетова Л. Началось со взрывов // За советскую науку. 1970. 8 января;
• Развитие физических наук в Томском университете: Сб. ст. / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981;
• Александрова Н. Мне везло в жизни на хороших людей // Alma Mater. 1997. 7 марта;
• Томский государственный университет: Ежегодник-2001 / Под редакцией Майера Г.В.. Томск, 2002.