| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
(→Источники и литература) |
Snek (обсуждение | вклад) (→Источники и литература) |
||
| Строка 74: | Строка 74: | ||
[[Категория: Персоналии]] | [[Категория: Персоналии]] | ||
[[Категория: Профессора Томского университета]] | [[Категория: Профессора Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Сотрудники Радиофизического факультета Томского университета]] | ||
[[Категория: Доктора технических наук]] | [[Категория: Доктора технических наук]] | ||
[[Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете]] | [[Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете]] | ||
[[Категория: Все статьи]] | [[Категория: Все статьи]] | ||
| Геннадий Исаакович Айзенштат | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
село Харанор Борзинского района Читинской области |
| Период работы в Томском университете : |
с 2004 |
| Место работы в Томском университете: |
кафедра полупроводниковой электроники радиофизического факультета |
| Учёная степень: |
Доктор технических наук |
| Альма-матер: |
Новосибирский электротехнический институт |
АЙЗЕНШТАТ Геннадий Исаакович (р. 23 января 1948, село Харанор Борзинского района Читинской области) – профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.
Отец Г.И. Айзенштата, Исаак Моисеевич (1924–2009), участник Великой Отечественной войны, служил в Советской армии, полковник, награжден орденами и медалями. Мать, Фаина Исаевна (1924–2010), работала бухгалтером. Г.И. Айзенштат женат на Людмиле Михайловне (дев. Прокопьева, р. 1948). Их сын Дмитрий (р. 1990) – окончил ТПУ, аспирант ТПУ, стипендиат Госкорпорации «РОСАТОМ», фонда «Династия», проекта «Лифт в будущее», губернатора Томской области, лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры. Стажировался в Техасском университете (США) и Миланском университете (Италия).
Г.И. Айзенштат обучался в физико-математической школе в Академгородке Новосибирска, где слушал лекции М.А. Лаврентьева и Г.И. Будкера. После окончания школы (1965) поступил на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института (НЭТИ). Дипломную практику проходил в Томском НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП). Окончил институт (1970) по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники», защитив дипломную работу по теме «Новый сверхбыстродействующий нейристор на эффекте Ганна» (научный руководитель ведущий инженер НИИПП В.С. Липин).
С 1970 г. – инженер, с 1974 г. – старший инженер, с 1976 г. – ведущий инженер, с 1980 г. – старший научный сотрудник, с 1988 г. – ведущий научный сотрудник, с 2001 г. – начальник лаборатории, с 2011 г. – главный научный сотрудник ОАО НИИПП. В 1984–1988 гг. обучался в заочной аспирантуре при кафедре полупроводниковой электроники ТГУ. В 1999–2002 гг. – докторант кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры ТУСУР. По совместительству с 2004 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.
В ТГУ читает курс лекций «Технологии микро- и наноэлектроники».
Научная деятельность Г.И. Айзенштата связана главным образом с разработкой приборов на арсениде галлия. В период аспирантской подготовки он занимался исследованием эффектов формирования неустойчивостей при одновременном влиянии захвата носителей на глубокие центры. Исследования позволили существенно расширить представление о физике процессов при взаимодействии неустойчивостей, а также получить результаты, связанные с разработками в обл. технологии и конструирования приборов. На базе этого созданы принципиально новые сверхбыстродействующие функциональные приборы, работающие на эффекте поперечного распространения эффекта Ганна. Среди них: сверхбыстродействующие нейристоры, ячейки памяти, многофункциональные элементы, одновременно выполняющие логические функции «И», ИЛИ», «ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ». В 1988 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию «Особенности доменной неустойчивости в функциональных приборах Ганна» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор Г.Ф. Караваев, кандидат физико-математических наук В.Г. Милев; утвержден ВАК 1988). В последующий период им были проведены систематические исследования физико-технологических проблем разработки приборов на полуизолирующем арсениде галлия – приборов с геометрически сложными конфигурациями, в которых отрицательная дифференциальная проводимость создаётся несколькими механизмами. Разработанные Г.И. Айзенштатом новые приборные структуры основаны на изученных закономерностях. Предложены и реализованы технологические методы создания таких приборов. Так, впервые на эпитаксиальном арсениде галлия, компенсированном хромом, разработаны рентгеновские детекторы на 256 каналов для маммографических аппаратов с шагом 110 мкм, имеющие высокое пространственное разрешение и позволяющие достичь предельно малых доз облучения при скрининге пациентов. В 2004 г. в диссертационном совете при ТПУ защитил диссертацию «Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия» на соискание ученой степени доктора технических наук (научный консультант профессор О.П. Толбанов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук П.А. Бородовский, профессора С.В. Смирнов, А.П. Коханенко; утвержден ВАК в 2005).
В настоящее время научная деятельность Г.И. Айзенштата связана с разработкой новой элементной базы для создания СВЧ-модулей специального назначения, в том числе для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР) последнего поколения. Актуальность проводимых им исследований объясняется тем, что без решения вопросов разработки и освоения новой элементной базы немыслимо создание перспективных, эффективных и конкурентоспособных образцов военной техники. На основе гетероструктурных СВЧ-pin-диодов им разработаны монолитные интегральные схемы широкополосных защитных устройств, СВЧ-коммутаторов мощности C- и X-диапазонов с оригинальными конструкторскими и технологическими решениями. Под руководством Г.И. Айзенштата на предприятии развивается новое направление по разработке монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных активных элементов (PHEMT и MHEMT транзисторов и СВЧ-pin-диодов). Разработан и внедрен в производство гетероструктурный малошумящий pHEMT транзистор Х-диапазона АП399А-5. Автор более 140 работ. Имеет более 50 авторских свидетельств и патентов. Подготовил 2 кандидатов наук (М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко). Г.И. Айзенштат регулярно участвует в работе ежегодной международной Крымской конференции («КрыМиКо», Севастополь) «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», проводимой с 1991 г.
