| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Snek (обсуждение | вклад) |
Snek (обсуждение | вклад) |
||
| Строка 14: | Строка 14: | ||
|Научная школа = | |Научная школа = | ||
|Период работы в Томском университете = | |Период работы в Томском университете = | ||
| − | |Место работы в Томском университете = | + | |Место работы в Томском университете = |
|Учёная степень = Доктор технических наук | |Учёная степень = Доктор технических наук | ||
|Учёное звание = Профессор | |Учёное звание = Профессор | ||
| КАНДЫБА, ПЕТР ЕФИМОВИЧ | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
станция Камарчага Красноярского края |
| Научная сфера: |
Физика, электроника |
| Учёная степень: |
Доктор технических наук |
| Учёное звание: |
Профессор |
| Альма-матер: | |
| Научный руководитель: | |
| Известные ученики: |
А.А. Голубский, Г.Я. Павлов, В.В. Минаев, Е.А. Фетисов |
| Награды и премии: |
|
КАНДЫБА ПЕТР ЕФИМОВИЧ (родился 17 июня 1935, станция Камарчага, Манский район, Красноярский край) – выпускник радиофизического факультета Томского государственного университета по специальности «физик-радиоэлектроник».
Отец, Ефим Анисимович (1896–1967), из крестьян, с 1929 г. по 1960 г. – бухгалтер. Мать, Кандыба Анисья Кузьмовна (1903–1992) из крестьян, домохозяйка. Жена Петрова Валентина Захаровна (р. 1931), окончила Ленинградский технологический институт, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР. В 1966–2001 гг. заведовала кафедрой общей химии МИЭТ, с 2001 г. по настоящее время – профессор-консультант кафедры микроэлектроники Московского института электронной техники (МИЭТ). Дочь Мартынова (Кандыба) Анна Петровна (р. 1961), окончила факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1984), инженер электронной техники. С 2016 г. – на пенсии. Сын Кандыба Дмитрий Петрович (р. 1965), окончил факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1988), инженер электронной техники.
В 1954 г. П.Е. Кандыба с отличием окончил техникум железнодорожного транспорта в Красноярске и поступил на первый курс радиофизического факультета ТГУ. Среди его преподавателей были: В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов, В.Н. Детинко, Н.Г. Щеглов, Э.С. Воробейчиков, Ф.И. Климентьев. В период учебы в ТГУ избирался комсоргом группы, секретарем комсомольского бюро курса, заместителем секретаря комсомольского бюро радиофизического факультета. В 1959 г. окончил университет по специальности «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Флуктуации амплитуды и фазы автогенератора на полупроводниковом транзисторе П-401» (научный руководитель И.Н. Воженин).
После окончания ТГУ с 1959 г. по 1963 г. П.Е. Кандыба работал инженером, а затем старшим инженером, начальником лаборатории предприятия п/я-28 г. Бийска (ныне НПО «Алтай»). Участвовал в разработке систем автоматического управления. 1963–1970 гг. П.Е. Кандыба был переведен в Москву на должность начальника лаборатории, а впоследствии начальника отдела в НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР. В 1970 г. П.Е. Кандыба избран по конкурсу на должность начальника физико-технологического отделения НИИ физических проблем МЭП, где он осуществлял организационное и научное руководство разработками физико-химических основ технологии интегральных микросхем работающих на новых физических принципах (квантовые туннельные переходы Джозефсона, приборов с зарядовой связью, электрически репрограммируемые запоминающие устройства, оптроны, цилиндрические магнитные домены, магнитостатические волны в сильных ферромагнетиках). Одновременно с 1970–1990 гг. П.Е. Кандыба по совместительству работал сначала старшим преподавателем, а затем доцентом, профессором кафедры «Микроэлектроника» МФТИ. 17 апреля 1974 было присвоено ученое звание доцента по кафедре «Микроэлектроника» МФТИ. 2 сентября 1983 г. было присвоено ученое звание профессора по специальности «Технология полупроводников и материалов электронной техники». С 1978 г. по 1996 г. работал директором Московского Филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», а впоследствии заместителем генерального директора НПО «Фонон» по научной работе (1985–1987), директором НИИ «Фонон» и генеральным директором ОАО «Фонон» (1987–1995). В 1996–2005 гг. – заведующий кафедрой «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» Московского института электронной техники (МИЭТ – ныне Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»). С 2005 г. – профессор-консультант кафедры «Микроэлектроника» НИУ МИЭТ.
На факультете физической и квантовой электроники МФТИ студентам специальности «Микроэлектроника» читал курсы: «Физика тонких плёнок» и «Физико-химические процессы технологии СБИС». Студентам специальности «Физика твёрдого тела, полупроводников и диэлектриков» читал курсы: «Элементальная база СБИС». На факультете «Интеллектуальные технические системы» МИЭТ по специальности «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» читал курсы: «Физико-химические процессы технологии СБИС» и «Надежность интегральных микросхем».
Область научных интересов П.Е. Кандыбы – разработка технологических процессов, материалов и оборудования твердотельной микроэлектроники. В период работы НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники МЭП СССР принимал участие в разработке базовой конструкции и технологии гибридных интегральных микросхем (ГИС). С 1965 начат выпуск радиоэлектронной аппаратуры общего и специального применения на основе разработанных ГИС. Результаты исследований были обобщены в диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук «Разработка и исследование технологии пленочных структур для гибридных микросхем», которая была защищена 7 июня 1967 г. на ученом Совете НИИ Микроприборов (научный руководитель доктор технических наук В.А. Преснов; официальные оппоненты: доктор технических наук Б.Ф. Высоцкий, кандидат технических наук А.И. Коробов, утверждена ВАК СССР 12 июля 1967). В 1970–1978 гг. П.Е. Кандыба, работая в НИИ физических проблем МЭП, в рамках государственной программы осуществлял организационное и научное руководство разработкой переключающего криотрона (аналог транзистора) на основе сверхпроводящего перехода Джозефсона. Разработан многослойный криотрон на базе планарного квантового сверхпроводящего перехода Джозефсона. Конструкция криотрона была запатентована в США, Англии, Франции. П.Е. Кандыбой предложена и разработана качественно новая технология термического окисления кремния, активируемая хлором при получении существенно более качественных функциональных, пассивирующих и защитных пленок оксида кремния и границы раздела кремний-оксид в биполярных и МОП интегральных микросхем. На базе этой технологии им впервые в СССР были разработаны линейные и матричные кремниевые фотоприемники видимого ИК-диапазона на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) с эффективностью переноса заряда не менее 0,99 и чувствительностью в видимом диапазоне 8•10-4 люкс, с быстродействием 1~5 МГц. Матричные фотоприемники использовались в аппаратуре зондирования поверхности Земли со спутников, обеспечивая разрешение 0,7–1 м и в бытовой технике. П.Е. Кандыба также принимал участие в разработке технологии электрически репрограммируемой памяти емкостью 256–512 кбит с временем хранения информации до 10 лет, с количеством переключения 109. В 1976 начат серийный выпуск разработанных интегральных микросхем. В 1978–1995 гг. работая в НПО «Фонон» МЭП П.Е. Кандыба был инициатором и научным руководителем разработки промышленной технологии производства пьезоэлектрических устройств стабилизации и селекции радиочастот на объемных и поверхностных акустических волнах (ПАВ) для телевизионной, вычислительной, авиационно-космической техники. Принимал участие в разработке частотно-избирательных гибридных микросхем для системы С-300. Результаты исследований и разработок в период работы П.Е. Кандыбы в НИИ физических проблем МЭП и НПО «Фонон» МЭП были обобщены в диссертации «Разработка и исследование процесса окисления кремния в хлорсодержащей среде в технологии интегральных схем» на соискание ученой степени доктора технических наук, защита которой состоялась 30 декабря 1981 на ученом Совете Московского института электронной техники (официальные оппоненты: академик АН СССР Ю.В. Гуляев, член-корреспондент АН СССР Б.Г. Грибов, д.т.н. Л.А. Коледов, утверждена ВАК СССР 15 июня 1982). П.Е. Кандыбой опубликовано более 100 научных работ, получено 6 патентов, 75 авторских свидетельств. Подготовил 26 кандидатов и 3 доктора наук. Среди его учеников: В.К. Семенов (университет Стони Брук, Нью-Йорк, США), В настоящее время следующие аспиранты, защитившие под руководством Кандыбы П.Е. кандидатские диссертации, активно работают в микроэлектронике: А.А. Голубский, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «Научно-исследовательский институт «Элпа»; Г.Я. Павлов, директор по развитию ОАО «НИИ Точного машиностроения»; В.В. Минаев, ведущий научный сотрудник, ученый секретарь ОАО «Ангстрем»; Е.А. Фетисов, старший научный сотрудник, доцент кафедры Интегральной электроники и микросхем МИЭТ. Исследования П.Е. Кандыбы были удостоены премии АН СССР (1974), государственной премии РФ в области науки и техники (1993). П.Е. Кандыба награжден орденом «Знак Почета» (1981), Орденом Трудового Красного Знамени (1986); медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970), «Ветеран труда» (1985), «В память 850-летия Москвы» (1997), …тремя золотыми (1976, 1982, 1985) и двумя серебряными (1973, 1980) медалями ВДНХ СССР. П.Е. Кандыба был удостоен почетных званий: Почетный работник МЭП СССР (1985), Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).
Результаты основных исследований докладывались на Всесоюзных, Всероссийских и международных научных конференциях. В их числе: Всесоюзная конференция по электронной микроскопии (Москва, 1969, доклад «Наблюдение в электронном микроскопе процесса рекристаллизации тонких плёнок»); Международная конференция «Оптоэлектроника» (г. Брайтон, Англия, 1972, доклад «Конструкция и электрофизические характеристики оптрона на основе арсенидгаллиевых излучателей и быстродействующих кремниевых фотоприемников»); Всесоюзная научно-техническая конференция «Совершенствование технологий производства интегральных микросхем и печатных плат» (Вильнюс, 1975, доклад: «Конструкция и технология фотоприемных матриц на ПЗС»); Международный симпозиум по акустоэлектронике (г. Варна, Болгария, сентябрь 1989, доклад: «Разработка промышленной технологии акустоэлектронных устройств на ПАВ»); Международная научно-техническая конференция «Микросистемы, сенсоры и акустоэлектроника» (Санкт-Петербург, 1993, член организационного комитета, председатель секции акустоэлектроники); 45-ый ежегодный симпозиум по контролю радиочастот (Лос-Анжелес, США 1991, доклад «Монолитные фильтры на основе сильных пьезоэлектриков»).
В 1983-1995 гг. П.Е. Кандыба являлся членом ученого совета по присуждению ученых степеней факультета физической и квантовой электроники МФТИ. Одновременно с 1983 г. по 1988 г. являлся членом экспертного совета ВАК СССР. В 1985-1995 гг. входил в состав в качестве полноправного члена 49 комитета Международной электротехнической комиссии. В 1985-1995 гг. - председатель ученого совета по присуждению ученых степеней НПО «Фонон». В 1985-1990 гг. - научный консультант редакции «Советская энциклопедия». В 1987-1995 гг. являлся членом института инженеров по электротехнике и электронике (США). С 1997 г. по 2005 г. исполнял обязанности председателя ученого совета по присуждению ученых степеней МИЭТ.
В 1979-1987 гг. трижды избирался депутатом Зеленоградского исполкома города Москвы. Одновременно в 1979-1987 гг. являлся членом Зеленоградского районного комитета КПСС г. Москвы.
