[досмотренная версия][досмотренная версия]
(Обучение, аспирантура, работа в ТГУ)
Строка 6: Строка 6:
  
 
=='''Обучение, аспирантура, работа в ТГУ'''==
 
=='''Обучение, аспирантура, работа в ТГУ'''==
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора [[Молин, Федор (Теодор Георг Андреас) Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она окончила [[физико-механического отделение]] по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский государтсвенный университет|ТГУ]] она была переведена аспирантом в [[рентгеновскую лабораторию]] [[СФТИ]]. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на [[физико-математическом факультете]]. По окончании аспирантуры с [[Март в истории Томского университета|марта]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г. – старший научный сотрудник [[института]]. С [[1931 год в истории Томского университета|1931]] г. – ассистент, с [[Март в истории Томского университета|27 марта]] [[1938 год в истории Томского университета|1938]] г. – доцент [[кафедры общей физики]] (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). С [[Сентябрь в истории Томского университета|1 сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по [[Август в истории Томского университета|30 августа]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. – заведующая кафедрой [[общей физики]]. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики [[Февраль в истории Томского университета|23 февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С [[1946 год в истории Томского университета|1946]] г. – заведующая [[лабораторией электронных явлений]] [[Сибирский физико-технический факультет|СФТИ]]. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.
+
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора [[Молин, Федор (Теодор Георг Андреас) Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она окончила [[физико-механического отделение]] по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский государтсвенный университет|ТГУ]] она была переведена аспирантом в [[рентгеновскую лабораторию]] [[СФТИ]]. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на [[физико-математическом факультете]]. По окончании аспирантуры с [[Март в истории Томского университета|марта]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г. – старший научный сотрудник [[института]]. С [[1931 год в истории Томского университета|1931]] г. – ассистент, с [[Март в истории Томского университета|27 марта]] [[1938 год в истории Томского университета|1938]] г. – доцент [[кафедры общей физики]] (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). С [[Сентябрь в истории Томского университета|1 сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по [[Август в истории Томского университета|30 августа]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. – заведующая кафедрой общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики [[Февраль в истории Томского университета|23 февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С [[1946 год в истории Томского университета|1946]] г. – заведующая [[лабораторией электронных явлений]] [[Сибирский физико-технический факультет|СФТИ]]. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.
  
 
=='''Работа в Горьком и Зеленограде'''==
 
=='''Работа в Горьком и Зеленограде'''==

Версия 20:01, 2 декабря 2018

Вергунас Фелициана Игнатьевна

ВЕРГУНАС Фелициана Игнатьевна (15 /28/ марта 1911, Томск7 июня 1980, Москва) – физик, профессор кафедры общей физики Томского государственного университета.

Семья

Отец Ф.И. Вергунас, Игнатий Казимирович (1875–1947), многие годы работал на железной дороге (станция Томск-II) в качестве проводника и электромонтера. Был членом ВКП(б) с 1924 г. Ее мать, Эмилия Андреевна (1887–1967), занималась домашним хозяйством. Ф.И. Вергунас была замужем за К.А. Водопьяновым, профессором ТГУ. Их сын, Водопьянов Лев (р. 1931), окончил в 1954 г. МГУ по специальности “Физика”, доктор физико-математических наук, профессор, работал ведущим научным сотрудником Физического института им П.Н. Лебедева РАН.

Обучение, аспирантура, работа в ТГУ

Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора Ф.Э. Молин, В.Д. Кузнецов и другие. В 1931 г. она окончила физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением Сибирского физико-технического института (СФТИ) в систему ТГУ она была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию СФТИ. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на физико-математическом факультете. По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – старший научный сотрудник института. С 1931 г. – ассистент, с 27 марта 1938 г. – доцент кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). С 1 сентября 1956 г. по 30 августа 1957 г. – заведующая кафедрой общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики 23 февраля 1957 г. С 1946 г. – заведующая лабораторией электронных явлений СФТИ. В ТГУ читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.

Работа в Горьком и Зеленограде

После отъезда из Томска (1957) заведовала кафедрой общей физики радиофизического факультета Горьковского университета. В 1963 г. переехала в Москву, в Электронный центр (Зеленоград), где работала заведующей лабораторией Института микроприборов Министерства электронной промышленности СССР.

Направления научной деятельности

Вергунас1.jpg

Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами. 15 мая 1937 г. в совете ТГУ защитила диссертацию “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – профессора П.С. Тартаковский и Д.Д. Иваненко) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера – Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах. Во время Великой Отечественной войны она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в СФТИ еще в 1930-е гг. под руководством профессоров П.С. Тартаковского и В.М. Кудрявцевой исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими сотрудниками Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения. В начале 1950-х гг. под ее руководством в СФТИ были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова. В лаборатории электронных явлений СФТИ, которой руководила Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян. 26 ноября 1954 г. в совете ТГУ Ф.И. Вергунас защитила диссертацию “Температурное тушение излучения цинксульфидных фосфоров и затухание послесвечения в области тушения” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора Н.А. Прилежаева, А.А. Воробьев, В.Н. Кессених; утверждена ВАК 25 февраля 1956). В работе, явившейся итогом многолетнего труда, на основе изучения большого экспериментального материала она предложила новое объяснение механизма тушения излучения цинксульфидных фосфоров. Разработанная Ф.И. Вергунас и ее ученицей Н.Л. Гастинг теория давала возможность глубже познать явление люминесценции кристаллофосфоров и более осознанно управлять этими процессами при изготовлении люминифоров. Много внимания Ф.И. Вергунас уделяла подготовке научных кадров (1930-е).

Общественная деятельность

В 1940–1950-х гг. она руководила научным студенческим физическим кружком. Избиралась председателем профкома, членом профбюро СФТИ. Была членом предметной комиссии, председателем физической секции научно-технического кружка. Входила в состав редколлегии стенгазеты, работала агитатором среди населения. Состояла в Обществе по распространению политических и научных знаний и нередко выступала с научно-популярными лекциями по актуальным проблемам физики перед жителями города и области.

Награды

  • Орден “Знак Почета” (1953);
  • Медаль “За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.” (1946).

Труды

  • Позитрон: Обзор // Труды 1-й краевой конференции физиков Западной Сибири. 1934. Выпуск 1;
  • Температурное гашение фотолюминесценции окиси цинка // Доклады Академии Наук. 1947. Т. 57. № 1;
  • О статистической точности счетчиков света // Труды СФТИ. 1947. Т. 7. Выпуск 2;
  • Совместно с В.М. Кудрявцевой, Н.Л. Гастинг. Аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах // Там же;
  • Темновая проводимость окиси цинка // Там же. 1947. Выпуск 24;
  • Тепловая проводимость йода // Ученые записки ТГУ. 1947. № 5;
  • Совместно с Ф.Ф. Гавриловым. Зависимость интенсивности люминесценции окиси цинка от интенсивности возбуждения // Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24;
  • Изучение энергетических уровней кристаллофосфоров путем исследования их оптических и электрических свойств // Там же. 1948. Выпуск 27;
  • Теория миграции дыр и температурное гашение люминесценции кристаллофосфоров // Там же. 1950. Выпуск 30; 1948;
  • Спектры люминесценции окиси цинка // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1948. Т. 18. Выпуск 2;
  • Зависимость относительного квантового выхода люминесценции ZnO от длины волны возбуждения // Доклады Академии наук СССР. 1948. Т. 59. № 7.

Источники и литература