Лаврентьева Людмила Германовна
250px
Дата рождения:	30 июля 1931 г.
Место рождения:	Чита

ЛАВРЕНТЬЕВА Людмила Германовна (родилась 30 июля 1931 г., Чита) – профессор кафедры физики полупроводников.

Отец Л., Герман Филиппович (1903-1973), из многодетной семьи (10 детей), в 15 лет остался без попечения родителей. После окончания ремесленного училища работал в ж.-д. депо (Чита), затем служил в РККА. После демобилизации работал связистом на Забайкальской ж.д. Мать Л., Клавдия Алексеевна (дев. Махнева, р. 1910), родом из семьи ж.-д. рабочего ст. Карымская.

После окончания Читинской школы конторского ученичества (1928) работала счетоводом-делопроизводителем. Выйдя замуж оставила работу и занималась домашним х-вом и воспитанием детей (Л.; Галина, р. 1933; Нина, 1939). В поисках работы, а во втор. пол. 30-х, спасаясь от репрессий, отец Л. вместе с семьей вынужден был менять местожительство. Перед войной переехал в с. Ново-Романово Юргинского р-на Кем. обл., где Л. училась в семилетней школе., которую окончила в 1945. В годы войны мать Л. работала бухгалтером в МТС, а отец в апр. 1942 был призван в РККА и вскоре направлен на Челябинский танковый завод, где ремонтировал танки. После тяжелой простуды был переведен на инвалидность. Подлечившись, устроился на телефонно-охранную станцию одного из предприятий Бердска (Новосиб. обл.).предприятия п/я № 7, а позднее стал руководителем этого подразделения. Мать работала на том же предприятии телефонисткой, затем делопроизводителем, инспектором отдела кадров. В н. в. на пенсии. Л. после окончания Бердской средней школы № 2 (1948) поступила на физ.-мат. ф-т ТГУ, который вскоре разделился на мех.-мат. и физ. ф-ты. Среди ее унив. учителей Г.А. Бюлер, Ф.И. Вергунас, К.В. Водопьянов, В.В. Жданов, Н.А. Прилежаева, А.Б. Сапожников, С.М. Чанышев и др. В годы учебы была старостой гр. Работала пропагандистом на Том. электромоторном заводе. Отвечала за науч.-исслед. работу студентов ст. курсов ф-та. В составе гр. студентов и аспирантов за выполнение темы «Исследование физ. свойств спая стекла и керамики с металлом» была награждена грамотой ТГУ, грамотой и денежной премией МВО СССР (1952). Окончила ун-т (1953) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу «Исследование влияния добавок окислов металлов на физ. свойства вакуумноплотной керамики» (науч. руководитель В.А. Преснов).

С 1 нояб. 1953 - аспирант каф. диэлектриков и полупроводников (бывшая каф. электрофизики). С 1 нояб. 1956 - асс. каф. полупроводников радиофиз. ф-та, с 1 авг. 1960 - ст. науч. сотр. проблемной лаб. полупроводников ТГУ, с 1 нояб. 1961 - ст. науч. сотр. лаб. полупроводников СФТИ при ТГУ. По совместительству с 3 сент. 1967 по 30 июня 1970 - доц. каф. полупроводников радиофиз. ф-та. После организации лаб. эпитаксиальных структур в отделе физики полупроводников СФТИ с 1 янв. 1974 по 1 окт. 1993 - зав. лаб. В 1982 по инициативе Л. на каф. физики твердого тела физ. ф-та ТГУ была организована подготовка специалистов по физике полупроводников (до 1991 Л. и. о. руководителя специализации). По совместительству с 1 сент. 1983 - проф. каф. физики твердого тела. После открытия на физ. ф-те каф. физики полупроводников Л. - зав каф. (с 1 сент. 1991 до 1 сент. 2002, до 1 окт. 1993 по совместительству).

Учен. звание ст. науч. сотр. присвоено ВАК 25 марта 1964, доц. по каф. полупроводников присвоено ВАК 26 февр. 1969, проф. по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 17 мая 1985.

Читает курс физ. химии; спецкурсы: «Физика полупроводников», «Физ. материаловедение полупроводников», «Методы исследования структуры и свойств полупроводников».

Основное направление науч. исследований Л. - физ. материаловедение применительно к материалам электронной техники. До начала 60-х гг. она занималась материаловедением диэлектриков: исследовала структуру и свойства стеатитовой радиокерамики, производство которой осваивал один из новосиб. заводов. Экспериментально было изучено влияние состава шихты и условий отжига на процесс формирования структуры кристаллической фазы (метасиликата магния) керамики, на полиморфные превращения в этой фазе, найдены условия стабилизации структуры, что позволило инженерам-разработчикам скорректировать технологию производства и увеличить срок службы металлокерамических радиоламп.

23 мая 1960 в совете ТГУ Л. защитила дис. «Исследование структуры стеатитовых керамических радиоматериалов» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук (науч. руководитель В.А. Преснов; офиц. оппоненты д-р физ.-мат. наук, проф. Н.А. Прилежаева и канд. техн. наук, доц. Р.М. Кессених; утв. ВАК 6 мая 1961). Затем Л. по совету В.А. Преснова переключилась на материаловедение полупроводников, занявшись газофазовой эпитаксией (ГФЭ) полупроводников А3В5. В лаб. полупроводников СФТИ под руководством Л. была создана группа из выпускников радиофиз. и физ. ф-тов ТГУ (М.Д. Вилисова, И.К. Ковалев, Ю.Г. Катаев, В.А. Московкин и др). Впервые в СССР в СФТИ в 1961 были получены пленки арсенида галлия газофазовым методом (совм. с В.А. Пресновым, М.Д. Вилисовой), изготовлены первые туннельные диоды на этих пленках. Для развития работ по эпитаксии полупроводников в СФТИ на базе двух науч. групп (эпитаксии и структурных методов, руководители Л. и М.П. Якубеня) в 1973 была сформирована, а в 1974 официально открыта в рамках отдела физики полупроводников лаб. эпитаксиальных структур (руководитель Л). В последующие годы лаб. была оснащена аппаратурой для проведения ГФЭ, изучения структуры (электронные микроскопы, электронограф, рентгеновский дифрактометр) и свойств полупроводников. Были проведены исследования кинетики кристаллизации и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников, получаемых методом ГФЭ, выполнено физ. моделирование этих процессов. Для полупроводников А3В5 (арсенид галлия, арсенид индия) установлены зависимости скорости роста и скорости захвата примеси от кристаллографических индексов поверхности кристалла, исследованы зависимости кинетики роста и кинетики захвата примеси от основных параметров процесса ГФЭ: типа транспортного вещества (иод, хлор), его концентрации и температуры кристаллизации, получены данные о влиянии электрического поля на эпитаксиальный рост пленок арсенида галлия. Выявлены основные закономерности образования переходных слоев на границе пленки с подложкой и роль структуры подложки в формировании специфических дефектов роста (центров торможения ст. роста). Получены приоритетные результаты по закономерностям формирования сложных точечных дефектов (примесно-вакансионных комплексов) в условиях ГФЭ. Разработаны физ. модели и проведены расчеты термодинамики адсорбции и комплексообразования, кинетики роста и легирования применительно к газофазовой эпитаксии сложных полупроводников.

6 мая 1982 в спец. совете Ин-та физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск) Л. защитила дис. «Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии (на примере арсенида галлия)» на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук (офиц. оппоненты д-ра физ.-мат. наук А.Ф. Кравченко и С.А. Семилетов, д-р техн. наук Ю.Д. Чистяков; утв. ВАК 17 июня 1983). Результаты исследований Л. были использованы при отработке технологий производства материалов и приборов электроники. С нач. 90-х под руководством Л. изучались эпитаксиальные слои арсенида галлия, получаемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах (LT-GaAs). Работа выполнялась сотр. трех коллективов (СФТИ, ИФП СО РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе) при фин. поддержке различных программ и грантов. В результате выяснено, что монокристаллические слои LT-GaAs содержат аномально высокую концентрацию избыточного мышьяка, формирующего при отжиге преципитаты (кластеры) нанометровых размеров, которые существенно изменяют свойства материала. Такой материал представляет практ. интерес для СВЧ-приборов спец. назначения.

Под руководством Л. в ТГУ сформировались науч. направление «Физ. основы газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5» и науч. школа.

Она подготовила 10 канд. наук. Защитили докт. дис. ее ученики И.С. Захаров (в н. в. ректор Курского техн. ун-та, засл. деятель науки, организатор и гл. ред. всерос. науч.-техн. ж. «Телекоммуникации») и И.В. Ивонин (в н. в. зав. лаб. эпитаксиальных структур отдела физики полупроводников СФТИ, зав. каф. физики полупроводников физ. ф-та ТГУ).

Принимала участие в работе многих междунар., всесоюзн. и рос. науч. конф. и совещ. Входила в состав оргкомитета Всерос. науч. конф. по арсениду галлия (Томск, 1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999, 2002).

Автор более 250 работ, 5 учеб. пособий и метод. разработок, получила 3 авт. свидетельства.

Премия ТГУ за учеб. пособие «Физ. явления в полупроводниках» (1998). С 2001 Л. - чл. докт. дис. совета (физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ. До 2001 входила в состав канд. дис. совета в ТГУ. Являлась чл. науч. совета АН СССР «Физ.-хим. основы полупроводникового материаловедения», совета АН СССР по росту кристаллов, науч.-метод. совета УМО Минвуза РФ по образованию в обл. авиации, ракетостроения, космоса и др. С 1997 - чл. Науч. совета РАН «Физ.-хим. основы материаловедения полупроводников». Чл. редколлегии ж. «Изв. вузов. Физика» (1982-1991). С 1997 - чл. редколлегии ж. «Изв. вузов. Материалы электронной техники» (Москва). Награждена нагрудными знаками «За отличные успехи в работе» Минвуза СССР (1978), «Почетный работник высшего профес. образования РФ» (1998), медалью «За заслуги перед Том. гос. ун-том» (1998). Чл.-корр. (1996), д. чл. РАЕН (2000). Действ. чл. Азиатско-Тихоокеанской академии материалов (APAM - The Asia-Pacific Academy of Materials, 1997). Депутат Том. городского совета депутатов трудящихся (1971-1980). Избиралась чл. профбюро СФТИ, чл. профбюро ТГУ.

Замужем за Виктором Александровичем Чалдышевым (р. 1929). Он окончил физ. ф-т ТГУ, канд. физ.-мат. наук, доц., более 30 лет заведовал лаб. теорет. физики СФТИ, в н. в. доц. каф. физики полупроводников физ. ф-та ТГУ, ветеран труда. Их дети: Наталья Чалдышева (р. 1953), окончила радиофиз. ф-т ТГУ, работала в СФТИ, в н. в. техн. директор фирмы «Поиск»; Владимир Чалдышев (р. 1958), окончил физ.-мех. ф-т Ленинградского политехн. ин-та (ныне С.-Петербургский техн. ун-т), д-р физ.-мат. наук, в н. в. ведущий науч. сотр. ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Награды: медали «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина» (1970), «Ветеран труда» (1984).

Совм. с И.С. Захаровым, Ю.М. Румянцевым. Зависимость скорости роста и уровня легирования эпитаксиального германия от ориентации подложки // Кристаллография. 1970. Т. 15, № 4; Совм. с Л.П. Пороховниченко, И.В. Ивониным, Л.М. Красильниковой. Зарождение дефектов при эпитаксии арсенида галлия // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, 1973; Совм. с М.Д. Вилисовой. Переходные слои в автоэпитаксиальных структурах // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. 1975. № 2, вып. 1; Совм. с I.V. Ivonin, L.M. Krasilnikova, M.D. Vilisova. Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films // Kristall und Technik, 1980. Vol. 15, № 6; Фоновые примеси и локальные неоднородности в слоях арсенида галлия, полученных газофазовой эпитаксией // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Новосибирск, 1981; Захват примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10; Совм. с И.А. Бобровниковой, С.Е. Тороповым. Комплексообразование при газофазовой эпитаксии арсенида галлия, легированного теллуром // Там же. 1986. № 5; Совм. с М.Д. Вилисовой. Образование центров с глубокими уровнями при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Там же; Совм. с М.П. Рузайкиным, А.Б. Свечниковым. Расчет энергии адсорбции атомов H и Cl на реконструированной грани (2х1)(100) кремния // Поверхность. 1988. № 11; Совм. с М.Д. Вилисовой, В.В. Преображенским, В.В. Чалдышевым. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев // Изв. вузов. Физика. 2002. №8.

Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 28. Д. 3; Оп. 65. Д. 64; Эпиктетова Л. Началось со взрывов // За сов. науку. 1970. 8 янв.; Развитие физ. наук в Том. ун-те: Сб. ст. / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981; Александрова Н. Мне везло в жизни на хороших людей // Alma Mater. 1997. 7 марта; Том. гос. ун-т: Ежегодник-2001 / Под ред. Г.В. Майера. Томск, 2002.