| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Ignatenko (обсуждение | вклад) (→Труды) |
|||
| Строка 6: | Строка 6: | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Роспись = | |Роспись = | ||
| − | |Дата рождения = [[Январь в истории Томского университета|23 января]] [[1948 год в истории Томского университета|1948]] | + | |Дата рождения = [[Январь в истории Томского университета|23 января]] [[1948 год в истории Томского университета|1948]] г. |
|Место рождения = село Харанор Борзинского района Читинской области | |Место рождения = село Харанор Борзинского района Читинской области | ||
|Дата смерти = | |Дата смерти = | ||
|Место смерти = | |Место смерти = | ||
|Гражданство = | |Гражданство = | ||
| − | |Научная сфера = | + | |Научная сфера = радиофизика |
|Научная школа = | |Научная школа = | ||
| − | |Период работы в Томском университете = с 2004 | + | |Период работы в Томском университете = с 2004 г. |
| − | |Место работы в Томском университете = | + | |Место работы в Томском университете = кафедра полупроводниковой электроники радиофизического факультета |
| − | |Учёная степень = | + | |Учёная степень = [[:Категория: Доктора технических наук|доктор технических наук]] |
| − | |Учёное звание = | + | |Учёное звание = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] |
|Альма-матер = Новосибирский электротехнический институт | |Альма-матер = Новосибирский электротехнический институт | ||
| − | |Научный руководитель = | + | |Научный руководитель = [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]] |
| − | |Знаменитые ученики = | + | |Знаменитые ученики = М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко |
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
| − | '''АЙЗЕНШТАТ Геннадий Исаакович''' (р. [[Январь в истории Томского университета|23 января]] [[1948 год в истории Томского университета|1948]], село Харанор Борзинского района Читинской области) – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] | + | '''АЙЗЕНШТАТ Геннадий Исаакович''' (р. [[Январь в истории Томского университета|23 января]] [[1948 год в истории Томского университета|1948]], село Харанор Борзинского района Читинской области) – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. |
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
Отец Г.И. Айзенштата, Исаак Моисеевич (1924–2009), участник Великой Отечественной войны, служил в Советской армии, полковник, награжден орденами и медалями. Мать, Фаина Исаевна (1924–2010), работала бухгалтером. | Отец Г.И. Айзенштата, Исаак Моисеевич (1924–2009), участник Великой Отечественной войны, служил в Советской армии, полковник, награжден орденами и медалями. Мать, Фаина Исаевна (1924–2010), работала бухгалтером. | ||
| + | |||
Г.И. Айзенштат женат на Людмиле Михайловне (дев. Прокопьева, р. 1948). Их сын Дмитрий (р. 1990) – окончил ТПУ, аспирант ТПУ, стипендиат Госкорпорации «РОСАТОМ», фонда «Династия», проекта «Лифт в будущее», губернатора Томской области, лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры. Стажировался в Техасском университете (США) и Миланском университете (Италия). | Г.И. Айзенштат женат на Людмиле Михайловне (дев. Прокопьева, р. 1948). Их сын Дмитрий (р. 1990) – окончил ТПУ, аспирант ТПУ, стипендиат Госкорпорации «РОСАТОМ», фонда «Династия», проекта «Лифт в будущее», губернатора Томской области, лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры. Стажировался в Техасском университете (США) и Миланском университете (Италия). | ||
| Строка 32: | Строка 33: | ||
=='''Работа в НИИПП и Томском государственном университете'''== | =='''Работа в НИИПП и Томском государственном университете'''== | ||
| − | С 1970 г. – инженер, с 1974 г. – старший инженер, с 1976 г. – ведущий инженер, с 1980 г. – старший научный сотрудник, с 1988 г. – ведущий научный сотрудник, с 2001 г. – начальник лаборатории, с 2011 г. – главный научный сотрудник ОАО НИИПП. В 1984–1988 гг. обучался в заочной аспирантуре при | + | С 1970 г. – инженер, с 1974 г. – старший инженер, с 1976 г. – ведущий инженер, с 1980 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]], с 1988 г. – [[:Категория: Ведущие научные сотрудники Томского университета|ведущий научный сотрудник]], с 2001 г. – начальник лаборатории, с 2011 г. – главный научный сотрудник ОАО НИИПП. В 1984–1988 гг. обучался в заочной аспирантуре при кафедре полупроводниковой электроники [[Томский государственный университет|ТГУ]]. В 1999–2002 гг. – докторант кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры ТУСУР. По совместительству с [[2004 год в истории Томского университета|2004]] г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. |
| + | =='''Преподавательская деятельность'''== | ||
В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читает курс лекций «Технологии микро- и наноэлектроники». | В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читает курс лекций «Технологии микро- и наноэлектроники». | ||
=='''Направления научной деятельности'''== | =='''Направления научной деятельности'''== | ||
[[Файл:Айзенштат.jpg|справа|мини|300px|]] | [[Файл:Айзенштат.jpg|справа|мини|300px|]] | ||
| − | Научная деятельность Г.И. Айзенштата связана главным образом с разработкой приборов на арсениде галлия. В период аспирантской подготовки он занимался исследованием эффектов формирования неустойчивостей при одновременном влиянии захвата носителей на глубокие центры. Исследования позволили существенно расширить представление о физике процессов при взаимодействии неустойчивостей, а также получить результаты, связанные с разработками в обл. технологии и конструирования приборов. На базе этого созданы принципиально новые сверхбыстродействующие функциональные приборы, работающие на эффекте поперечного распространения эффекта Ганна. Среди них: сверхбыстродействующие нейристоры, ячейки памяти, многофункциональные элементы, одновременно выполняющие логические функции «И», ИЛИ», «ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ». В [[1988 год в истории Томского университета|1988]] г. в специализированном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] защитил диссертацию «Особенности доменной неустойчивости в функциональных приборах Ганна» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]], кандидат физико-математических наук В.Г. Милев; утвержден ВАК [[1988 год в истории Томского университета|1988]]). В последующий период им были проведены систематические исследования физико-технологических проблем разработки приборов на полуизолирующем арсениде галлия – приборов с геометрически сложными конфигурациями, в которых отрицательная дифференциальная проводимость создаётся несколькими механизмами. Разработанные Г.И. Айзенштатом новые приборные структуры основаны на изученных закономерностях. Предложены и реализованы технологические методы создания таких приборов. Так, впервые на эпитаксиальном арсениде галлия, компенсированном хромом, разработаны рентгеновские детекторы на 256 каналов для маммографических аппаратов с шагом 110 мкм, имеющие высокое пространственное разрешение и позволяющие достичь предельно малых доз облучения при скрининге пациентов. В 2004 г. в диссертационном совете при ТПУ защитил диссертацию «Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия» на соискание ученой степени доктора технических наук (научный консультант профессор [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук П.А. Бородовский, профессора С.В. Смирнов, А.П. Коханенко; утвержден ВАК в 2005). | + | Научная деятельность Г.И. Айзенштата связана главным образом с разработкой приборов на арсениде галлия. В период аспирантской подготовки он занимался исследованием эффектов формирования неустойчивостей при одновременном влиянии захвата носителей на глубокие центры. Исследования позволили существенно расширить представление о физике процессов при взаимодействии неустойчивостей, а также получить результаты, связанные с разработками в обл. технологии и конструирования приборов. На базе этого созданы принципиально новые сверхбыстродействующие функциональные приборы, работающие на эффекте поперечного распространения эффекта Ганна. Среди них: сверхбыстродействующие нейристоры, ячейки памяти, многофункциональные элементы, одновременно выполняющие логические функции «И», ИЛИ», «ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ». |
| + | |||
| + | В [[1988 год в истории Томского университета|1988]] г. в специализированном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Особенности доменной неустойчивости в функциональных приборах Ганна» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]], [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]]; официальные оппоненты [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]], [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]], кандидат физико-математических наук В.Г. Милев; утвержден ВАК [[1988 год в истории Томского университета|1988]]). | ||
| + | В последующий период им были проведены систематические исследования физико-технологических проблем разработки приборов на полуизолирующем арсениде галлия – приборов с геометрически сложными конфигурациями, в которых отрицательная дифференциальная проводимость создаётся несколькими механизмами. Разработанные Г.И. Айзенштатом новые приборные структуры основаны на изученных закономерностях. Предложены и реализованы технологические методы создания таких приборов. Так, впервые на эпитаксиальном арсениде галлия, компенсированном хромом, разработаны рентгеновские детекторы на 256 каналов для маммографических аппаратов с шагом 110 мкм, имеющие высокое пространственное разрешение и позволяющие достичь предельно малых доз облучения при скрининге пациентов. В 2004 г. в диссертационном совете при ТПУ защитил диссертацию «Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия» на соискание ученой степени доктора технических наук (научный консультант профессор [[Толбанов, Олег Петрович|О.П. Толбанов]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук П.А. Бородовский, профессора С.В. Смирнов, А.П. Коханенко; утвержден ВАК в 2005). | ||
| + | |||
| + | В настоящее время научная деятельность Г.И. Айзенштата связана с разработкой новой элементной базы для создания СВЧ-модулей специального назначения, в том числе для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР) последнего поколения. Актуальность проводимых им исследований объясняется тем, что без решения вопросов разработки и освоения новой элементной базы немыслимо создание перспективных, эффективных и конкурентоспособных образцов военной техники. На основе гетероструктурных СВЧ-pin-диодов им разработаны монолитные интегральные схемы широкополосных защитных устройств, СВЧ-коммутаторов мощности C- и X-диапазонов с оригинальными конструкторскими и технологическими решениями. | ||
| + | |||
| + | Под руководством Г.И. Айзенштата на предприятии развивается новое направление по разработке монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных активных элементов (PHEMT и MHEMT транзисторов и СВЧ-pin-диодов). Разработан и внедрен в производство гетероструктурный малошумящий pHEMT транзистор Х-диапазона АП399А-5. | ||
| − | + | Г.И. Айзенштат является автором более 140 работ. Имеет более 50 авторских свидетельств и патентов. Подготовил 2 кандидатов наук (М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко). Г.И. Айзенштат регулярно участвует в работе ежегодной международной Крымской конференции («КрыМиКо», Севастополь) «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», проводимой с 1991 г. | |
=='''Труды'''== | =='''Труды'''== | ||
| Строка 68: | Строка 77: | ||
=='''Источники и литература'''== | =='''Источники и литература'''== | ||
| − | *[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000457526 Профессора Томского университета: биографический словарь (2003–2012) / авт.-сост. С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, М.В. Грибовский и др. Томск: | + | *[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000457526 Профессора Томского университета: биографический словарь (2003–2012) / авт.-сост. [[Фоминых, Сергей Федорович|С.Ф. Фоминых]], С.А. Некрылов, М.В. Грибовский и др. Томск: Издательство [[Томский государственный университет|Томского университета]], 2013. Т. 6: 2003–2012]; |
*Айзенштат Геннадий Исаакович // Томский государственный университет. Радиофизический факультет. Режим доступа: http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/agi.htm (дата обращения: 23.01.2015); | *Айзенштат Геннадий Исаакович // Томский государственный университет. Радиофизический факультет. Режим доступа: http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/agi.htm (дата обращения: 23.01.2015); | ||
*Айзенштат Геннадий Исаакович // Who is who в России. Режим доступа: http://www.whoiswho-verlag.ch/versionnew/russland/verlag/63.php?txt_Language=RU&real_str_PersID=RU04013829&uniqueID=21613890-f871-47f1-b51c-5ab223b6ec7a (дата обращения: 23.01.2015). | *Айзенштат Геннадий Исаакович // Who is who в России. Режим доступа: http://www.whoiswho-verlag.ch/versionnew/russland/verlag/63.php?txt_Language=RU&real_str_PersID=RU04013829&uniqueID=21613890-f871-47f1-b51c-5ab223b6ec7a (дата обращения: 23.01.2015). | ||
| Геннадий Исаакович Айзенштат | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
село Харанор Борзинского района Читинской области |
| Научная сфера: |
радиофизика |
| Период работы в Томском университете : |
с 2004 г. |
| Место работы в Томском университете: |
кафедра полупроводниковой электроники радиофизического факультета |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: |
Новосибирский электротехнический институт |
| Научный руководитель: | |
| Известные ученики: |
М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко |
АЙЗЕНШТАТ Геннадий Исаакович (р. 23 января 1948, село Харанор Борзинского района Читинской области) – профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.
Отец Г.И. Айзенштата, Исаак Моисеевич (1924–2009), участник Великой Отечественной войны, служил в Советской армии, полковник, награжден орденами и медалями. Мать, Фаина Исаевна (1924–2010), работала бухгалтером.
Г.И. Айзенштат женат на Людмиле Михайловне (дев. Прокопьева, р. 1948). Их сын Дмитрий (р. 1990) – окончил ТПУ, аспирант ТПУ, стипендиат Госкорпорации «РОСАТОМ», фонда «Династия», проекта «Лифт в будущее», губернатора Томской области, лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры. Стажировался в Техасском университете (США) и Миланском университете (Италия).
Г.И. Айзенштат обучался в физико-математической школе в Академгородке Новосибирска, где слушал лекции М.А. Лаврентьева и Г.И. Будкера. После окончания школы (1965) поступил на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института (НЭТИ). Дипломную практику проходил в Томском НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП). Окончил институт (1970) по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники», защитив дипломную работу по теме «Новый сверхбыстродействующий нейристор на эффекте Ганна» (научный руководитель ведущий инженер НИИПП В.С. Липин).
С 1970 г. – инженер, с 1974 г. – старший инженер, с 1976 г. – ведущий инженер, с 1980 г. – старший научный сотрудник, с 1988 г. – ведущий научный сотрудник, с 2001 г. – начальник лаборатории, с 2011 г. – главный научный сотрудник ОАО НИИПП. В 1984–1988 гг. обучался в заочной аспирантуре при кафедре полупроводниковой электроники ТГУ. В 1999–2002 гг. – докторант кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры ТУСУР. По совместительству с 2004 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.
В ТГУ читает курс лекций «Технологии микро- и наноэлектроники».
Научная деятельность Г.И. Айзенштата связана главным образом с разработкой приборов на арсениде галлия. В период аспирантской подготовки он занимался исследованием эффектов формирования неустойчивостей при одновременном влиянии захвата носителей на глубокие центры. Исследования позволили существенно расширить представление о физике процессов при взаимодействии неустойчивостей, а также получить результаты, связанные с разработками в обл. технологии и конструирования приборов. На базе этого созданы принципиально новые сверхбыстродействующие функциональные приборы, работающие на эффекте поперечного распространения эффекта Ганна. Среди них: сверхбыстродействующие нейристоры, ячейки памяти, многофункциональные элементы, одновременно выполняющие логические функции «И», ИЛИ», «ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ».
В 1988 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию «Особенности доменной неустойчивости в функциональных приборах Ганна» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор Г.Ф. Караваев, кандидат физико-математических наук В.Г. Милев; утвержден ВАК 1988).
В последующий период им были проведены систематические исследования физико-технологических проблем разработки приборов на полуизолирующем арсениде галлия – приборов с геометрически сложными конфигурациями, в которых отрицательная дифференциальная проводимость создаётся несколькими механизмами. Разработанные Г.И. Айзенштатом новые приборные структуры основаны на изученных закономерностях. Предложены и реализованы технологические методы создания таких приборов. Так, впервые на эпитаксиальном арсениде галлия, компенсированном хромом, разработаны рентгеновские детекторы на 256 каналов для маммографических аппаратов с шагом 110 мкм, имеющие высокое пространственное разрешение и позволяющие достичь предельно малых доз облучения при скрининге пациентов. В 2004 г. в диссертационном совете при ТПУ защитил диссертацию «Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия» на соискание ученой степени доктора технических наук (научный консультант профессор О.П. Толбанов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук П.А. Бородовский, профессора С.В. Смирнов, А.П. Коханенко; утвержден ВАК в 2005).
В настоящее время научная деятельность Г.И. Айзенштата связана с разработкой новой элементной базы для создания СВЧ-модулей специального назначения, в том числе для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР) последнего поколения. Актуальность проводимых им исследований объясняется тем, что без решения вопросов разработки и освоения новой элементной базы немыслимо создание перспективных, эффективных и конкурентоспособных образцов военной техники. На основе гетероструктурных СВЧ-pin-диодов им разработаны монолитные интегральные схемы широкополосных защитных устройств, СВЧ-коммутаторов мощности C- и X-диапазонов с оригинальными конструкторскими и технологическими решениями.
Под руководством Г.И. Айзенштата на предприятии развивается новое направление по разработке монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных активных элементов (PHEMT и MHEMT транзисторов и СВЧ-pin-диодов). Разработан и внедрен в производство гетероструктурный малошумящий pHEMT транзистор Х-диапазона АП399А-5.
Г.И. Айзенштат является автором более 140 работ. Имеет более 50 авторских свидетельств и патентов. Подготовил 2 кандидатов наук (М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко). Г.И. Айзенштат регулярно участвует в работе ежегодной международной Крымской конференции («КрыМиКо», Севастополь) «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», проводимой с 1991 г.
