Версия 16:52, 18 октября 2017

Геннадий Исаакович Айзенштат
Дата рождения:	23 января 1948
Место рождения:	село Харанор Борзинского района Читинской области
Период работы в Томском университете :	с 2004
Место работы в Томском университете:	кафедра полупроводниковой электроники радиофизического факультета
Учёная степень:	Доктор технических наук
Альма-матер:	Новосибирский электротехнический институт

АЙЗЕНШТАТ Геннадий Исаакович (р. 23 января 1948, село Харанор Борзинского района Читинской области) – профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.

Семья

Отец Г.И. Айзенштата, Исаак Моисеевич (1924–2009), участник Великой Отечественной войны, служил в Советской армии, полковник, награжден орденами и медалями. Мать, Фаина Исаевна (1924–2010), работала бухгалтером. Г.И. Айзенштат женат на Людмиле Михайловне (дев. Прокопьева, р. 1948). Их сын Дмитрий (р. 1990) – окончил ТПУ, аспирант ТПУ, стипендиат Госкорпорации «РОСАТОМ», фонда «Династия», проекта «Лифт в будущее», губернатора Томской области, лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры. Стажировался в Техасском университете (США) и Миланском университете (Италия).

Учеба

Г.И. Айзенштат обучался в физико-математической школе в Академгородке Новосибирска, где слушал лекции М.А. Лаврентьева и Г.И. Будкера. После окончания школы (1965) поступил на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института (НЭТИ). Дипломную практику проходил в Томском НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП). Окончил институт (1970) по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники», защитив дипломную работу по теме «Новый сверхбыстродействующий нейристор на эффекте Ганна» (научный руководитель ведущий инженер НИИПП В.С. Липин).

Работа в НИИПП и Томском государственном университете

С 1970 г. – инженер, с 1974 г. – старший инженер, с 1976 г. – ведущий инженер, с 1980 г. – старший научный сотрудник, с 1988 г. – ведущий научный сотрудник, с 2001 г. – начальник лаборатории, с 2011 г. – главный научный сотрудник ОАО НИИПП. В 1984–1988 гг. обучался в заочной аспирантуре при кафедре полупроводниковой электроники ТГУ. В 1999–2002 гг. – докторант кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры ТУСУР. По совместительству с 2004 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.

В ТГУ читает курс лекций «Технологии микро- и наноэлектроники».

Направления научной деятельности

Научная деятельность Г.И. Айзенштата связана главным образом с разработкой приборов на арсениде галлия. В период аспирантской подготовки он занимался исследованием эффектов формирования неустойчивостей при одновременном влиянии захвата носителей на глубокие центры. Исследования позволили существенно расширить представление о физике процессов при взаимодействии неустойчивостей, а также получить результаты, связанные с разработками в обл. технологии и конструирования приборов. На базе этого созданы принципиально новые сверхбыстродействующие функциональные приборы, работающие на эффекте поперечного распространения эффекта Ганна. Среди них: сверхбыстродействующие нейристоры, ячейки памяти, многофункциональные элементы, одновременно выполняющие логические функции «И», ИЛИ», «ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ». В 1988 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию «Особенности доменной неустойчивости в функциональных приборах Ганна» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор Г.Ф. Караваев, кандидат физико-математических наук В.Г. Милев; утвержден ВАК 1988). В последующий период им были проведены систематические исследования физико-технологических проблем разработки приборов на полуизолирующем арсениде галлия – приборов с геометрически сложными конфигурациями, в которых отрицательная дифференциальная проводимость создаётся несколькими механизмами. Разработанные Г.И. Айзенштатом новые приборные структуры основаны на изученных закономерностях. Предложены и реализованы технологические методы создания таких приборов. Так, впервые на эпитаксиальном арсениде галлия, компенсированном хромом, разработаны рентгеновские детекторы на 256 каналов для маммографических аппаратов с шагом 110 мкм, имеющие высокое пространственное разрешение и позволяющие достичь предельно малых доз облучения при скрининге пациентов. В 2004 г. в диссертационном совете при ТПУ защитил диссертацию «Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия» на соискание ученой степени доктора технических наук (научный консультант профессор О.П. Толбанов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук П.А. Бородовский, профессора С.В. Смирнов, А.П. Коханенко; утвержден ВАК в 2005).

В настоящее время научная деятельность Г.И. Айзенштата связана с разработкой новой элементной базы для создания СВЧ-модулей специального назначения, в том числе для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР) последнего поколения. Актуальность проводимых им исследований объясняется тем, что без решения вопросов разработки и освоения новой элементной базы немыслимо создание перспективных, эффективных и конкурентоспособных образцов военной техники. На основе гетероструктурных СВЧ-pin-диодов им разработаны монолитные интегральные схемы широкополосных защитных устройств, СВЧ-коммутаторов мощности C- и X-диапазонов с оригинальными конструкторскими и технологическими решениями. Под руководством Г.И. Айзенштата на предприятии развивается новое направление по разработке монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных активных элементов (PHEMT и MHEMT транзисторов и СВЧ-pin-диодов). Разработан и внедрен в производство гетероструктурный малошумящий pHEMT транзистор Х-диапазона АП399А-5. Автор более 140 работ. Имеет более 50 авторских свидетельств и патентов. Подготовил 2 кандидатов наук (М.А. Лелеков, А.Ю. Ющенко). Г.И. Айзенштат регулярно участвует в работе ежегодной международной Крымской конференции («КрыМиКо», Севастополь) «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», проводимой с 1991 г.

Труды

• Совместно с В.Н. Донцовым. Формирователь пикосекундных импульсов на диоде Ганна // Приборы и техника эксперимента. 1980. № 4;
• Скорость поперечного распространения домена в двумерном приборе Ганна // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32, № 12;
• Эффекты захвата в планарных приборах Ганна и полевых транзисторах // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1988. Вып. 2 (193);
• Совместно с V.G. Kanaev, A.V. Khan et al. Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2000. A448;
• Совместно V.G. Kanaev, A.V. Khan et al. GaAs X-ray coordinate detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2001. A466;
• Совместно с D.L. Budnitsky, O.B. Koretskaya et al. GaAs resistor structures for X-ray imaging detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2002. A487;
• Совместно с D.L. Budnitsky, O.B. Koretskaya et al. GaAs as a material for particle detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2002. A494;
• Совместно с O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. Modeling of processes of charge separation in GaAs detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2002. A494;
• Совместно с E.A. Babichev, S.E. Baru, et al. GaAs detectors for medical imaging // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2003. Vol. A509;
• Совместно с M.V. Bimatov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. Charge collection in X-ray pixel detectors based on SI-GaAs doped with Cr // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2003. A509;
• Совместно с В.П. Гермогеновым, С.М. Гущиным, О.П. Толбановым, О.Г. Шмаковым. Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. (Посмотреть на сайте журнала "Вестник Томского государственного университета". URL: http://journals.tsu.ru/vestnik/&journal_page=archive&id=788&article_id=0).
• Совместно с V.P. Germogenov, S.M. Guschin et al. X-ray and Y-ray detectors based on GaAs epitaxial structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2004. A531/1-2;
• Совместно с М.А. Лелековым, В.А. Новиковым, Л.С. Окаевич, О.П. Толбановым. Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, вып. 5;
• Совместно с М.А. Лелековым, О.П. Толбановым. Динамика формирования фотоответа в детекторной структуре из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, вып. 4;
• Совместно с V.G. Bozhkov, A.Yu. Yushchenko. Measurement of the electron saturation velocity in an AlGaAs/InGaAs quantum well // Russian Physics J. 2010. Vol. 53, № 9;
• Совместно с A.Y. Yushenko, S.M. Gushchin, D.V. Dmitriev, K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov. Recombination of Charge Carriers in the GaAs_Based p-i-n Diode // SEMICONDUCTORS. 2010. Vol. 44, № 10.
• Совместно с А.Ю. Ющенко, В.Г. Божковым, А.И. Иващенко. PHEMT-технология создания монолитных интегральных схем КВЧ-диапазона с проектной нормой от 100 нм // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 93-94.
• Совместно с А.Ю. Ющенко, В.Г. Божковым, А.И. Иващенко. Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 140-141.
• Совместно с А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастыревым и др. Монолитная интегральная схема мощного переключателя прием – передача с защитой приемного канала для Х-диапазона частот на основе pin-диодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 9/2. С. 287-289.
• Совместно с А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастыревым и др. Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 130-132.
• Совместно с А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастыревым, В.Г. Божковым, А.И. Иващенко, А.В. Безрук. Сложнофункциональная СВЧ монолитная интегральная схема на основе GaAs pin-диодов для приемо-передающих модулей АФАР Х-диапазона // Сборник трудов 23 Международной крымской конференции «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь: Вебер.2013.Т. 1;
• Совместно с А.Ю. Ющенко и В.Г. Божковым. Переходные процессы в СВЧ-pin-диодах на арсениде галлия // Известия вузов. Физика. 2014. № 12;
• Совместно с А.Ю. Ющенко. Метод определения амбиполярной диффузионной длины и времени жизни носителей в p-i-n диодах на арсениде галлия // Приборы и техника эксперимента. 2015. № 1.

Источники и литература

• Профессора Томского университета: биографический словарь (2003–2012) / авт.-сост. С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, М.В. Грибовский и др. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. Т. 6: 2003–2012;
• Айзенштат Геннадий Исаакович // Томский государственный университет. Радиофизический факультет. Режим доступа: http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/agi.htm (дата обращения: 23.01.2015);
• Айзенштат Геннадий Исаакович // Who is who в России. Режим доступа: http://www.whoiswho-verlag.ch/versionnew/russland/verlag/63.php?txt_Language=RU&real_str_PersID=RU04013829&uniqueID=21613890-f871-47f1-b51c-5ab223b6ec7a (дата обращения: 23.01.2015).