Версия 02:13, 28 мая 2023

Семья

Отец А.Л. Асеева, Леонид Семенович (1913-1982), из семьи потомственных железнодорожников (дед Александра Леонидовича. по линии отца, Семен Дмитриевич, был машинистом на Восточно.-Сибирской железной дороги, лауреат Сталинской премии. Паровоз, на котором он работал, установлен в качестве памятника на ж.-д. ст. Улан-Удэ, был начальником цеха, парторгом на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе. В 1963-1973 - председатель Бурятского республиканского совета профсоюзов. Был награжден орденами «Трудового Красного знамени», «Знак Почета» (трижды), медалью «За доблестный труд в Великой Отечественной войне», удостоен знака «Почетный железнодорожник». Мать Александра Леонидовича, Клавдия Митрофановна (дев. Овчинникова, 1918-1993), из семьи сибирских старожилов, была фельдшером, воспитала 2 детей (брат А.Л. Асеева, Валерий, 1941-2001, работал на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе). Женат на Вере Николаевне (дев. Близнюк, р. 1947). Она окончила НГУ, кандидат химических наук, работала в Институте неорганической химии СО АН СССР (с 1991 - РАН), в настоящее время на пенсии. Их дочь Ольга (р. 1971) окончила Новосибирский медицинский институт, в настоящее время работает в представительстве фармацевтической фирмы в Москве.

Детство. Студенческие годы.

В период учебы в школе Александр Леонидович увлекался радиотехникой. После окончания средней школы № 3 в Улан-Удэ (1963) он поступил на физический факультет НГУ. В числе его университетских преподавателей А.М. Будкер, И.Ф. Гинзбург, М.И. Каргаполов, А.В. Ржанов, Ю.Б. Румер и др. В летние месяцы в составе стройотрядов работал в Новосибирской и Магаданской области, Красноярском крае, Бурятской и Якутской АССР. Окончил университет в 1968 году, защитив дипломную работу «Дислокационная структура изогнутых кристаллов германия» (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин). В числе увлечений А.Л. Асеева пешие, велосипедные и лыжные прогулки, автомобильные путешествия

От стажера до директора института.

С 1968 - стажер-исследователь, с 1969 - младший, с 1979 - старший научный сотрудник, с 1985 - заведующий лабораторией, с 1993 - заведующий отделом, с 1994 – исполняющий обязанности заместителя директора по научной работе, с 1997 - исполняющий обязанности директора, с 1998 - директор Института физики полупроводников СО РАН. По совместительству с 1 сент. 2002 – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «Физика твердого тела» присвоено решением президиума АН СССР 7 марта 1985.

Направления научной деятельности

Область его научных интересов - физика полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности, физика и технология твердотельных микро- и наноструктур. С помощью методов электронной микроскопии атомного разрешения им исследованы процессы структурных перестроек на атомно-чистых поверхностях кремния и в границах раздела полупроводниковых структур, определены свойства точечных дефектов в кристаллах кремния и германия в реакциях взаимодействия между собой, поверхностью, атомами примесей и дислокациями. Он исследовал механизмы пластической деформации кристаллов кремния и германия, дислокационные механизмы релаксации упругих напряжений в эпитаксиальных структурах кремний - германий и германий - арсенид галлия. При исследовании процессов формирования кластеров точечных дефектов при облучении кристаллов кремния и германия высокоэнергетическими электронами и при ионной имплантации им введены представления о метастабильных конфигурациях собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Получил принципиально новые данные о нестабильности системы диффузионно-связанных моноатомных ступеней на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов. В настоящее время занимается созданием полупроводниковых микро- и наноструктур и изучением квантовых и одноэлектронных эффектов в них, разработкой нового поколения полупроводниковых устройств микро-, нано- и оптоэлектроники. Основное внимание уделяет реализации предельных возможностей современных методов оптической, электронной и зондовой литографии и диагностике наноструктур прямыми методами с атомным разрешением (просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения, отражательная и сканирующая электронная микроскопия, зондовая микроскопия). Главные результаты данного подхода состоят в упр. атомными процессами при формировании полупроводниковых микро- и наноструктур и получении новых устройств СВЧ-электроники, нано- и одноэлектронных транзисторов, фотоприемников ИК-диапазона, поверхностно-излучающих лазеров, квантовых интерферометров. 11 апр. 1975 в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Л.Н. Александров, кандидат физико-математических наук М.М. Мышляев; утв. ВАК 10 дек. 1975). 30 янв. 1990 в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научные консультанты профессора С.И. Стенин и Л.С. Смирнов; официальные оппоненты член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный, доктора физико-математических наук М.Г. Мильвидский и В.Н. Рожанский; утв. ВАК 3 авг. 1990). При активном участии и под руководством Александра Леонидовича в Институте ведутся работы по материаловедению кремния и структур на его основе для силовой и радиационно-стойкой электроники, солнечной энергетики. Принимал участие в работе большого числа конференций различного уровня, входил в состав организационных и программных комитетов IV, V и VI Российской конференции по физике полупроводников (1999-2003); 9th, 10th and 11th Int. Symposiums «Nanostructures: Physics and Technology» (St. Petersburg, 2001-2003); Autumn Schools on Materials Science and Electron Microscopy (Berlin; Halle, 1997-2002); IX и X Нац. конф. по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002) и многих др. Автор более 150 научных работ. Подготовил 3 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников А.В. Латышев (в настоящее время заведующий лаборатории Института физики полупроводников СО РАН), Л.И. Федина (в настоящее время старший научный сотрудник института). Председатель диссертационного совета (физика конденсированного состояния) и диссертационного совета (физика полупроводников) в Институте физики полупроводников СО РАН. Поддерживает широкие международные научные связи. Начиная с 70-х, несколько раз проводил научные исследования в Институте физики микроструктур в Галле (Германия), в 1993 знакомился с работой Отделения материалов Оксфордского университета (Англия) и Центра ядерных исследований в Гренобле (Франция). В 1996 Асеев Александр Леонидович преподавал на физическом факультете Университета штата Висконсин (США). Входит в состав редколлегий журналов «Crystal Research and Technology» (Берлин, с 1996), «Физика и техника полупроводников» (С.-Петербург, с 2000), «Автометрия» (Новосибирск, с 2000), «Изв. вузов. Материалы электронной техники» (Москва, с 2002). Член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии. Член совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). Член-корреспондент РАН с 2000.

Общественно-политическая деятельность

В 1976-1986 - председатель жилищной комиссии объединенного профсоюзного комитета СО АН СССР.

Награды

Государственные

• орден Категория: Кавалеры ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008);

орден «Полярная Звезда» (Монголия) – 2010 г.

Ведомственные грамоты и благодарности Государственной Думы РФ (2007); грамоты и благодарности Федерального агентства по атомной энергии (2007).

Региональные

• [[:Категория: Награжденные серебряной медалью «В благодарность за вклад в развитие Томского

государственного университета»|Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета»]] (2006);

• [[:Категория: Награжденные золотой медалью «В благодарность за вклад в развитие Томского

государственного университета»|Золотая медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета»]] (№ 1) (2010).

Почетные звания

• Почетный доктор ТГУ (Решение Ученого совета Томского университета от 28 апреля 2010 г., за выдающиеся заслуги перед Томским государственным университетом);

Труды

• Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии». Новосибирск, 1991 (переведена на английский язык и издана издательством Akademie Verlag, Берлин, 1994);
• Совместно с А.В. Латышевым. Моноатомные ступени на поверхности кремния // Успехи физических наук. 1998. Т. 168, № 10;
• Совместно с З.Д. Квоном, Л.В. Литвиным и В.А. Ткаченко. Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и электронной интерференции // Успехи физических наук. 1999. Т. 169, № 4;
• Создание одноэлектронных устройств методом SECO на системе Ti/TiOx // Микроэлектроника. 2000. Т. 29, № 3 (в соавторстве);
• Кулоновская блокада в условиях неупругого туннелирования // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72, вып. 5 (в соавторстве);
• Совместно с L. Fedina, A. Gutakovskii. In situ HREM Irradiation Study of an Intrinsic Point Defects Clustering in FZ-Si // Crystal Research and Technology. 2000. Vol. 35, № 6-7;
• Совместно с A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko. UHV-REM study of gold adsorption on the Si (111) surface // Thin Solid Films. 2000 Vol. 367;
• Совместно с L. Fedina, A. Gutakovskii. FZ-Si crystal growth and HREM study of new types of extended defects during in situ electron irradiation // J. of Crystal Growth. 2001. Vol. 229;
• Совместно с А.В. Латышевым, С.С. Косолобовым. In situ ОЭМ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 9;
• 20-nm resolution of electron lithography for the nano-devices on ultrathin SOI film // Materials Science and Engineering. 2002. Vol. C19 (в соавт.);

Nanotechnologies in Semiconductor Electronics // Proceedings of SPIE. 2002. Vol. 4900 (в соавт.);

• Совместно с В.П. Поповым, В.П. Володиным, В.Н. Марютиным. Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике // Микросистемная техника. 2002. № 9;
• Peculiarities of Nanooxidation on Flat Surfaces // Physics of Low-Dimensional Structures. 2002. Vol. 5/6 (в соавторстве).

Источники и литература

• Новосибирский истеблишмент: Город в лицах. Новосибирск, 2002.