Текущая версия на 21:44, 5 июня 2023

Александр Леонидович Асеев
Дата рождения:	24 сентября 1946 г.
Место рождения:	Улан-Удэ, Республика Бурятия
Страна:	Российская Федерация
Научная сфера:	физика
Период работы в Томском университете :	с 26 июня 1957 г.
Место работы в Томском университете:	кафедра физики полупроводников
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	Новосибирский Государственный Университет
Научный руководитель:	С.И. Стенин
Известные ученики:	А.В. Латышев, Л.И. Федина
Награды и премии:	Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008); Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (2006); Золотая медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (№ 1) (2010)

Семья

Отец А.Л. Асеева, Леонид Семенович (1913-1982), из семьи потомственных железнодорожников. Дедушка Александра Леонидовича по линии отца, Семен Дмитриевич, был машинистом на Восточно-Сибирской железной дороги, лауреат Сталинской премии. Паровоз, на котором он работал, установлен в качестве памятника на железно-дорожной станции Улан-Удэ, был начальником цеха, парторгом на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе. В 1963-1973 гг. – председатель Бурятского республиканского совета профсоюзов. Был награжден орденами «Трудового Красного знамени», «Знак Почета» (трижды), медалью «За доблестный труд в Великой Отечественной войне», удостоен знака «Почетный железнодорожник». Мать Александра Леонидовича, Клавдия Митрофановна (девичья Овчинникова, 1918-1993), из семьи сибирских старожилов, была фельдшером, воспитала 2 детей (брат А.Л. Асеева, Валерий, 1941-2001, работал на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе).

Женат на Вере Николаевне (девичья Близнюк, 1947). Она окончила НГУ, кандидат химических наук, работала в Институте неорганической химии СО АН СССР (с 1991 г. – РАН), в настоящее время на пенсии. Их дочь Ольга (1971) окончила Новосибирский медицинский институт, работает в представительстве фармацевтической фирмы в Москве.

Детство. Студенческие годы.

В период учебы в школе Александр Леонидович увлекался радиотехникой. После окончания средней школы № 3 в Улан-Удэ (1963) он поступил на физический факультет НГУ. В числе его университетских преподавателей А.М. Будкер, И.Ф. Гинзбург, М.И. Каргаполов, А.В. Ржанов, Ю.Б. Румер и др. В летние месяцы в составе стройотрядов работал в Новосибирской и Магаданской области, Красноярском крае, Бурятской и Якутской АССР. Окончил университет в 1968 году, защитив дипломную работу «Дислокационная структура изогнутых кристаллов германия» (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С 1968 г. – стажер-исследователь, с 1969 г. – младший, с 1979 г. – старший научный сотрудник, с 1985 г. – заведующий лабораторией, с 1993 г. – заведующий отделом, с 1994 г. – исполняющий обязанности заместителя директора по научной работе, с 1997 г. – исполняющий обязанности директора, с 1998 г. – директор Института физики полупроводников СО РАН. По совместительству с 1 сентября 2002 г. – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «Физика твердого тела» присвоено решением президиума АН СССР 7 марта 1985 г.

Направления научной деятельности

Область научных интересов А.Л. Асеева – физика полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности, физика и технология твердотельных микро- и наноструктур. С помощью методов электронной микроскопии атомного разрешения им исследованы процессы структурных перестроек на атомно-чистых поверхностях кремния и в границах раздела полупроводниковых структур, определены свойства точечных дефектов в кристаллах кремния и германия в реакциях взаимодействия между собой, поверхностью, атомами примесей и дислокациями. Он исследовал механизмы пластической деформации кристаллов кремния и германия, дислокационные механизмы релаксации упругих напряжений в эпитаксиальных структурах кремний - германий и германий - арсенид галлия. При исследовании процессов формирования кластеров точечных дефектов при облучении кристаллов кремния и германия высокоэнергетическими электронами и при ионной имплантации им введены представления о метастабильных конфигурациях собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Получил принципиально новые данные о нестабильности системы диффузионно-связанных моноатомных ступеней на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов.

В настоящее время занимается созданием полупроводниковых микро- и наноструктур и изучением квантовых и одноэлектронных эффектов в них, разработкой нового поколения полупроводниковых устройств микро-, нано- и оптоэлектроники. Основное внимание уделяет реализации предельных возможностей современных методов оптической, электронной и зондовой литографии и диагностике наноструктур прямыми методами с атомным разрешением (просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения, отражательная и сканирующая электронная микроскопия, зондовая микроскопия). Главные результаты данного подхода состоят в упр. атомными процессами при формировании полупроводниковых микро- и наноструктур и получении новых устройств СВЧ-электроники, нано- и одноэлектронных транзисторов, фотоприемников ИК-диапазона, поверхностно-излучающих лазеров, квантовых интерферометров.

11 апреля 1975 г. в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат технических наук С.И. Стенин; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Л.Н. Александров, кандидат физико-математических наук М.М. Мышляев; утвержден ВАК 10 декабря 1975 г.).

30 января 1990 г. в совете Института физики полупроводников защитил диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научные консультанты профессора С.И. Стенин и Л.С. Смирнов; официальные оппоненты член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный, доктора физико-математических наук М.Г. Мильвидский и В.Н. Рожанский; утвержден ВАК 3 августа 1990 г.).

При активном участии и под руководством Александра Леонидовича в Институте ведутся работы по материаловедению кремния и структур на его основе для силовой и радиационно-стойкой электроники, солнечной энергетики.

Александр Леонидович – представитель научных школ академика А.В. Ржанова, профессоров С.И. Стенина и Л.С. Смирнова.

Автор более 150 научных работ.

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Принимал участие в работе большого числа конференций различного уровня, входил в состав организационных и программных комитетов IV, V и VI Российской конференции по физике полупроводников (1999-2003); 9th, 10th and 11th Int. Symposiums «Nanostructures: Physics and Technology» (St. Petersburg, 2001-2003); Autumn Schools on Materials Science and Electron Microscopy (Berlin; Halle, 1997-2002); IX и X Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002) и многих др.

Поддерживает широкие международные научные связи. Начиная с 70-х, несколько раз проводил научные исследования в Институте физики микроструктур в Галле (Германия), в 1993 г. знакомился с работой Отделения материалов Оксфордского университета (Англия) и Центра ядерных исследований в Гренобле (Франция). В 1996 г. Асеев Александр Леонидович преподавал на физическом факультете Университета штата Висконсин (США).

Входит в состав редколлегий журналов «Crystal Research and Technology» (Берлин, с 1996), «Физика и техника полупроводников» (Санкт-Петербург, с 2000), «Автометрия» (Новосибирск, с 2000), «Известия вузов. Материалы электронной техники» (Москва, с 2002).

Член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии. Член совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). Член-корреспондент РАН с 2000.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 3 кандидатов и 1 доктора наук. Среди его учеников А.В. Латышев (в настоящее время заведующий лаборатории Института физики полупроводников СО РАН), Л.И. Федина (в настоящее время старший научный сотрудник института).

Научно-организационная и экспертная деятельность

Председатель диссертационного совета (физика конденсированного состояния) и диссертационного совета (физика полупроводников) в Институте физики полупроводников СО РАН.

Общественно-политическая деятельность

В 1976-1986 - председатель жилищной комиссии объединенного профсоюзного комитета СО АН СССР.

Увлечения

В числе увлечений А.Л. Асеева пешие, велосипедные и лыжные прогулки, автомобильные путешествия.

Награды и премии

• Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008);
• Орден «Полярная Звезда» (Монголия) (2010)
• Грамоты и благодарности Государственной Думы РФ (2007);
• Грамоты и благодарности Федерального агентства по атомной энергии (2007).
• Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (2006);
• Золотая медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (№ 1) (2010);
• Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени за большой вклад в развитие науки, образования, подготовку квалифицированных специалистов (2017);

Почетные звания

• Почетный доктор ТГУ (Решение Ученого совета Томского университета от 28 апреля 2010 г. за выдающиеся заслуги перед Томским государственным университетом);
• Почётный профессор Бурятского государственного университета (2010);
• Иностранный член Национальной академии наук Беларуси (2014).

Труды

• Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии». Новосибирск, 1991 (переведена на английский язык и издана издательством Akademie Verlag, Берлин, 1994);
• Совместно с А.В. Латышевым. Моноатомные ступени на поверхности кремния // Успехи физических наук. 1998. Т. 168, № 10;
• Совместно с З.Д. Квоном, Л.В. Литвиным и В.А. Ткаченко. Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и электронной интерференции // Успехи физических наук. 1999. Т. 169, № 4;
• Создание одноэлектронных устройств методом SECO на системе Ti/TiOx // Микроэлектроника. 2000. Т. 29, № 3 (в соавторстве);
• Кулоновская блокада в условиях неупругого туннелирования // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2000. Т. 72, вып. 5 (в соавторстве);
• Совместно с L. Fedina, A. Gutakovskii. In situ HREM Irradiation Study of an Intrinsic Point Defects Clustering in FZ-Si // Crystal Research and Technology. 2000. Vol. 35, № 6-7;
• Совместно с A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko. UHV-REM study of gold adsorption on the Si (111) surface // Thin Solid Films. 2000 Vol. 367;
• Совместно с L. Fedina, A. Gutakovskii. FZ-Si crystal growth and HREM study of new types of extended defects during in situ electron irradiation // Journal of Crystal Growth. 2001. Vol. 229;
• Совместно с А.В. Латышевым, С.С. Косолобовым. In situ ОЭМ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 9;
• 20-nm resolution of electron lithography for the nano-devices on ultrathin SOI film // Materials Science and Engineering. 2002. Vol. C19 (в соавторстве);
• Nanotechnologies in Semiconductor Electronics // Proceedings of SPIE. 2002. Vol. 4900 (в соавторстве);
• Совместно с В.П. Поповым, В.П. Володиным, В.Н. Марютиным. Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике // Микросистемная техника. 2002. № 9;
• Peculiarities of Nanooxidation on Flat Surfaces // Physics of Low-Dimensional Structures. 2002. Vol. 5/6 (в соавторстве).

Источники и литература

• Новосибирский истеблишмент: Город в лицах. Новосибирск, 2002.