| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Rixalos (обсуждение | вклад) |
|||
| Строка 13: | Строка 13: | ||
|Научная сфера = физика | |Научная сфера = физика | ||
|Научная школа = | |Научная школа = | ||
| − | |Период работы в Томском университете = с 1973 | + | |Период работы в Томском университете = с 1973 г. |
| − | |Место работы в Томском университете = СФТИ; кафедра полупроводниковой электроники | + | |Место работы в Томском университете = [[СФТИ, Сергей Иванович|СФТИ]]; кафедра полупроводниковой электроники |
| − | |Учёная степень = доктор физико-математических наук | + | |Учёная степень = [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]] |
| − | |Учёное звание = доцент | + | |Учёное звание = [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] |
|Альма-матер = [[Томский государственный университет]] | |Альма-матер = [[Томский государственный университет]] | ||
|Научный руководитель = [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]] | |Научный руководитель = [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]] | ||
|Знаменитые ученики = | |Знаменитые ученики = | ||
| − | |Награды и премии = премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976) | + | |Награды и премии = [[:Категория: Лауреаты премии Ленинского комсомола|премия Ленинского комсомола]] в составе хоровой капеллы ТГУ ([[1976 год в истории Томского университета|1976]]) |
}} | }} | ||
| − | '''БОРИСЕНКО Сергей Иванович''' ( | + | '''БОРИСЕНКО Сергей Иванович''' (родился [[1 января в истории Томского университета|1]] [[Январь 1951 года в истории Томского университета|января]] [[1951 год в истории Томского университета|1951]], Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. |
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду. | Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду. | ||
| − | С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне | + | |
| + | С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирниковой (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (родилась в 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (родилась 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики. | ||
=='''Студенческие годы'''== | =='''Студенческие годы'''== | ||
| − | После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко | + | После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко [[:Категория: Учились в Томском университете|поступил]] на физический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его университетских [[:Категория: Преподаватели Томского университета|преподавателей]] – [[Большанина, Мария Александровна|М.А. Большанина]], [[Перкальскис, Бениамин (Вениамин) Шепшелевич (Александрович)|В.А. Перкальскис]], Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]], А.Ф. Терпугова, [[Куваев, Михаил Романович|М.Р. Куваев]] и другие. [[:Категория: Выпускники Физического факультета Томского университета|Окончил университет]] (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]] [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]]). |
=='''Работа'''== | =='''Работа'''== | ||
| − | С | + | С 1973 г. – [[:Категория: Младшие научные сотрудники Томского университета|младший научный сотрудник]], в 1986–2004 гг. – [[:Категория: Научные сотрудники Томского университета|научный сотрудник]] лаборатории теоретической физики [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]] при [[Томский государственный университет|ТГУ]]. |
| − | Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в | + | |
| + | Одновременно с 1992 г. – [[:Категория: Старшие преподаватели Томского университета|старший преподаватель]], с 2000 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] кафедры полупроводниковой электроники [[Томский государственный университет|ТГУ]]. | ||
| + | |||
| + | С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ. | ||
| + | |||
| + | По совместительству с [[2005 год в истории Томского университета|2005]] г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники. | ||
| + | |||
| + | Ученое звание [[:Категория: Доценты Томского университета|доцента]] по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Вел лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника». | ||
=='''Направления научной деятельности'''== | =='''Направления научной деятельности'''== | ||
Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваева]] построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон. | Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваева]] построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон. | ||
| − | В [[1986 год в истории Томского университета|1986]] г. в специализированном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в [[1987 год в истории Томского университета|1987]]). | + | В [[1986 год в истории Томского университета|1986]] г. в специализированном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] С.И. Борисенко [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в [[1987 год в истории Томского университета|1987]]). |
| − | В [[2004 год в истории Томского университета|2004]] г. в диссертационном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]]; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в [[2005 год в истории Томского университета|2005]]). | + | В [[2004 год в истории Томского университета|2004]] г. в диссертационном совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] С.И. Борисенко [[:Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктора физико-математических наук]] (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]]; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в [[2005 год в истории Томского университета|2005]]). |
В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010). | В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010). | ||
=='''Награды'''== | =='''Награды'''== | ||
| + | |||
'''Ведомственные''' | '''Ведомственные''' | ||
| − | * | + | *Почетная грамота Минобрнауки РФ (2011). |
=='''Премии'''== | =='''Премии'''== | ||
| + | |||
'''Государственные''' | '''Государственные''' | ||
| − | * | + | *[[:Категория: Лауреаты премии Ленинского комсомола|Премия Ленинского комсомола]] в составе хоровой капеллы ТГУ ([[1976 год в истории Томского университета|1976]]). |
| + | |||
'''Томского государственного университета''' | '''Томского государственного университета''' | ||
| − | * | + | *[[:Категория: Лауреаты премии Томского государственного университета|Премия ТГУ]] за учебные пособия «Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток» и «Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования» ([[2000 год в истории Томского университета|2000]]). |
=='''Труды'''== | =='''Труды'''== | ||
| Сергей Иванович Борисенко | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Анжеро-Судженск Кемеровской области |
| Научная сфера: |
физика |
| Период работы в Томском университете : |
с 1973 г. |
| Место работы в Томском университете: |
СФТИ; кафедра полупроводниковой электроники |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: | |
| Научный руководитель: | |
| Награды и премии: |
|
БОРИСЕНКО Сергей Иванович (родился 1 января 1951, Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.
Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду.
С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирниковой (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (родилась в 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (родилась 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики.
После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко поступил на физический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей – М.А. Большанина, В.А. Перкальскис, Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, Г.Ф. Караваев, А.Ф. Терпугова, М.Р. Куваев и другие. Окончил университет (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель старший научный сотрудник Г.Ф. Караваев).
С 1973 г. – младший научный сотрудник, в 1986–2004 гг. – научный сотрудник лаборатории теоретической физики СФТИ при ТГУ.
Одновременно с 1992 г. – старший преподаватель, с 2000 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ.
С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ.
По совместительству с 2005 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники.
Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В ТГУ читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Вел лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника».
Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством Г.Ф. Караваева построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон.
В 1986 г. в специализированном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в 1987).
В 2004 г. в диссертационном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в 2005).
В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010).
Ведомственные
Государственные
Томского государственного университета
