[досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Ignatenko (обсуждение | вклад) (→Источники и литература) |
Rixalos (обсуждение | вклад) |
||
Строка 6: | Строка 6: | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Роспись = | |Роспись = | ||
− | |Дата рождения = [[ | + | |Дата рождения = [[1 января в истории Томского университета|1]] [[Январь 1951 года в истории Томского университета|января]] [[1951 год в истории Томского университета|1951]] г. |
|Место рождения = Анжеро-Судженск Кемеровской области | |Место рождения = Анжеро-Судженск Кемеровской области | ||
|Дата смерти = | |Дата смерти = | ||
|Место смерти = | |Место смерти = | ||
|Гражданство = | |Гражданство = | ||
− | |Научная сфера = | + | |Научная сфера = физика |
|Научная школа = | |Научная школа = | ||
|Период работы в Томском университете = с 1973 | |Период работы в Томском университете = с 1973 | ||
− | |Место работы в Томском университете = СФТИ; | + | |Место работы в Томском университете = СФТИ; кафедра полупроводниковой электроники |
− | |Учёная степень = | + | |Учёная степень = доктор физико-математических наук |
− | |Учёное звание = | + | |Учёное звание = доцент |
|Альма-матер = [[Томский государственный университет]] | |Альма-матер = [[Томский государственный университет]] | ||
|Научный руководитель = [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]] | |Научный руководитель = [[Караваев, Геннадий Федорович|Г.Ф. Караваев]] | ||
Строка 22: | Строка 22: | ||
|Награды и премии = премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976) | |Награды и премии = премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976) | ||
}} | }} | ||
− | '''БОРИСЕНКО Сергей Иванович''' (р. [[ | + | '''БОРИСЕНКО Сергей Иванович''' (р. [[1 января в истории Томского университета|1]] [[Январь 1951 года в истории Томского университета|января]] [[1951 год в истории Томского университета|1951]], Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. |
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== |
БОРИСЕНКО Сергей Иванович (р. 1 января 1951, Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.
Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду. С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирникова (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (р. 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (р. 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики.
После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко поступил на физический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей – М.А. Большанина, В.А. Перкальскис, Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, Г.Ф. Караваев, А.Ф. Терпугова, М.Р. Куваев и другие. Окончил университет (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель старший научный сотрудник Г.Ф. Караваев).
С 1973 г. – младший научный сотрудник, в 1986–2004 гг. – научный сотрудник лаборатории теоретической физики СФТИ при ТГУ. Одновременно с 1992 г. – старший преподаватель, с 2000 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ. С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ. По совместительству с 2005 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники. Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В ТГУ читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Ведет лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника».
Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством Г.Ф. Караваева построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон.
В 1986 г. в специализированном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в 1987).
В 2004 г. в диссертационном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в 2005).
В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010).
Ведомственные
Государственные
Томского государственного университета