[досмотренная версия][досмотренная версия]
(Обучение, аспирантура, работа в ТГУ)
Строка 1: Строка 1:
[[Файл:VergunasFI_main.jpg|справа|250px|мини|'''Вергунас Фелициана Игнатьевна''']]
+
{{Персона
 +
|Имя                  =
 +
|Оригинал имени      =
 +
|Фото                = VergunasFI_main.jpg
 +
|Ширина              =
 +
|Подпись              =
 +
|Роспись              =
 +
|Дата рождения        = 15 ([[28 марта в истории Томского университета|28]]) [[Март 1911 года в истории Томского университета|марта]]  [[1911 год в истории Томского университета|1911]] г.
 +
|Место рождения      = [[:Категория: Родившиеся в Томске|Томск]]
 +
|Дата смерти          = [[7 июня в истории Томского университета|7]] [[Июнь 1980 года в истории Томского университета|июня]] [[1980 год в истории Томского университета|1980]] г.
 +
|Место смерти        = Москва
 +
|Гражданство          =
 +
|Научная сфера        =
 +
|Научная школа        =
 +
|Период работы в Томском университете  = март 1935 г. –
 +
|Место работы в Томском университете  = [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]; кафедра общей физики
 +
|Учёная степень      = [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]]
 +
|Учёное звание        = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]]
 +
|Альма-матер          = [[Томский государственный университет]]
 +
|Научный руководитель =
 +
|Знаменитые ученики  =
 +
|Награды и премии    = орден [[:Категория: Кавалеры ордена «Знак Почета»|«Знак Почета»]] ([[1953 год в истории Томского университета|1953]]), медаль «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.» (1946).
 +
}}
 
'''ВЕРГУНАС Фелициана Игнатьевна''' (15 /[[28 марта в истории Томского университета|28/]] [[Март 1911 года в истории Томского университета|марта]]  [[1911 год в истории Томского университета|1911]], [[:Категория: Родившиеся в Томске|Томск]]  – [[7 июня в истории Томского университета|7]] [[Июнь 1980 года в истории Томского университета|июня]] [[1980 год в истории Томского университета|1980]], Москва) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры общей физики [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]].
 
'''ВЕРГУНАС Фелициана Игнатьевна''' (15 /[[28 марта в истории Томского университета|28/]] [[Март 1911 года в истории Томского университета|марта]]  [[1911 год в истории Томского университета|1911]], [[:Категория: Родившиеся в Томске|Томск]]  – [[7 июня в истории Томского университета|7]] [[Июнь 1980 года в истории Томского университета|июня]] [[1980 год в истории Томского университета|1980]], Москва) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры общей физики [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]].
  
 
=='''Семья'''==
 
=='''Семья'''==
Отец Ф.И. Вергунас, Игнатий Казимирович (1875–1947), многие годы работал на железной дороге (станция Томск-II) в качестве проводника и электромонтера. Был членом ВКП(б) с 1924 г. Ее мать, Эмилия Андреевна (1887–1967), занималась домашним хозяйством. Ф.И. Вергунас была замужем за [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьяновым]], профессором [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Их сын, Водопьянов Лев (р. 1931), окончил в 1954 г. МГУ по специальности “Физика”, доктор физико-математических наук, профессор, работал ведущим научным сотрудником Физического института им П.Н. Лебедева РАН.
+
Отец Ф.И. Вергунас, Игнатий Казимирович (1875–1947), многие годы работал на железной дороге (станция Томск-II) в качестве проводника и электромонтера. Был членом ВКП(б) с 1924 г. Ее мать, Эмилия Андреевна (1887–1967), занималась домашним хозяйством. Ф.И. Вергунас была замужем за [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьяновым]], [[:Категория: Профессора Томского университета|профессором]] [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Их сын, Водопьянов Лев (родился в 1931), окончил в 1954 г. МГУ по специальности “Физика”, доктор физико-математических наук, профессор, работал ведущим научным сотрудником Физического института им П.Н. Лебедева РАН.
  
=='''Обучение, аспирантура, работа в ТГУ'''==
+
=='''Томский период деятельности'''==
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора [[Молин, Федор (Теодор Георг Андреас) Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она окончила [[физико-механического отделение]] по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский государтсвенный университет|ТГУ]] она была переведена аспирантом в [[рентгеновскую лабораторию]] [[СФТИ]]. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на [[физико-математическом факультете]]. По окончании аспирантуры с [[Март в истории Томского университета|марта]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]] г. – старший научный сотрудник [[института]]. С [[1931 год в истории Томского университета|1931]] г. – ассистент, с [[Март в истории Томского университета|27 марта]] [[1938 год в истории Томского университета|1938]] г. – доцент [[кафедры общей физики]] (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). С [[Сентябрь в истории Томского университета|1 сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по [[Август в истории Томского университета|30 августа]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. – заведующая кафедрой общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики [[Февраль в истории Томского университета|23 февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С [[1946 год в истории Томского университета|1946]] г. – заведующая [[лабораторией электронных явлений]] [[Сибирский физико-технический факультет|СФТИ]]. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.
+
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и [[:Категория: Учились в Томском университете|поступила]] на физико-математический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди ее учителей были [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Молин, Федор Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она [[:Категория: Выпускники Физико-математического факультета Томского университета|окончила]] физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”.  
 +
 
 +
С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский государтсвенный университет|ТГУ]] она была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на физико-математическом факультете.  
 +
 
 +
По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]] [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. С 1931 г. – [[:Категория: Ассистенты Томского университета|ассистент]], с 27 марта 1938 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.).  
 +
 
 +
С [[1 сентября в истории Томского университета|1]] [[Сентябрь 1956 года в истории Томского университета|сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по 30 августа 1957 г. – [[:Категория: Заведующие кафедрами Томского университета|заведующая кафедрой]] общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] кафедры общей физики [[23 февраля в истории Томского университета|23]] [[Февраль 1957 года в истории Томского университета|февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С 1946 г. – [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|заведующая лабораторией]] электронных явлений [[Сибирский физико-технический факультет|СФТИ]]. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.
  
 
=='''Работа в Горьком и Зеленограде'''==
 
=='''Работа в Горьком и Зеленограде'''==
 
После отъезда из Томска (1957) заведовала кафедрой общей физики радиофизического факультета Горьковского университета. В 1963 г. переехала в Москву, в Электронный центр (Зеленоград), где работала заведующей лабораторией Института микроприборов Министерства электронной промышленности СССР.
 
После отъезда из Томска (1957) заведовала кафедрой общей физики радиофизического факультета Горьковского университета. В 1963 г. переехала в Москву, в Электронный центр (Зеленоград), где работала заведующей лабораторией Института микроприборов Министерства электронной промышленности СССР.
  
=='''Направления научной деятельности'''==
+
=='''Научно-исследовательская деятельность'''==
 
[[Файл:Вергунас1.jpg|thumb|left]]
 
[[Файл:Вергунас1.jpg|thumb|left]]
Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами. [[Май в истории Томского университета|15 мая]] [[1937 год в истории Томского университета|1937]] г. в совете [[Томский государственный университета|ТГУ]] защитила диссертацию “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – профессора [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковский]] и [[Иваненко, Дмитрий Дмитриевич|Д.Д. Иваненко]]) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера – Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах. Во время Великой Отечественной войны она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в [[Сфибирский физико-технический факультет|СФТИ]] еще в 1930-е гг. под руководством профессоров [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковского]] и [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими сотрудниками Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения. В начале 1950-х гг. под ее руководством в [[Сибирский физико-технически факультет|СФТИ]] были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова. В [[лаборатории электронных явлений СФТИ]], которой руководила Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. [[Лаборатория]] занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. [[Лаборатория]] изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян. [[Ноябрь в истории Томского университета|26 ноября]] [[1954 год в истории Томского университета|1954]] г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] Ф.И. Вергунас защитила диссертацию “Температурное тушение излучения цинксульфидных фосфоров и затухание послесвечения в области тушения” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора [[Прилежаева, Наталья Александровна|Н.А. Прилежаева]], [[Воробьев, А.А.|А.А. Воробьев]], [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]]; утверждена ВАК [[Февраль в истории Томского университета|25 февраля]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]]). В работе, явившейся итогом многолетнего труда, на основе изучения большого экспериментального материала она предложила новое объяснение механизма тушения излучения цинксульфидных фосфоров. Разработанная Ф.И. Вергунас и ее ученицей Н.Л. Гастинг теория давала возможность глубже познать явление люминесценции кристаллофосфоров и более осознанно управлять этими процессами при изготовлении люминифоров. Много внимания Ф.И. Вергунас уделяла подготовке научных кадров (1930-е).
+
Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами.  
 +
 
 +
15 мая 1937 г. в совете [[Томский государственный университета|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитила диссертацию]] “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковский]] и [[Иваненко, Дмитрий Дмитриевич|Д.Д. Иваненко]]) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера–Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах.  
 +
 
 +
[[:Категория: Участники Великой Отечественной войны|Во время Великой Отечественной войны]] она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в [[Сфибирский физико-технический факультет|СФТИ]] еще в 1930-е гг. под руководством [[:Категория: Профессора Томского университета|профессоров]] [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковского]] и [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими [[:Категория: Сотрудники Сибирского физико-технического института Томского университета|сотрудниками]] Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения.  
 +
 
 +
В начале 1950-х гг. под ее руководством в [[Сибирский физико-технически факультет|СФТИ]] были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова.  
 +
 
 +
В лаборатории электронных явлений [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]], которой [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|руководила]] Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян.  
 +
 
 +
[[26 ноября в истории Томского университета|26]] [[Ноябрь 1954 года в истории Томского университета|ноября]] [[1954 год в истории Томского университета|1954]] г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] Ф.И. Вергунас [[:Категория: Защитившие докторские диссертации в Томском университете|защитила диссертацию]] “Температурное тушение излучения цинксульфидных фосфоров и затухание послесвечения в области тушения” на соискание ученой степени [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктора физико-математических наук]] (официальные оппоненты – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Прилежаева, Наталья Александровна|Н.А. Прилежаева]], [[Воробьев, А.А.|А.А. Воробьев]], [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]]; утверждена ВАК 25 февраля 1956). В работе, явившейся итогом многолетнего труда, на основе изучения большого экспериментального материала она предложила новое объяснение механизма тушения излучения цинксульфидных фосфоров. Разработанная Ф.И. Вергунас и ее ученицей Н.Л. Гастинг теория давала возможность глубже познать явление люминесценции кристаллофосфоров и более осознанно управлять этими процессами при изготовлении люминифоров. Много внимания Ф.И. Вергунас уделяла подготовке научных кадров (1930-е).
  
 
=='''Общественная деятельность'''==
 
=='''Общественная деятельность'''==
В 1940–1950-х гг. она руководила научным студенческим физическим кружком. Избиралась председателем профкома, членом профбюро СФТИ. Была членом предметной комиссии, председателем физической секции научно-технического кружка. Входила в состав редколлегии стенгазеты, работала агитатором среди населения. Состояла в Обществе по распространению политических и научных знаний и нередко выступала с научно-популярными лекциями по актуальным проблемам физики перед жителями города и области.
+
В 1940–1950-х гг. она руководила научным [[:Категория: Учились в Томском университете|студенческим]] физическим кружком. Избиралась председателем профкома, членом профбюро [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. Была членом предметной комиссии, председателем физической секции научно-технического кружка. Входила в состав редколлегии стенгазеты, работала агитатором среди населения. Состояла в Обществе по распространению политических и научных знаний и нередко выступала с научно-популярными лекциями по актуальным проблемам физики перед жителями города и области.
  
 
=='''Награды'''==
 
=='''Награды'''==
*Орден “Знак Почета” (1953);
+
*Орден [[:Категория: Кавалеры ордена «Знак Почета»|«Знак Почета»]] ([[1953 год в истории Томского университета|1953]]);
*Медаль “За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.(1946).
+
*Медаль «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.» (1946).
  
 
=='''Труды'''==
 
=='''Труды'''==
 
*Позитрон: Обзор // Труды 1-й краевой конференции физиков Западной Сибири. 1934. Выпуск 1;
 
*Позитрон: Обзор // Труды 1-й краевой конференции физиков Западной Сибири. 1934. Выпуск 1;
 
*Температурное гашение фотолюминесценции окиси цинка // Доклады Академии Наук. 1947. Т. 57. № 1;
 
*Температурное гашение фотолюминесценции окиси цинка // Доклады Академии Наук. 1947. Т. 57. № 1;
*О статистической точности счетчиков света // Труды СФТИ. 1947. Т. 7. Выпуск 2;
+
*О статистической точности счетчиков света // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. 1947. Т. 7. Выпуск 2;
*Совместно с В.М. Кудрявцевой, Н.Л. Гастинг. Аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах // Там же;
+
*Совместно с [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]], Н.Л. Гастинг. Аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]];
*Темновая проводимость окиси цинка // Там же. 1947. Выпуск 24;
+
*Темновая проводимость окиси цинка // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. 1947. Выпуск 24;
*Тепловая проводимость йода // Ученые записки ТГУ. 1947. № 5;
+
*Тепловая проводимость йода // Ученые записки [[Томский государственный университет|ТГУ]]. 1947. № 5;
*Совместно с Ф.Ф. Гавриловым. Зависимость интенсивности люминесценции окиси цинка от интенсивности возбуждения // Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24;
+
*Совместно с Ф.Ф. Гавриловым. Зависимость интенсивности люминесценции окиси цинка от интенсивности возбуждения // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. 1947. Выпуск 24;
*Изучение энергетических уровней кристаллофосфоров путем исследования их оптических и электрических свойств // Там же. 1948. Выпуск 27;
+
*Изучение энергетических уровней кристаллофосфоров путем исследования их оптических и электрических свойств // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. 1948. Выпуск 27;
*Теория миграции дыр и температурное гашение люминесценции кристаллофосфоров // Там же. 1950. Выпуск 30; 1948;
+
*Теория миграции дыр и температурное гашение люминесценции кристаллофосфоров // Труды [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. 1950. Выпуск 30; 1948;
 
*Спектры люминесценции окиси цинка // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1948. Т. 18. Выпуск 2;
 
*Спектры люминесценции окиси цинка // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1948. Т. 18. Выпуск 2;
 
*Зависимость относительного квантового выхода люминесценции ZnO от длины волны возбуждения // Доклады Академии наук СССР. 1948. Т. 59. № 7.
 
*Зависимость относительного квантового выхода люминесценции ZnO от длины волны возбуждения // Доклады Академии наук СССР. 1948. Т. 59. № 7.
Строка 37: Строка 75:
 
=='''Источники и литература'''==
 
=='''Источники и литература'''==
 
*Государственный архив Томской области (ГАТО). Ф. Р-815. Оп. 15. Д. 563;
 
*Государственный архив Томской области (ГАТО). Ф. Р-815. Оп. 15. Д. 563;
* ГАТО. Ф. Р-815. Оп. 29. Д. 58;
+
*ГАТО. Ф. Р-815. Оп. 29. Д. 58;
 
*Вергунас Ф. Наш перспективный план // За советскую науку. 1956. 8 апреля;
 
*Вергунас Ф. Наш перспективный план // За советскую науку. 1956. 8 апреля;
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981];
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей] / Ред. [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981;
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000123910 Профессора Томского государственного университета: Биографический словарь (1945–1980) / С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, Л.Л. Берцун и др. Томск, 2001. Том 3];
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000123910 Профессора Томского государственного университета: Биографический словарь (1945–1980)] / [[Фоминых, Сергей Федорович|С.Ф. Фоминых]], [[Некрылов, Сергей Александрович|С.А. Некрылов]], [[Берцун, Людмила Лукинична|Л.Л. Берцун]] и др. Томск, 2001. Том 3;
 
*Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. К 50-летию. Нижний Новгород, 2009.
 
*Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. К 50-летию. Нижний Новгород, 2009.
  

Версия 12:52, 9 января 2019

VergunasFI main.jpg
Дата рождения:

15 (28) марта 1911 г.

Место рождения:

Томск

Дата смерти:

7 июня 1980 г.

Место смерти:

Москва

Период работы в Томском университете :

март 1935 г. –

Место работы в Томском университете:

СФТИ; кафедра общей физики

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Томский государственный университет

Награды и премии:


орден «Знак Почета» (1953), медаль «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.» (1946).

ВЕРГУНАС Фелициана Игнатьевна (15 /28/ марта 1911, Томск7 июня 1980, Москва) – физик, профессор кафедры общей физики Томского государственного университета.

Семья

Отец Ф.И. Вергунас, Игнатий Казимирович (1875–1947), многие годы работал на железной дороге (станция Томск-II) в качестве проводника и электромонтера. Был членом ВКП(б) с 1924 г. Ее мать, Эмилия Андреевна (1887–1967), занималась домашним хозяйством. Ф.И. Вергунас была замужем за К.А. Водопьяновым, профессором ТГУ. Их сын, Водопьянов Лев (родился в 1931), окончил в 1954 г. МГУ по специальности “Физика”, доктор физико-математических наук, профессор, работал ведущим научным сотрудником Физического института им П.Н. Лебедева РАН.

Томский период деятельности

Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора Ф.Э. Молин, В.Д. Кузнецов и другие. В 1931 г. она окончила физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”.

С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением Сибирского физико-технического института (СФТИ) в систему ТГУ она была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию СФТИ. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на физико-математическом факультете.

По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С 1931 г. – ассистент, с 27 марта 1938 г. – доцент кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.).

С 1 сентября 1956 г. по 30 августа 1957 г. – заведующая кафедрой общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики 23 февраля 1957 г. С 1946 г. – заведующая лабораторией электронных явлений СФТИ. В ТГУ читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.

Работа в Горьком и Зеленограде

После отъезда из Томска (1957) заведовала кафедрой общей физики радиофизического факультета Горьковского университета. В 1963 г. переехала в Москву, в Электронный центр (Зеленоград), где работала заведующей лабораторией Института микроприборов Министерства электронной промышленности СССР.

Научно-исследовательская деятельность

Вергунас1.jpg

Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами.

15 мая 1937 г. в совете ТГУ защитила диссертацию “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – профессора П.С. Тартаковский и Д.Д. Иваненко) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера–Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах.

Во время Великой Отечественной войны она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в СФТИ еще в 1930-е гг. под руководством профессоров П.С. Тартаковского и В.М. Кудрявцевой исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими сотрудниками Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения.

В начале 1950-х гг. под ее руководством в СФТИ были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова.

В лаборатории электронных явлений СФТИ, которой руководила Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян.

26 ноября 1954 г. в совете ТГУ Ф.И. Вергунас защитила диссертацию “Температурное тушение излучения цинксульфидных фосфоров и затухание послесвечения в области тушения” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора Н.А. Прилежаева, А.А. Воробьев, В.Н. Кессених; утверждена ВАК 25 февраля 1956). В работе, явившейся итогом многолетнего труда, на основе изучения большого экспериментального материала она предложила новое объяснение механизма тушения излучения цинксульфидных фосфоров. Разработанная Ф.И. Вергунас и ее ученицей Н.Л. Гастинг теория давала возможность глубже познать явление люминесценции кристаллофосфоров и более осознанно управлять этими процессами при изготовлении люминифоров. Много внимания Ф.И. Вергунас уделяла подготовке научных кадров (1930-е).

Общественная деятельность

В 1940–1950-х гг. она руководила научным студенческим физическим кружком. Избиралась председателем профкома, членом профбюро СФТИ. Была членом предметной комиссии, председателем физической секции научно-технического кружка. Входила в состав редколлегии стенгазеты, работала агитатором среди населения. Состояла в Обществе по распространению политических и научных знаний и нередко выступала с научно-популярными лекциями по актуальным проблемам физики перед жителями города и области.

Награды

  • Орден «Знак Почета» (1953);
  • Медаль «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.» (1946).

Труды

  • Позитрон: Обзор // Труды 1-й краевой конференции физиков Западной Сибири. 1934. Выпуск 1;
  • Температурное гашение фотолюминесценции окиси цинка // Доклады Академии Наук. 1947. Т. 57. № 1;
  • О статистической точности счетчиков света // Труды СФТИ. 1947. Т. 7. Выпуск 2;
  • Совместно с В.М. Кудрявцевой, Н.Л. Гастинг. Аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах // Труды СФТИ;
  • Темновая проводимость окиси цинка // Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24;
  • Тепловая проводимость йода // Ученые записки ТГУ. 1947. № 5;
  • Совместно с Ф.Ф. Гавриловым. Зависимость интенсивности люминесценции окиси цинка от интенсивности возбуждения // Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24;
  • Изучение энергетических уровней кристаллофосфоров путем исследования их оптических и электрических свойств // Труды СФТИ. 1948. Выпуск 27;
  • Теория миграции дыр и температурное гашение люминесценции кристаллофосфоров // Труды СФТИ. 1950. Выпуск 30; 1948;
  • Спектры люминесценции окиси цинка // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1948. Т. 18. Выпуск 2;
  • Зависимость относительного квантового выхода люминесценции ZnO от длины волны возбуждения // Доклады Академии наук СССР. 1948. Т. 59. № 7.

Источники и литература