| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
| Строка 13: | Строка 13: | ||
|Научная сфера = | |Научная сфера = | ||
|Научная школа = | |Научная школа = | ||
| − | |Период работы в Томском университете = март 1935 г. – | + | |Период работы в Томском университете = март 1935 г. – 1957 г. |
|Место работы в Томском университете = [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]; кафедра общей физики | |Место работы в Томском университете = [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]; кафедра общей физики | ||
|Учёная степень = [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]] | |Учёная степень = [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]] | ||
| Строка 30: | Строка 30: | ||
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и [[:Категория: Учились в Томском университете|поступила]] на физико-математический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди ее учителей были [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Молин, Федор Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она [[:Категория: Выпускники Физико-математического факультета Томского университета|окончила]] физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. | Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и [[:Категория: Учились в Томском университете|поступила]] на физико-математический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди ее учителей были [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Молин, Федор Эдуардович|Ф.Э. Молин]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]] и другие. В 1931 г. она [[:Категория: Выпускники Физико-математического факультета Томского университета|окончила]] физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”. | ||
| − | С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский | + | С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением [[Сибирский физико-технический институт|Сибирского физико-технического института]] (СФТИ) в систему [[Томский государственный университет|ТГУ]] она была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на физико-математическом факультете. |
По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]] [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. С 1931 г. – [[:Категория: Ассистенты Томского университета|ассистент]], с 27 марта 1938 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). | По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]] [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. С 1931 г. – [[:Категория: Ассистенты Томского университета|ассистент]], с 27 марта 1938 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.). | ||
| − | С [[1 сентября в истории Томского университета|1]] [[Сентябрь 1956 года в истории Томского университета|сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по 30 августа 1957 г. – [[:Категория: Заведующие кафедрами Томского университета|заведующая кафедрой]] общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] кафедры общей физики [[23 февраля в истории Томского университета|23]] [[Февраль 1957 года в истории Томского университета|февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С 1946 г. – [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|заведующая лабораторией]] электронных явлений [[Сибирский физико-технический | + | С [[1 сентября в истории Томского университета|1]] [[Сентябрь 1956 года в истории Томского университета|сентября]] [[1956 год в истории Томского университета|1956]] г. по 30 августа 1957 г. – [[:Категория: Заведующие кафедрами Томского университета|заведующая кафедрой]] общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] кафедры общей физики [[23 февраля в истории Томского университета|23]] [[Февраль 1957 года в истории Томского университета|февраля]] [[1957 год в истории Томского университета|1957]] г. С 1946 г. – [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|заведующая лабораторией]] электронных явлений [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]]. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки. |
=='''Работа в Горьком и Зеленограде'''== | =='''Работа в Горьком и Зеленограде'''== | ||
| Строка 43: | Строка 43: | ||
Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами. | Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами. | ||
| − | 15 мая 1937 г. в совете [[Томский государственный | + | 15 мая 1937 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитила диссертацию]] “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессора]] [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковский]] и [[Иваненко, Дмитрий Дмитриевич|Д.Д. Иваненко]]) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера–Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах. |
[[:Категория: Участники Великой Отечественной войны|Во время Великой Отечественной войны]] она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в [[Сфибирский физико-технический факультет|СФТИ]] еще в 1930-е гг. под руководством [[:Категория: Профессора Томского университета|профессоров]] [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковского]] и [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими [[:Категория: Сотрудники Сибирского физико-технического института Томского университета|сотрудниками]] Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения. | [[:Категория: Участники Великой Отечественной войны|Во время Великой Отечественной войны]] она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в [[Сфибирский физико-технический факультет|СФТИ]] еще в 1930-е гг. под руководством [[:Категория: Профессора Томского университета|профессоров]] [[Тартаковский, Пётр Саввич|П.С. Тартаковского]] и [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими [[:Категория: Сотрудники Сибирского физико-технического института Томского университета|сотрудниками]] Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения. | ||
| − | В начале 1950-х гг. под ее руководством в [[Сибирский физико- | + | В начале 1950-х гг. под ее руководством в [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]] были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова. |
В лаборатории электронных явлений [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]], которой [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|руководила]] Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян. | В лаборатории электронных явлений [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]], которой [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|руководила]] Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян. | ||
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: | |
| Дата смерти: | |
| Место смерти: |
Москва |
| Период работы в Томском университете : |
март 1935 г. – 1957 г. |
| Место работы в Томском университете: |
СФТИ; кафедра общей физики |
| Учёная степень: | |
| Учёное звание: | |
| Альма-матер: | |
| Награды и премии: |
|
ВЕРГУНАС Фелициана Игнатьевна (15 /28/ марта 1911, Томск – 7 июня 1980, Москва) – физик, профессор кафедры общей физики Томского государственного университета.
Отец Ф.И. Вергунас, Игнатий Казимирович (1875–1947), многие годы работал на железной дороге (станция Томск-II) в качестве проводника и электромонтера. Был членом ВКП(б) с 1924 г. Ее мать, Эмилия Андреевна (1887–1967), занималась домашним хозяйством. Ф.И. Вергунас была замужем за К.А. Водопьяновым, профессором ТГУ. Их сын, Водопьянов Лев (родился в 1931), окончил в 1954 г. МГУ по специальности “Физика”, доктор физико-математических наук, профессор, работал ведущим научным сотрудником Физического института им П.Н. Лебедева РАН.
Ф.И. Вергунас в 1927 г. окончила трудовую школу 2-й ступени в Томске (1927) и поступила на физико-математический факультет ТГУ. Среди ее учителей были профессора Ф.Э. Молин, В.Д. Кузнецов и другие. В 1931 г. она окончила физико-механического отделение по специальности “Исследование материалов”, получив квалификацию “Научный работник в области приложения физики к исследованию материалов”.
С 1 ноября 1931 г. – аспирант по специальности “Физика твердого тела”. В 1932 г. в связи с включением Сибирского физико-технического института (СФТИ) в систему ТГУ она была переведена аспирантом в рентгеновскую лабораторию СФТИ. Специализировалась в области физики атомного ядра. Одновременно вела практические и семинарские занятия по курсу общей физики и строению материи на физико-математическом факультете.
По окончании аспирантуры с марта 1935 г. – старший научный сотрудник СФТИ. С 1931 г. – ассистент, с 27 марта 1938 г. – доцент кафедры общей физики (утвержден ВКВШ в январе 1939 г.).
С 1 сентября 1956 г. по 30 августа 1957 г. – заведующая кафедрой общей физики. Утверждена ВАК в ученом звании профессора кафедры общей физики 23 февраля 1957 г. С 1946 г. – заведующая лабораторией электронных явлений СФТИ. В ТГУ читала курс общей физики и спецкурсы “Электронные явления”, “Теория кристаллической решетки”, “Радиоактивность”, “Люминесценция”. Ее лекции отличались глубоким научным содержанием, четкостью и последовательностью в изложении материала. Большое внимание Ф.И. Вергунас уделяла достижениям отечественной науки.
После отъезда из Томска (1957) заведовала кафедрой общей физики радиофизического факультета Горьковского университета. В 1963 г. переехала в Москву, в Электронный центр (Зеленоград), где работала заведующей лабораторией Института микроприборов Министерства электронной промышленности СССР.
Начала заниматься научной работой еще в студенческие годы. Вела исследования в области ядерной физики (рассеяние быстрых электронов ядрами). В 1934 г. выступила с докладом на краевой научной конференции физиков. В ЛФТИ, куда Ф.И. Вергунас командировалась в 1936 г., она под руководством профессора И.В. Курчатова выполнила исследование действующего сечения при столкновении нейтронов с протонами.
15 мая 1937 г. в совете ТГУ защитила диссертацию “Столкновение нейтрона с протонами” (официальные оппоненты – профессора П.С. Тартаковский и Д.Д. Иваненко) на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ее работа была посвящена определению энергии нейтронов различных групп, а также измерению их длины свободного пробега. В диссертации содержалось детальное изложение теоретических и экспериментальных исследований в этой области, описание и изучение счетчика частиц с большой разрешающей силой, изложение и анализ результатов собственных экспериментов. Ею был проведен серьезный анализ метода определения энергии нейтронов по поглощению в боре, для чего использовался тиратронный счетчик Гейгера–Мюллера. Интересными были ее наблюдения над рассеянием, которое, по мнению Ф.И. Вергунас, обусловлено “трансформацией нейтронов”. Впоследствии Ф.И. Вергунас переключилась на изучение энергетических уровней в кристаллофосфорах.
Во время Великой Отечественной войны она работала над выполнением заданий промышленности: занималась усовершенствованием электромедицинской лечебной аппаратуры. Разработанная ею аппаратура для комбинированного люминесцентного анализа минералов в ультрафиолетовых и катодных лучах была внедрена в геологических партиях геологоразведочных трестов Западной Сибири. В 1940-е гг. она продолжила начатые в СФТИ еще в 1930-е гг. под руководством профессоров П.С. Тартаковского и В.М. Кудрявцевой исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах, сформировав направление в изучении люминесценции кристаллофосфоров. Совместно со своими сотрудниками Ф.И. Вергунас существенно уточнила теорию температурного гашения люминесценции кристаллофосфоров. С учетом энергетического спектра примесных центров цинксульфидных фосфоров были даны объяснения ряду особенностей в температурных зависимостях их свечения.
В начале 1950-х гг. под ее руководством в СФТИ были начаты одни из первых в стране работы по изучению сульфида цинка. В результате интенсивных исследований были выявлены критерии двух известных к тому времени разновидностей фотодиэлектрического эффекта – истинного изменения диэлектрической проницаемости кристаллов за счет поляризации дефектных центров и кажущегося изменения за счет фотопроводимости. Помимо этого, ею и П.Е. Рамазановым был выявлен и изучен новый механизм фотодиэлектрического эффекта, связанного с ограниченным перемещением свободных зарядов по центрам захвата. Ф.И. Вергунас неоднократно выступала в Физическом институте АН СССР (Москва) с докладами, которые получили высокую оценку академика С.И. Вавилова.
В лаборатории электронных явлений СФТИ, которой руководила Ф.И. Вергунас, изучалось послесвечение, то есть законы затухания люминесценции после выключения возбуждающего света. Путем параллельных оптических и электрических исследований выявлялись уровни локализации, на которых запасаются электроны при возбуждении фосфоров. Изучались также явления электролюминесценции, то есть явления свечения кристаллофосфоров, или полупроводников, под действием переменного электрического поля. Лаборатория занималась также практическим применением люминесценции. В частности, на изделиях Томского шарикоподшипникового завода ГПЗ-5 было выявлено, что метод люминесцентной дефектоскопии дает возможность контролировать качество выпускаемой продукции более быстро и надежно, чем визуальный просмотр. Лаборатория изготавливала для геологических партий приборы для экспрессного определения полезных минералов в шлихах. Были также разработаны экспрессные люминесцентные методы определения всхожести семян.
26 ноября 1954 г. в совете ТГУ Ф.И. Вергунас защитила диссертацию “Температурное тушение излучения цинксульфидных фосфоров и затухание послесвечения в области тушения” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора Н.А. Прилежаева, А.А. Воробьев, В.Н. Кессених; утверждена ВАК 25 февраля 1956). В работе, явившейся итогом многолетнего труда, на основе изучения большого экспериментального материала она предложила новое объяснение механизма тушения излучения цинксульфидных фосфоров. Разработанная Ф.И. Вергунас и ее ученицей Н.Л. Гастинг теория давала возможность глубже познать явление люминесценции кристаллофосфоров и более осознанно управлять этими процессами при изготовлении люминифоров. Много внимания Ф.И. Вергунас уделяла подготовке научных кадров (1930-е).
В 1940–1950-х гг. она руководила научным студенческим физическим кружком. Избиралась председателем профкома, членом профбюро СФТИ. Была членом предметной комиссии, председателем физической секции научно-технического кружка. Входила в состав редколлегии стенгазеты, работала агитатором среди населения. Состояла в Обществе по распространению политических и научных знаний и нередко выступала с научно-популярными лекциями по актуальным проблемам физики перед жителями города и области.
