| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Rixalos (обсуждение | вклад) |
|||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| − | + | {{Персона | |
| + | |Имя = | ||
| + | |Оригинал имени = | ||
| + | |Фото = ВойцеховскийАВ.png | ||
| + | |Ширина = | ||
| + | |Подпись = | ||
| + | |Роспись = | ||
| + | |Дата рождения = | ||
| + | |Место рождения = | ||
| + | |Дата смерти = | ||
| + | |Место смерти = | ||
| + | |Гражданство = | ||
| + | |Научная сфера = | ||
| + | |Научная школа = | ||
| + | |Период работы в Томском университете = с июня 1966 г. по настоящее время | ||
| + | |Место работы в Томском университете = | ||
| + | |Учёная степень = | ||
| + | |Учёное звание = | ||
| + | |Альма-матер = [[Томский государственный университет]] | ||
| + | |Научный руководитель = | ||
| + | |Знаменитые ученики = | ||
| + | |Награды и премии = | ||
| + | }} | ||
'''ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич''' (родился [[26 июля в истории Томского университета|26]] [[Июль 1943 года в истории Томского университета|июля]] [[1943 год в истории Томского университета|1943]], Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры квантовой электроники и фотоники [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. | '''ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич''' (родился [[26 июля в истории Томского университета|26]] [[Июль 1943 года в истории Томского университета|июля]] [[1943 год в истории Томского университета|1943]], Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры квантовой электроники и фотоники [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. | ||
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
| − | Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, | + | Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, родилась в 1936) работала на том же заводе, что и мать. |
| − | А.В. Войцеховский женат на [[ | + | А.В. Войцеховский женат на [[Войцеховская, Ольга Кузьминична|Ольге Кузьминичне]] (дев. Цыцарева, родилась в 1944), [[:Категория: Профессора Томского университета|профессоре]] [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Их сын Андрей (родился в 1964) [[:Категория: Выпускники Радиофизического факультета Томского университета|окончил]] радиофизический факультет [[томский государственный университет|ТГУ]], предприниматель. |
=='''Студенческие годы'''== | =='''Студенческие годы'''== | ||
| − | А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число студентов физического факультета ТГУ. На 3-м курсе перевелся на | + | А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число [[:Категория: Учились в Томском университете|студентов]] физического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчикова]], [[Ю.С. Завьялова, Александр Васильевич|Ю.С. Завьялова]], [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессениха]], [[В.Ф. Конусова, Александр Васильевич|В.Ф. Конусова]], [[А.С. Майдановского, Александр Васильевич|А.С. Майдановского]], [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петрова]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожникова]], [[В.А. Филоненко, Александр Васильевич|В.А. Филоненко]], [[Н.Г. Щеглова, Александр Васильевич|Н.Г. Щеглова]] и др. Курсовые работы писал под научным руководством [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчикова]]. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду [[Томский государственный университет|ТГУ]]. |
| + | |||
| + | [[:Категория: Выпускники Томского университета|Окончил]] с отличием [[Томский государственный университет|университет]] (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]], впоследствии [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петров]]). | ||
=='''В Новосибирске'''== | =='''В Новосибирске'''== | ||
| Строка 14: | Строка 38: | ||
=='''В Томске'''== | =='''В Томске'''== | ||
| − | С | + | С июня 1966 г. – [[:Категория: Младшие научные сотрудники Томского университета|младший научный сотрудник]], с 1967 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]] [[Сибирский физико-технический институт|СФТИ]] при [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С [[Январь в истории Томского университета|1]] января]] [[1983 год в истории Томского университета|1983]] г. по настоящее время – заведующий [[кафедрой квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета]] [[Томский государственный университет|ТГУ]]. По совместительству с [[Июнь в истории Томского университета|июня]] [[1988 год в истории Томского университета|1988]] г. – заведующий [[лабораторией фотоэлектроники]], с [[1996 год в истории Томского университета|1996]] г. – заведующий [[отделом радиоэлектроники]] [[СФТИ]]. С [[2005 год в истории Томского университета|2005]] г. – руководитель НОЦ “Функциональные материалы радио и оптоэлектроники” (отделение ФМРО). С [[2014 год в истории Томского университета|2014]] г. – заведующий лабораторией “«Оптическая электроника” [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности “Радиофизика, включая квантовую радиофизику” присвоено ВАК [[Сентябрь в истории Томского университета|5 сентября]] [[1979 год в истории Томского университета|1979]] г. Ученое звание профессора кафедры квантовой электроники присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию [[Ноябрь в истории Томского университета|18 ноября]] [[1988 год в истории Томского университета|1988]] г. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] читает курсы: “Введение в радиофизику и электронику”, “Физические основы функциональной электроники”, спецкурсы: “Прием оптических сигналов”, “Оптические явления в полупроводниках”, “Приборы с переносом заряда”, “Фотоэлектроника”, “Оптоэлектроника”, “Оптоэлектронные приборы на структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках”, “Коллективные явления в твердых телах”, “Фазовые переходы и сверхпроводимость в твердых телах”, “Самоорганизация в полупроводниках”, “Оптические процессы в полупроводниках”, “Оптическая электроника”, “Низкоразмерные структуры в оптоэлектронике”. |
=='''Направления научной деятельности'''== | =='''Направления научной деятельности'''== | ||
 | |
| Период работы в Томском университете : |
с июня 1966 г. по настоящее время |
|---|---|
| Альма-матер: | |
ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич (родился 26 июля 1943, Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, профессор кафедры квантовой электроники и фотоники Томского государственного университета.
Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, родилась в 1936) работала на том же заводе, что и мать.
А.В. Войцеховский женат на Ольге Кузьминичне (дев. Цыцарева, родилась в 1944), профессоре ТГУ. Их сын Андрей (родился в 1964) окончил радиофизический факультет ТГУ, предприниматель.
А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число студентов физического факультета ТГУ. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции Э.С. Воробейчикова, Ю.С. Завьялова, В.Н. Кессениха, В.Ф. Конусова, А.С. Майдановского, А.С. Петрова, А.Б. Сапожникова, В.А. Филоненко, Н.Г. Щеглова и др. Курсовые работы писал под научным руководством Э.С. Воробейчикова. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду ТГУ.
Окончил с отличием университет (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – доцент, впоследствии профессор ТГУ А.С. Петров).
С февраля 1966 г. – инженер Новосибирского института мер и измерительных приборов.
С июня 1966 г. – младший научный сотрудник, с 1967 г. – старший научный сотрудник СФТИ при ТГУ. С 1 января]] 1983 г. по настоящее время – заведующий кафедрой квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета ТГУ. По совместительству с июня 1988 г. – заведующий лабораторией фотоэлектроники, с 1996 г. – заведующий отделом радиоэлектроники СФТИ. С 2005 г. – руководитель НОЦ “Функциональные материалы радио и оптоэлектроники” (отделение ФМРО). С 2014 г. – заведующий лабораторией “«Оптическая электроника” ТГУ. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности “Радиофизика, включая квантовую радиофизику” присвоено ВАК 5 сентября 1979 г. Ученое звание профессора кафедры квантовой электроники присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию 18 ноября 1988 г. В ТГУ читает курсы: “Введение в радиофизику и электронику”, “Физические основы функциональной электроники”, спецкурсы: “Прием оптических сигналов”, “Оптические явления в полупроводниках”, “Приборы с переносом заряда”, “Фотоэлектроника”, “Оптоэлектроника”, “Оптоэлектронные приборы на структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках”, “Коллективные явления в твердых телах”, “Фазовые переходы и сверхпроводимость в твердых телах”, “Самоорганизация в полупроводниках”, “Оптические процессы в полупроводниках”, “Оптическая электроника”, “Низкоразмерные структуры в оптоэлектронике”.
Областью научных интересов А.В. Войцеховского являются радиационная физика узкозонных полупроводниковых материалов и фотоэлектрических структур на их основе, физика процессов на границах раздела сред в поверхностно-барьерных структурах. Им были выявлены закономерности радиационных воздействий на сложные полупроводниковые соединения, физические основы элементов радиационной технологии получения фоточувствительных материалов и структур с заданными параметрами. Созданы опытные образцы фотоприемников ИК-излучения для активных и пассивных оптических систем различного назначения. Наряду с этим А.В. Войцеховский занимался развитием физических представлений об электронных процессах на границах раздела диэлектрик-узкозонный полупроводник, разрабатывал и исследовал приборные структуры типа “металл – диэлектрик – полупроводник” (МДП) на основе узкозонных полупроводниковых соединений и создавались фоточувствительные МДП-датчики излучения для регистрации слабых световых потоков. В ходе исследований выявлена энергетическая структура дефектов (включая радиационные), формирующих электрические и рекомбинационные свойства объемной и приповерхностной областей узкозонных полупроводников и границы раздела с диэлектриком. Обоснована применимость явлений электрон-позитронной аннигиляции и резерфордовского обратного рассеяния ионов для диагностики ростовых и радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках и на границе раздела фаз и с их помощью изучены процессы дефектообразования при различных режимах облучения. В его работах даны модельные представления радиационно-стимулированной диффузии примесей в сложных полупроводниковых соединениях под влиянием облучения ионизирующих частиц и ионов. Определены закономерности ионного легирования примесей и нейтронной трансмутации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, физические и физико-химические особенности электронных процессов на поверхности и границе раздела “полупроводник – диэлектрик”, формирующие электрофизические и рекомбинационные характеристики МДП-структур на основе целого ряда узкозонных полупроводниковых соединений. Наряду с этим предложены методы радиационного управления свойствами узкозонных полупроводниковых соединений и фотоэлектрических поверхностно-барьерных структур на их основе. Разработаны и созданы фотоприемные структуры, чувствительные в широкой области ИК-диапазона длин волн для оптических систем различного назначения.
27 ноября 1975 г. в диссертационном совете в ТГУ А.В. Войцеховский защитил диссертацию “Исследование и разработка фоторезисторных приемников ИК-диапазона с постоянным и СВЧ-смещением на основе примесных и собственных полупроводниковых материалов” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман и кандидат физико-математических наук, доцент И.С. Захаров; утвержден ВАК 7 июля 1976). В 1984 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию “Радиационное управление характеристиками фоточувствительных структур на основе узкозонных твердых растворов” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант – профессор А.С. Петров; официальные оппоненты – доктора физико-математических наук Л.К. Водопьянов, В.Г. Савицкий и Н.С. Несмелов; утвержден ВАК 6 декабря 1985). В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.
А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013). Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау. Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – А.П. Коханенко, доктор физико-математических наук, профессор ТГУ.
Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009). А.В. Войцеховский возглавляет научную школу “Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров), в состав которой в настоящее время входят 7 докторов наук, около 30 кандидатов наук. Поддерживает научные связи с Институтом электроники Болгарской АН и Институтом прикладной физики (Польша), Берлинским университетом прикладных наук (Германия), университетом Лафборо (Англия), Львовским политехническим университетом (Украина).
С 1995 г. – член редколлегии журнала “Известия вузов. Физика” (Томск). Состоял председателем секции Томского редакционного совета издательства “Радио и связь”, членом секции Научного совета АН СССР по физике полупроводников, членом координационного совета СО АН СССР “Монокристалл”. В настоящее время – член диссертационных советов Д 212.267.04 и Д 212.267.07 по защите докторских диссертаций в ТГУ и диссертационного совета в ТПУ. Действительный член Академии технологических наук Российской Федерации (2009), Академии военных наук Российской Федерации (2005), Международной академии наук высшей школы (2005). Член-корреспондент СО МАНВШ (1997). Изобретатель СССР (1990). Зарегистрирован в федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (2001); эксперт научно-технической сферы ГУ РИНКЦЭ (2012).
Состоял в КПСС (1972–1991). Избирался председателем группы народного контроля СФТИ (1970-е), членом и секретарем бюро ВЛКСМ СФТИ, членом партбюро института, членом бюро головной группы народного контроля ТГУ (1980-е), членом парткомиссии по контролю за деятельностью администрации СФТИ.
Ведомственные
Томского государственного университета
Региональные
Томского государственного университета
