Версия 14:40, 16 декабря 2022

Дата рождения:	26 июля 1943 г.
Место рождения:	Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области
Научная сфера:	физика
Научная школа	"Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров)
Период работы в Томском университете :	с июня 1966 г. по настоящее время
Место работы в Томском университете:	СФТИ; радиофизический факультет
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	Томский государственный университет
Награды и премии:	премия Томской области в сфере образования и науки (1998, 2005, 2008), медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом” (1998), серебряная медаль “В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета” (2013).

ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич (родился 26 июля 1943, Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, профессор кафедры квантовой электроники и фотоники Томского государственного университета.

Семья

Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, родилась в 1936) работала на том же заводе, что и мать.

А.В. Войцеховский женат на Ольге Кузьминичне (дев. Цыцарева, родилась в 1944), профессоре ТГУ. Их сын Андрей (родился в 1964) окончил радиофизический факультет ТГУ, предприниматель.

Студенческие годы

А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число студентов физического факультета ТГУ. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции Э.С. Воробейчикова, Ю.С. Завьялова, В.Н. Кессениха, В.Ф. Конусова, А.С. Майдановского, А.С. Петрова, А.Б. Сапожникова, В.А. Филоненко, Н.Г. Щеглова и др. Курсовые работы писал под научным руководством Э.С. Воробейчикова. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду ТГУ.

Окончил с отличием университет (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – доцент, впоследствии профессор ТГУ А.С. Петров).

В Новосибирске

С февраля 1966 г. – инженер Новосибирского института мер и измерительных приборов.

В Томске

С июня 1966 г. – младший научный сотрудник, с 1967 г. – старший научный сотрудник СФТИ при ТГУ. С 1 января 1983 г. по настоящее время – заведующий кафедрой квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета ТГУ.

По совместительству с июня 1988 г. – заведующий лабораторией фотоэлектроники, с 1996 г. – заведующий отделом радиоэлектроники СФТИ.

С 2005 г. – руководитель НОЦ “Функциональные материалы радио и оптоэлектроники” (отделение ФМРО). С 2014 г. – заведующий лабораторией “«Оптическая электроника” ТГУ. В настоящее время - ведущий научный сотрудник научной лаборатории терагерцовых исследований ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности “Радиофизика, включая квантовую радиофизику” присвоено ВАК 5 сентября 1979 г. Ученое звание профессора кафедры квантовой электроники присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию 18 ноября 1988 г.

Преподавательская деятельность

В ТГУ читает курсы: “Введение в радиофизику и электронику”, “Физические основы функциональной электроники”, спецкурсы: “Прием оптических сигналов”, “Оптические явления в полупроводниках”, “Приборы с переносом заряда”, “Фотоэлектроника”, “Оптоэлектроника”, “Оптоэлектронные приборы на структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках”, “Коллективные явления в твердых телах”, “Фазовые переходы и сверхпроводимость в твердых телах”, “Самоорганизация в полупроводниках”, “Оптические процессы в полупроводниках”, “Оптическая электроника”, “Низкоразмерные структуры в оптоэлектронике”.

Направления научной деятельности

Областью научных интересов А.В. Войцеховского являются радиационная физика узкозонных полупроводниковых материалов и фотоэлектрических структур на их основе, физика процессов на границах раздела сред в поверхностно-барьерных структурах. Им были выявлены закономерности радиационных воздействий на сложные полупроводниковые соединения, физические основы элементов радиационной технологии получения фоточувствительных материалов и структур с заданными параметрами. Созданы опытные образцы фотоприемников ИК-излучения для активных и пассивных оптических систем различного назначения.

Наряду с этим А.В. Войцеховский занимался развитием физических представлений об электронных процессах на границах раздела диэлектрик-узкозонный полупроводник, разрабатывал и исследовал приборные структуры типа “металл – диэлектрик – полупроводник” (МДП) на основе узкозонных полупроводниковых соединений и создавались фоточувствительные МДП-датчики излучения для регистрации слабых световых потоков. В ходе исследований выявлена энергетическая структура дефектов (включая радиационные), формирующих электрические и рекомбинационные свойства объемной и приповерхностной областей узкозонных полупроводников и границы раздела с диэлектриком. Обоснована применимость явлений электрон-позитронной аннигиляции и резерфордовского обратного рассеяния ионов для диагностики ростовых и радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках и на границе раздела фаз и с их помощью изучены процессы дефектообразования при различных режимах облучения. В его работах даны модельные представления радиационно-стимулированной диффузии примесей в сложных полупроводниковых соединениях под влиянием облучения ионизирующих частиц и ионов. Определены закономерности ионного легирования примесей и нейтронной трансмутации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, физические и физико-химические особенности электронных процессов на поверхности и границе раздела “полупроводник – диэлектрик”, формирующие электрофизические и рекомбинационные характеристики МДП-структур на основе целого ряда узкозонных полупроводниковых соединений. Наряду с этим предложены методы радиационного управления свойствами узкозонных полупроводниковых соединений и фотоэлектрических поверхностно-барьерных структур на их основе. Разработаны и созданы фотоприемные структуры, чувствительные в широкой области ИК-диапазона длин волн для оптических систем различного назначения.

27 ноября 1975 г. в диссертационном совете при ТГУ А.В. Войцеховский защитил диссертацию “Исследование и разработка фоторезисторных приемников ИК-диапазона с постоянным и СВЧ-смещением на основе примесных и собственных полупроводниковых материалов” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман и кандидат физико-математических наук, доцент И.С. Захаров; утвержден ВАК 7 июля 1976).

В 1984 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию “Радиационное управление характеристиками фоточувствительных структур на основе узкозонных твердых растворов” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант – профессор А.С. Петров; официальные оппоненты – доктора физико-математических наук Л.К. Водопьянов, В.Г. Савицкий и Н.С. Несмелов; утвержден ВАК 6 декабря 1985).

В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.

А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013). Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау. Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – А.П. Коханенко, доктор физико-математических наук, профессор ТГУ.

Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009).

А.В. Войцеховский возглавляет научную школу “Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров), в состав которой в настоящее время входят 7 докторов наук, около 30 кандидатов наук. Поддерживает научные связи с Институтом электроники Болгарской АН и Институтом прикладной физики (Польша), Берлинским университетом прикладных наук (Германия), университетом Лафборо (Англия), Львовским политехническим университетом (Украина).

Научно-организационная деятельность

С 1995 г. – член редколлегии журнала “Известия вузов. Физика” (Томск). Состоял председателем секции Томского редакционного совета издательства “Радио и связь”, членом секции Научного совета АН СССР по физике полупроводников, членом координационного совета СО АН СССР “Монокристалл”. В настоящее время – член диссертационных советов Д 212.267.04 и Д 212.267.07 по защите докторских диссертаций в ТГУ и диссертационного совета в ТПУ. Действительный член Академии технологических наук Российской Федерации (2009), Академии военных наук Российской Федерации (2005), Международной академии наук высшей школы (2005). Член-корреспондент СО МАНВШ (1997). Изобретатель СССР (1990). Зарегистрирован в федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (2001); эксперт научно-технической сферы ГУ РИНКЦЭ (2012).

Общественная деятельность

Состоял в КПСС (1972–1991). Избирался председателем группы народного контроля СФТИ (1970-е), членом и секретарем бюро ВЛКСМ СФТИ, членом партбюро института, членом бюро головной группы народного контроля ТГУ (1980-е), членом парткомиссии по контролю за деятельностью администрации СФТИ.

Награды

Ведомственные

• Нагрудный знак “За отличные успехи в работе” (1987);
• Нагрудный знак “За развитие научно-исследовательской работы студентов” (2009);
• Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2008).

Региональные

• Юбилейная медаль «400 лет городу Томску» (2004);
• Медаль «За достижения» (награда Губернатора Томской области, 2018).

Томского государственного университета

• Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом” (1998);
• Серебряная медаль “В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета” (2013).

Премии

• Премия Томской области в сфере образования и науки (1998, 2005, 2008);

Томского государственного университета

• Премия ТГУ (совместно с В.Н. Давыдовым) за монографию “Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных проводников” (1992);
• Премия ТГУ (2016).

Почетные звания

• Заслуженный работник высшей школы РФ (2000);
• Почетный работник высшего профессионального образования РФ (2008);
• Заслуженный профессор Томского государственного университета (2013);
• Заслуженный ветеран труда Томского государственного университета (2004).

Труды

• Совместно с Е.Р. Аигиной, В.В. Антоновым, М.В. Пашковским. Поверхностно-управляемые приборы на основе теллурида кадмия−ртути // Зарубежная электронная техника. 1984. № 5;
• Совместно с Н.Р. Аигиной, Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, Ю.В. Медведевым. Сверхрешетки HgTe - CdTe - новый материал ИК оптоэлектроники // Зарубежная электронная техника. 1987. № 11;
• Совместно с А.С. Петровым, Г.И. Потаховым. Оптика полупроводников. Учебное пособие. Томск, 1987;
• Совместно с Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, Ю.В. Медведевым, А.В. Матвеенко. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений А4В4 // Зарубежная электронная техника. 1989. № 3;
• Совместно с В.Н. Давыдовым. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск, 1990;
• Совместно с И.И. Ижниным, Н.А. Кульчицким, В.А. Кемарским. Приборы оптоэлектроники на основе структур CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Зарубежная электронная техника. 1992. № 12;
• Совместно с Ю.М. Андреевым, Л.М. Буткевичем, В.Г. Воеводиным, А.П. Вяткиным, В.П. Воронковым, А.С. Петровым. Элементная база оптико-электронных приборов. Ленинград, 1992;
• Совместно с В.О. Волошиным, М.Б. Гольманом, А.П. Коханенко. Радиационная физика узкозонных полупроводников. Павлодар, 1998;
• Совместно с Н.А. Кульчицким, В.Г. Срединым. Оптоэлектронные приборы на квантово-размерных структурах: Учеб. пособие. М., 1999;
• Совместно с Н.А. Кульчицким, А.А. Мельниковым. Полупроводниковые сверхрешетки: свойства, применение: Учебное пособие. М., 2000;
• Инфракрасные детекторы. А. Рогальский: Пер. с англ. под редакцией А.В. Войцеховского. Новосибирск, 2003;
• Совместно с Коханенко А.П. Высокочувствительные приемники оптического излучения / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 39-42.
• Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171.
• Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах : компьютерный практикум / [А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников] ; Томский государственный университет, Радиофизический факультет. - Томск : Томский государственный университет, 2010.
• Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17.
• Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41.
• Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90.
• Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55.
• Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. Ю. Бончик и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 148-149.
• Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg / И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59.
• Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 73-75.
• [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000451357 Типы детекторов терагерцового излучения / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 3. С. 25-34.
• Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233.
• Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137.
• Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te / С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151.
• Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66.
• Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62.
• Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70.
• Радиационные эффекты в HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89.
• Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/Ga / И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57.
• Информационное и спектроскопическое обеспечение лазерного анализа высокотемпературных газовых смесей / А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, Д. Е. Каширский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 86-87.
• Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252.
• Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, В. Г. Сатдаров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241.
• Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 224-226.
• Детектирование в терагерцовом диапазоне / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35.
• Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур / С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130.
• Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe / К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
• Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
• Переходная электролюминесценция в тонких полимерных плёнках / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 122-124.
• Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 204-211.
• Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 17-20.
• Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97.
• Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39.
• Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 212-221.
• Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139.
• Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии / К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51.
• Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616.
• Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
• Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109.
• Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии / А. В. Войцеховский, В. Г. Сатдаров, А. П. Коханенко и др // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 5-7.
• Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105.
• Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5-9.
• Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus» / А. А. Пищагин, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133.
• Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337.
• Войцеховский А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
• Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe / А. В. Войцеховский,Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
• Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343.
• Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112.
• Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88.
• Совместно с А.А. Скрыльниковым. Функциональная акустоэлектроника. Учебное пособие. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск, 2013;
• Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники. Учебное пособие. Томск, 2013;
• Совместно с Несмеловым С.Н. Приемники лазерного излучения // Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул / Под ред. В.Ф. Тарасенко. Томск, 2014;
• Совместно с V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov, D.V. Grigor’ev. Chapter 19. Application of Runaway Electron Preionized Diffuse Discharges for Surface Cleaning and Modification // Runaway Electrons Preionized Diffuse Discharges / Editors Victor F. Tarasenko. Hauppauge, New York, 2014.
• Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26.
• Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69.
• Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130.
• Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 45-49.
• Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Наноинженерия. 2014. № 6. С. 3-20.
• Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1312-1316.
• Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69.
• Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
• Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 62-67.
• Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 56-61.
• О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны : учебное пособие : [для студентов, изучающих радиофизику, оптотехнику, фотонику, оптоинформатику, радиотехнику] / И. В. Измайлов, Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Томский гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2014.
• Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS / И. В. Романов, А. В. Войцеховский, К. М. Дегтяренко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123.
• Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321.
• Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111.
• Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11.
• Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109.
• Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67.
• Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31.
• Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, // Наноинженерия. 2014. № 4. С. 8-14.
• Войцеховский А. В. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5-10.
• Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 138.
• Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова / Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. // Х Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 238-242.
• Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 39.
• Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106.
• Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 184-188.
• Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230.
• Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, К. А. Лозовой // Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015) : материалы 3-й международной Школы-семинара молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур" (ФНМС-2015), 7-11 сентября 2015 г., г. Томск. Томск, 2015. С. 7.
• Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99.
• Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si / Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. // Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248.
• Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234.
• Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3 / И. А. Зятиков, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255.
• Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 139.
• Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261.
• Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41.
• Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275.
• Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров, К. А. Лазовой // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205.
• Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др. // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 333.
• Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский и др. // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 42.
• Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 135.
• Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272.
• Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe / В. А. Новиков, Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский и др. // Нанофизика и наноэлектроника : труды XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Н. Новгород, 2015. Т. 2, секция 3. С. 601-602.
• Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ / Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146.
• Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20.
• Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии / А. А. Пищагин, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243.
• Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик / А. В. Барко, А. В. Войцеховский, А. Г. Левашкин, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286.
• Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273.
• Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов университетов, обучающихся по направлениям подготовки "Фотоника и оптоинформатика", "Светотехника и источники света" и "Биофотоника"] / Э. А. Соснин ; под ред. А. В. Войцеховского, А. Н. Солдатова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015.
• Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226.
• О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны / И. В. Измайлов, Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Том. гос. ун-т, [Радиофизический факультет, Кафедра квантовой электроники и фотоники]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015.
• Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93.
• Войцеховский А. В. Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238.
• Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270.
• Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175.
• Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин, А. И. Ижнин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276.
• Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 51.
• Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 173.
• Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge / А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов, А. В. Войцеховский и др. // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 178.
• Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97.
• МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 378-379.
• Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов / Н. А. Паханов, О. П. Пчеляков, А. И. Якимов, А. В. Войцеховский // Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116.
• Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27.
• Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128.
• Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12.
• Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63.
• Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем / Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127.
• Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21..0,23) в диапазоне температур 9..77 К / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20.
• Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 380-381.
• Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260.
• Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134.
• Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 198-.
• Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений / С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201.
• Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54-62.
• Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205.
• Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 58.
• Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48.
• Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26.

Источники и литература

• Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете. 50 лет. Томск, 1978;
• Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981;
• Светлов А. “Генераторы идей” остаются и создают новые “идеологии” // Alma Mater. 1993. 26 февраля;
• Томский государственный университет: Ежегодник-2000–2013 / Под ред. Г.В. Майера. Томск, 2001–2014;
• Ведущие научно-педагогические коллективы Томского государственного университета. Справочник. Томск, 2003;
• Профессора Томского университета: Биографический словарь (1980–2003). Томск, 2003. Т. 4, ч. 1;
• Войцеховский А.В., Гаман В.И., Гермогенов В.П., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Мокроусов Г.М. Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском госуниверситете // Вестник ТГУ. 2005. № 285;
• Пономаренко В.П., Филачев А.М. Инфракрасная техника и электронная техника: Становление научных направлений. М., 2006;
• Сибирский физико-технический институт: История института в документах и материалах (1941–1978 гг.) / под ред. С.Ф. Фоминых. Томск: Изд-во НТЛ, 2006;
• В.И. Стафеев. Фотоприемники ИК диапазона на основе CdxHg1-xTe. М., 2008;
• Радиофизический факультет Томского государственного университета. Томск, 2013;
• Славься университет. Иллюстрированные страницы истории ТГУ. Томск, 2014;
• Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете // Электронная промышленность. 2014. № 1.