[досмотренная версия][досмотренная версия]
(Труды)
(Студенческие годы)
 
(не показано 25 промежуточных версии 2 участников)
Строка 30: Строка 30:
  
 
=='''Студенческие годы'''==
 
=='''Студенческие годы'''==
А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число [[:Категория: Учились в Томском университете|студентов]] физического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчикова]], [[Ю.С. Завьялова, Александр Васильевич|Ю.С. Завьялова]], [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессениха]], [[В.Ф. Конусова, Александр Васильевич|В.Ф. Конусова]], [[А.С. Майдановского, Александр Васильевич|А.С. Майдановского]], [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петрова]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожникова]], [[В.А. Филоненко, Александр Васильевич|В.А. Филоненко]], [[Н.Г. Щеглова, Александр Васильевич|Н.Г. Щеглова]] и др. Курсовые работы писал под научным руководством [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчикова]]. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду [[Томский государственный университет|ТГУ]].  
+
А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число [[:Категория: Учились в Томском университете|студентов]] физического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции Э.С. Воробейчикова, Ю.С. Завьялова, [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессениха]], В.Ф. Конусова, А.С. Майдановского, [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петрова]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожникова]], В.А. Филоненко, Н.Г. Щеглова и др. Курсовые работы писал под научным руководством Э.С. Воробейчикова. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду [[Томский государственный университет|ТГУ]].  
  
 
[[:Категория: Выпускники Томского университета|Окончил]] с отличием [[Томский государственный университет|университет]] (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]], впоследствии [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петров]]).
 
[[:Категория: Выпускники Томского университета|Окончил]] с отличием [[Томский государственный университет|университет]] (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]], впоследствии [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[Петров, Алексей Сергеевич|А.С. Петров]]).
Строка 60: Строка 60:
 
В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.
 
В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.
  
А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013). Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау. Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – [[А.П. Коханенко|А.П. Коханенко]], [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]], [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Томский государственный университет|ТГУ]].
+
Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау.
  
 +
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''==
 +
А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013). 
 +
 +
=='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''==
 +
Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – [[А.П. Коханенко|А.П. Коханенко]], [[:Категория: Доктора физико-математических наук|доктор физико-математических наук]], [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] [[Томский государственный университет|ТГУ]].
 +
 +
=='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''==
 
Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009).  
 
Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009).  
  
Строка 105: Строка 112:
 
=='''Труды'''==
 
=='''Труды'''==
 
*Совместно с Е.Р. Аигиной, В.В. Антоновым, М.В. Пашковским. Поверхностно-управляемые приборы на основе теллурида кадмия−ртути // Зарубежная электронная техника. 1984. № 5;
 
*Совместно с Е.Р. Аигиной, В.В. Антоновым, М.В. Пашковским. Поверхностно-управляемые приборы на основе теллурида кадмия−ртути // Зарубежная электронная техника. 1984. № 5;
*Совместно с Н.Р. Аигиной, Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, Ю.В. Медведевым. Сверхрешетки HgTe - CdTe - новый материал ИК оптоэлектроники // Зарубежная электронная техника. 1987. № 11;  
+
*Совместно с Н.Р. Аигиной, Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, [[Медведев, Юрий Васильевич|Ю.В. Медведевым]]. Сверхрешетки HgTe - CdTe - новый материал ИК оптоэлектроники // Зарубежная электронная техника. 1987. № 11;  
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000087782 Совместно с А.С. Петровым, Г.И. Потаховым. Оптика полупроводников. Учебное пособие. Томск, 1987];
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000087782 Совместно с А.С. Петровым, Г.И. Потаховым. Оптика полупроводников. Учебное пособие. Томск, 1987];
 
*Совместно с Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, Ю.В. Медведевым, А.В. Матвеенко. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений А4В4 // Зарубежная электронная техника. 1989. № 3;  
 
*Совместно с Н.Н. Берченко, И.И. Ижниным, Ю.В. Медведевым, А.В. Матвеенко. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений А4В4 // Зарубежная электронная техника. 1989. № 3;  
 
*Совместно с В.Н. Давыдовым. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск, 1990;  
 
*Совместно с В.Н. Давыдовым. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск, 1990;  
 
*Совместно с И.И. Ижниным, Н.А. Кульчицким, В.А. Кемарским. Приборы оптоэлектроники на основе структур CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Зарубежная электронная техника. 1992. № 12;  
 
*Совместно с И.И. Ижниным, Н.А. Кульчицким, В.А. Кемарским. Приборы оптоэлектроники на основе структур CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Зарубежная электронная техника. 1992. № 12;  
*Совместно с Ю.М. Андреевым, Л.М. Буткевичем, В.Г. Воеводиным, А.П. Вяткиным, В.П. Воронковым, А.С. Петровым. Элементная база оптико-электронных приборов. Ленинград, 1992;
+
*Совместно с Ю.М. Андреевым, Л.М. Буткевичем, В.Г. Воеводиным, А.П. Вяткиным, [[Воронков, Виктор Петрович|В.П. Воронковым]], А.С. Петровым. Элементная база оптико-электронных приборов. Ленинград, 1992;
 
*Совместно с В.О. Волошиным, М.Б. Гольманом, А.П. Коханенко. Радиационная физика узкозонных полупроводников. Павлодар, 1998;  
 
*Совместно с В.О. Волошиным, М.Б. Гольманом, А.П. Коханенко. Радиационная физика узкозонных полупроводников. Павлодар, 1998;  
 
*Совместно с Н.А. Кульчицким, В.Г. Срединым. Оптоэлектронные приборы на квантово-размерных структурах: Учеб. пособие. М., 1999;  
 
*Совместно с Н.А. Кульчицким, В.Г. Срединым. Оптоэлектронные приборы на квантово-размерных структурах: Учеб. пособие. М., 1999;  
Строка 125: Строка 132:
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444168 Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg] / И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444168 Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg] / И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444342 Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения] / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 73-75.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444342 Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения] / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 73-75.
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000451357 Типы детекторов терагерцового излучения / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 3. С. 25-34.
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000451357 Типы детекторов терагерцового излучения] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 3. С. 25-34.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448905 Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448905 Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448691 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137.  
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448691 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137.  
Строка 139: Строка 146:
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448835 Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 224-226.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448835 Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 224-226.
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000446510 Детектирование в терагерцовом диапазоне] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35.  
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000446510 Детектирование в терагерцовом диапазоне] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35.  
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472643 Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур] / С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130.
 
+
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464055 Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe] / К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
 
+
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000466118 Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами] / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
 
+
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472640 Переходная электролюминесценция в тонких полимерных плёнках] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 122-124.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507424 Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 204-211.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472342 Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 17-20.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472587 Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe] / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97.
 
+
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472349 Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39.
 
+
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507427 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 212-221.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472650 Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472356 Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии] / К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507327 Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468354 Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651 Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe] / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472338 Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии] / А. В. Войцеховский, В. Г. Сатдаров, А. П. Коханенко и др // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 5-7.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472591 Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470540 Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5-9.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472645 Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»] / А. А. Пищагин, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507335 Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507329 Войцеховский А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465730 Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe] / А. В. Войцеховский,Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507332 Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472712 Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112.
 
+
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472586 Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88.
 
+
 
+
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444560 Совместно с А.А. Скрыльниковым. Функциональная акустоэлектроника. Учебное пособие. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск, 2013];
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444560 Совместно с А.А. Скрыльниковым. Функциональная акустоэлектроника. Учебное пособие. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск, 2013];
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464340 Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники. Учебное пособие. Томск, 2013];
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464340 Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники. Учебное пособие. Томск, 2013];
 
*Совместно с Несмеловым С.Н. Приемники лазерного излучения // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500445 Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул / Под ред. В.Ф. Тарасенко. Томск, 2014];
 
*Совместно с Несмеловым С.Н. Приемники лазерного излучения // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500445 Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул / Под ред. В.Ф. Тарасенко. Томск, 2014];
 
*Совместно с V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov, D.V. Grigor’ev. Chapter 19. Application of Runaway Electron Preionized Diffuse Discharges for Surface Cleaning and Modification // Runaway Electrons Preionized Diffuse Discharges / Editors Victor F. Tarasenko. Hauppauge, New York, 2014.
 
*Совместно с V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov, D.V. Grigor’ev. Chapter 19. Application of Runaway Electron Preionized Diffuse Discharges for Surface Cleaning and Modification // Runaway Electrons Preionized Diffuse Discharges / Editors Victor F. Tarasenko. Hauppauge, New York, 2014.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516141 Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487234 Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501350 Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000499764 Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 45-49.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493293 Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Наноинженерия. 2014. № 6. С. 3-20.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493218 Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1312-1316.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492663 Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493301 Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете] / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493191 Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 62-67.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493221 Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 56-61.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000486636 О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны : учебное пособие : [для студентов, изучающих радиофизику, оптотехнику, фотонику, оптоинформатику, радиотехнику]] / И. В. Измайлов, Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Томский гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2014.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501343 Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS] / И. В. Романов, А. В. Войцеховский, К. М. Дегтяренко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493222 Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501491 Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487199 Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000481855 Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477749 Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493229 Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493261 Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, // Наноинженерия. 2014. № 4. С. 8-14.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000499765 Войцеховский А. В. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5-10.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781 Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 138.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519774 Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова] / Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. // Х Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 238-242.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519747 Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe] / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 39.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547575 Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617880 Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 184-188.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522408 Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000616185 Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, К. А. Лозовой // Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015) : материалы 3-й международной Школы-семинара молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур" (ФНМС-2015), 7-11 сентября 2015 г., г. Томск. Томск, 2015. С. 7.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519743 Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617825 Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si] / Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. // Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547241 Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522380 Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3] / И. А. Зятиков, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520432 Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 139.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547302 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379 Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547331 Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617879 Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров, К. А. Лазовой // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000586727 Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe] / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др. // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 333.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519746 Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением] / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский и др. // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 42.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519736 Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 135.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000550264 Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe] / В. А. Новиков, Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский и др. // Нанофизика и наноэлектроника : труды XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Н. Новгород, 2015. Т. 2, секция 3. С. 601-602.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535780 Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ] / Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501493 Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522376 Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии] / А. А. Пищагин, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522404 Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик] / А. В. Барко, А. В. Войцеховский, А. Г. Левашкин, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392 Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000514750 Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов университетов, обучающихся по направлениям подготовки "Фотоника и оптоинформатика", "Светотехника и источники света" и "Биофотоника"]] / Э. А. Соснин ; под ред. А. В. Войцеховского, А. Н. Солдатова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522406 Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением] / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000503100 О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны] / И. В. Измайлов, Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Том. гос. ун-т, [Радиофизический факультет, Кафедра квантовой электроники и фотоники]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539424 Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547260 Войцеховский А. В. Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522382 Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации] / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525154 Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением] / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522398 Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин, А. И. Ижнин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671318 Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 51.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671423 Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии] / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 173.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671425 Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge] / А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов, А. В. Войцеховский и др. // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 178.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454 Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ] / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617908 МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 378-379.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000587155 Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов] / Н. А. Паханов, О. П. Пчеляков, А. И. Якимов, А. В. Войцеховский // Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000629072 Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)] / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622616 Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213 Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3] / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000621134 Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623535 Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем] / Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577616 Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21..0,23) в диапазоне температур 9..77 К] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617907 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 380-381.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424 Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623534 Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622612 Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 198-.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623561 Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений] / С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577659 Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54-62.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566 Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622619 Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 58.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000737134 Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723485 Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658542 Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 395-398.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658547 О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, И. А. Денисов // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 405-407.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658546 Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, Р. М. Х. Духан // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 486-489.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658539 Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, М. С. Никитин // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 239-241.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000666770 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 395-397.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000666768 Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения] / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658540 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe] / И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, Z. Swiatek [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658544 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 401-405.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667696 Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658543 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов] / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 398-401.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658545 О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 408-410.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658541 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 392-394.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661253 Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, П. А. Ермаченков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000648574 Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2018. С. 394-395.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667711 Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667712 Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000759562 Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении] / В. Г. Средин, М. В. Сахаров, А. В. Войцеховский // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 134.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000782456 Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 439.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709242 Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 370.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000759865 Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe] / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 324.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709239 Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3] / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709264 К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 412-413.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709241 Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 368-369.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000759868 Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 373.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671718 Актуальные проблемы радиофизики : VIII Международная научно-практическая конференция : сборник трудов конференции, 1-4 октября 2019 г., г. Томск] / Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Радиофизический фак., Рос. фонд. фундамент. исслед. ; ред. кол.: Войцеховский А .В. [и др.]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2019.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000759618 Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, В. В. Дирко, А. В. Войцеховский // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 111.
 +
* Совместно с Сосниным Э. А. [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000651381 Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 12.00.00 "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии" по направлениям подготовки магистратуры 12.04.02 Оптотехника, 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика]] / Э. А. Соснин ; под ред. А. В. Войцеховского, А. Н. Солдатова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2019.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709238 Гибридный подход к разработке лазерных систем зондирования газово-аэрозольных сред] / О. К. Войцеховская, А. В. Войцеховский // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 282.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709240 Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур] / С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 366-367.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709246 Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe] / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709244 Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si] / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, В. В. Дирко, А. В. Войцеховский // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 372.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000737702 Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением] / В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 503-504.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565536 Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 19-20.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000737612 Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 423-424.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792359 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. М., 2020. С. 113-114.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565427 Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 8-9.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565538 Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера] / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. В. Войцеховский // Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 38-39.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792363 Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. С. 111-112.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000566290 Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. // Сборник трудов XII Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2020" Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 год. СПб., 2020. С. 276-278.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000566291 Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Сборник трудов XII Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2020", Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 год. СПб., 2020. С. 279-281.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565429 Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 17-18.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000793068 Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве] / А. В. Войцеховский, К. А. Лозовой, В. П. Винарский, В. В. Дирко // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. М., 2020. С. 110-111.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000737611 Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891050 Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 147.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891042 Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной] / К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 64.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000702763 Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 603-604.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000702775 Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2021. С. 233-234.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720823 Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона : [монография]] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, Д. И. Горн ; науч. ред. А. В. Войцеховский. - Томск : Издательство Томского государственного университета, 2021.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895252 Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314 Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891049 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг] / А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000702776 Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2021. С. 215-216.
 +
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891047 Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 136.
 +
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893895 Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] // Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б. К. Вайнштейна ; Четвертая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22–26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. [Б. м.], 2021. С. 48.
  
 
=='''Источники и литература'''==
 
=='''Источники и литература'''==
 
*[[Сибирский физико-технический институт|Сибирский физико-технический институт]] им. [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецова]] при [[Томский государственный университет|Томском государственном университете]]. 50 лет. Томск, 1978;
 
*[[Сибирский физико-технический институт|Сибирский физико-технический институт]] им. [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецова]] при [[Томский государственный университет|Томском государственном университете]]. 50 лет. Томск, 1978;
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981];
 
*[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981];
*Светлов А. “Генераторы идей” остаются и создают новые “идеологии” // Alma Mater. 1993. 26 февраля;
+
*Светлов А. “Генераторы идей” остаются и создают новые “идеологии” // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2018/000025030/1993/1993_005.pdf Alma Mater. 1993. 26 февраля];
 
*[[Томский государственный университет|Томский государственный университет]]: Ежегодник-2000–2013 / Под ред. [[Майер, Георгий Владимирович|Г.В. Майера]]. Томск, 2001–2014;
 
*[[Томский государственный университет|Томский государственный университет]]: Ежегодник-2000–2013 / Под ред. [[Майер, Георгий Владимирович|Г.В. Майера]]. Томск, 2001–2014;
 
*Ведущие научно-педагогические коллективы [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. Справочник. Томск, 2003;
 
*Ведущие научно-педагогические коллективы [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]]. Справочник. Томск, 2003;

Текущая версия на 17:14, 13 октября 2023

ВойцеховскийАВ.png
Дата рождения:

26 июля 1943 г.

Место рождения:

Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области

Научная сфера:

физика

Научная школа

"Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров)

Период работы в Томском университете :

с июня 1966 г. по настоящее время

Место работы в Томском университете:

СФТИ; радиофизический факультет

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Томский государственный университет

Награды и премии:


премия Томской области в сфере образования и науки (1998, 2005, 2008), медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом” (1998), серебряная медаль “В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета” (2013).

ВОЙЦЕХОВСКИЙ Александр Васильевич (родился 26 июля 1943, Малое Бабарыкино Шегарского района Новосибирской области) – физик, профессор кафедры квантовой электроники и фотоники Томского государственного университета.

Семья

Отец А.В. Войцеховского, Василий Васильевич (1914–1943), родом из крестьян, до начала Великой Отечественной войны работал в колхозе, воевал в звании рядового, погиб в сентябре 1943 г. под селом Плоским в Смоленской области. Мать, Анна Кузьминична (дев. Сорокина, 1915–2001), родилась в крестьянской семье. Ее родители подверглись репрессиям в ходе массовой коллективизации. После войны работала на Новосибирском стрелочном заводе и воспитывала 2 детей. Сестра А.В. Войцеховского Татьяна (в замужестве Федотова, родилась в 1936) работала на том же заводе, что и мать.

А.В. Войцеховский женат на Ольге Кузьминичне (дев. Цыцарева, родилась в 1944), профессоре ТГУ. Их сын Андрей (родился в 1964) окончил радиофизический факультет ТГУ, предприниматель.

Студенческие годы

А.В. Войцеховский окончил среднюю школу № 45 на станции Инской Томской железной дороги (1960). В том же году был принят в число студентов физического факультета ТГУ. На 3-м курсе перевелся на радиофизический факультет. Слушал лекции Э.С. Воробейчикова, Ю.С. Завьялова, В.Н. Кессениха, В.Ф. Конусова, А.С. Майдановского, А.С. Петрова, А.Б. Сапожникова, В.А. Филоненко, Н.Г. Щеглова и др. Курсовые работы писал под научным руководством Э.С. Воробейчикова. Занимался спортом (легкая атлетика) и выступал за сборную команду ТГУ.

Окончил с отличием университет (1965) по специальности “Радиофизика и электроника” с квалификацией “физик-радиоэлектроник”, защитив дипломную работу “Фотоемкостные датчики излучения на полупроводниках с глубокими примесями” (научный руководитель – доцент, впоследствии профессор ТГУ А.С. Петров).

В Новосибирске

С февраля 1966 г. – инженер Новосибирского института мер и измерительных приборов.

В Томске

С июня 1966 г. – младший научный сотрудник, с 1967 г. – старший научный сотрудник СФТИ при ТГУ. С 1 января 1983 г. по настоящее время – заведующий кафедрой квантовой электроники и фотоники радиофизического факультета ТГУ.

По совместительству с июня 1988 г. – заведующий лабораторией фотоэлектроники, с 1996 г. – заведующий отделом радиоэлектроники СФТИ.

С 2005 г. – руководитель НОЦ “Функциональные материалы радио и оптоэлектроники” (отделение ФМРО). С 2014 г. – заведующий лабораторией “«Оптическая электроника” ТГУ. В настоящее время - ведущий научный сотрудник научной лаборатории терагерцовых исследований ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности “Радиофизика, включая квантовую радиофизику” присвоено ВАК 5 сентября 1979 г. Ученое звание профессора кафедры квантовой электроники присвоено Госкомитетом СССР по народному образованию 18 ноября 1988 г.

Преподавательская деятельность

В ТГУ читает курсы: “Введение в радиофизику и электронику”, “Физические основы функциональной электроники”, спецкурсы: “Прием оптических сигналов”, “Оптические явления в полупроводниках”, “Приборы с переносом заряда”, “Фотоэлектроника”, “Оптоэлектроника”, “Оптоэлектронные приборы на структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках”, “Коллективные явления в твердых телах”, “Фазовые переходы и сверхпроводимость в твердых телах”, “Самоорганизация в полупроводниках”, “Оптические процессы в полупроводниках”, “Оптическая электроника”, “Низкоразмерные структуры в оптоэлектронике”.

Направления научной деятельности

Областью научных интересов А.В. Войцеховского являются радиационная физика узкозонных полупроводниковых материалов и фотоэлектрических структур на их основе, физика процессов на границах раздела сред в поверхностно-барьерных структурах. Им были выявлены закономерности радиационных воздействий на сложные полупроводниковые соединения, физические основы элементов радиационной технологии получения фоточувствительных материалов и структур с заданными параметрами. Созданы опытные образцы фотоприемников ИК-излучения для активных и пассивных оптических систем различного назначения.

Наряду с этим А.В. Войцеховский занимался развитием физических представлений об электронных процессах на границах раздела диэлектрик-узкозонный полупроводник, разрабатывал и исследовал приборные структуры типа “металл – диэлектрик – полупроводник” (МДП) на основе узкозонных полупроводниковых соединений и создавались фоточувствительные МДП-датчики излучения для регистрации слабых световых потоков. В ходе исследований выявлена энергетическая структура дефектов (включая радиационные), формирующих электрические и рекомбинационные свойства объемной и приповерхностной областей узкозонных полупроводников и границы раздела с диэлектриком. Обоснована применимость явлений электрон-позитронной аннигиляции и резерфордовского обратного рассеяния ионов для диагностики ростовых и радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках и на границе раздела фаз и с их помощью изучены процессы дефектообразования при различных режимах облучения. В его работах даны модельные представления радиационно-стимулированной диффузии примесей в сложных полупроводниковых соединениях под влиянием облучения ионизирующих частиц и ионов. Определены закономерности ионного легирования примесей и нейтронной трансмутации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, физические и физико-химические особенности электронных процессов на поверхности и границе раздела “полупроводник – диэлектрик”, формирующие электрофизические и рекомбинационные характеристики МДП-структур на основе целого ряда узкозонных полупроводниковых соединений. Наряду с этим предложены методы радиационного управления свойствами узкозонных полупроводниковых соединений и фотоэлектрических поверхностно-барьерных структур на их основе. Разработаны и созданы фотоприемные структуры, чувствительные в широкой области ИК-диапазона длин волн для оптических систем различного назначения.

27 ноября 1975 г. в диссертационном совете при ТГУ А.В. Войцеховский защитил диссертацию “Исследование и разработка фоторезисторных приемников ИК-диапазона с постоянным и СВЧ-смещением на основе примесных и собственных полупроводниковых материалов” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – доктор физико-математических наук, профессор В.И. Гаман и кандидат физико-математических наук, доцент И.С. Захаров; утвержден ВАК 7 июля 1976).

В 1984 г. в специализированном совете при ТГУ защитил диссертацию “Радиационное управление характеристиками фоточувствительных структур на основе узкозонных твердых растворов” на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант – профессор А.С. Петров; официальные оппоненты – доктора физико-математических наук Л.К. Водопьянов, В.Г. Савицкий и Н.С. Несмелов; утвержден ВАК 6 декабря 1985).

В настоящее время научные интересы А.В. Войцеховского сосредоточены на исследованиях фотоэлектрических, флуктуационных и рекомбинационных свойств многослойных полупроводниковых структур (включая сверхрешетки и квантовые ямы), созданных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые проводятся в сотрудничестве с Институтом физики полупроводников СО РАН. Кроме того, он продолжает работы в области физических основ новейшей технологии создания фотоприемных элементов при использовании мощных импульсных пучков ионов и электронов наносекундной длительности, генерированных ускорителями на эффекте взрывной эмиссии. В частности, разработаны элементы технологии создания матричных поверхностно-барьерных приемников ИК-диапазона на основе силицидов металлов и сплавов германия-кремния.

Автор более 650 работ, в том числе 6 монографий, 8 учебных пособий. Имеет 15 авторских свидетельств, 2 патента РФ и 3 ноу-хау.

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

А.В. Войцеховский принимал участие в работе более 100 международных, всесоюзных и российских научных конференций, совещаний и симпозиумов. В их числе международная конференция “Диагностика и контроль сложных полупроводников и технологий” (Фрайбург, Германия, 1996), VIII международная конференция по позитронной аннигиляции (Галле, Германия, 1998), международная конференция по твердотельным кристаллам (Закопане, Польша, 1998, 2000, 2002), I–VI Международные оптические конгрессы (Санкт-Петербург, 2000–2014), XVI–XXIII Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000–2014) и другие. Являлся председателем оргкомитета Всесоюзных семинаров “Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника”, членом программного комитета конференции “Оптика и образование”, I–VI Оптических конгрессов, международной конференции “Актуальные проблемы радиофизики” (2003–2013).

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Подготовил 18 кандидатов наук и 2 докторов наук. Один из учеников – А.П. Коханенко, доктор физико-математических наук, профессор ТГУ.

Научно-организационная и экспертная деятельность

Исследования А.В. Войцеховского поддержаны грантами РФФИ (1997–2012), Гособоронзаказом (2005), программой ИОП ТГУ (2007–2009), ФЦП (2007–2013), госзаказом Минобрнауки РФ (2012–2016), программой Государственной поддержки ведущих университетов РФ (2014). А.В. Войцеховский удостоен Золотой медали Московского международного салона инноваций и инвестиций (2009).

А.В. Войцеховский возглавляет научную школу “Взаимодействие излучения с веществом” (основатель – профессор А.С. Петров), в состав которой в настоящее время входят 7 докторов наук, около 30 кандидатов наук. Поддерживает научные связи с Институтом электроники Болгарской АН и Институтом прикладной физики (Польша), Берлинским университетом прикладных наук (Германия), университетом Лафборо (Англия), Львовским политехническим университетом (Украина).

Научно-организационная деятельность

С 1995 г. – член редколлегии журнала “Известия вузов. Физика” (Томск). Состоял председателем секции Томского редакционного совета издательства “Радио и связь”, членом секции Научного совета АН СССР по физике полупроводников, членом координационного совета СО АН СССР “Монокристалл”. В настоящее время – член диссертационных советов Д 212.267.04 и Д 212.267.07 по защите докторских диссертаций в ТГУ и диссертационного совета в ТПУ. Действительный член Академии технологических наук Российской Федерации (2009), Академии военных наук Российской Федерации (2005), Международной академии наук высшей школы (2005). Член-корреспондент СО МАНВШ (1997). Изобретатель СССР (1990). Зарегистрирован в федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (2001); эксперт научно-технической сферы ГУ РИНКЦЭ (2012).

Общественная деятельность

Состоял в КПСС (1972–1991). Избирался председателем группы народного контроля СФТИ (1970-е), членом и секретарем бюро ВЛКСМ СФТИ, членом партбюро института, членом бюро головной группы народного контроля ТГУ (1980-е), членом парткомиссии по контролю за деятельностью администрации СФТИ.

Награды

Ведомственные

  • Нагрудный знак “За отличные успехи в работе” (1987);
  • Нагрудный знак “За развитие научно-исследовательской работы студентов” (2009);
  • Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2008).


Региональные


Томского государственного университета

Премии

Томского государственного университета

  • Премия ТГУ (совместно с В.Н. Давыдовым) за монографию “Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных проводников” (1992);
  • Премия ТГУ (2016).

Почетные звания

Труды

Источники и литература