ГАМАН Василий Иванович (р. 21 февр. 1929, с. Андреевка Любинского р-на Омск. окр.) – профессор кафедры полупроводниковой электроники.
Его отец, Иван Иванович (1902-1984), родом из крестьян, большую часть жизни был на хоз. и парт. работе. Избирался председателем колхоза, после окончания парт. курсов в Тюмени (1936) работал инструктором Любинского райкома ВКП(б), директором совхоза. В 1938-1939 был вторым секретарем того же райкома. С 1939 – секретарь Ханты-Мансийского окружкома партии (по кадрам). С 1944 – первый секретарь сельского Омского райкома ВКП(б), затем директор подсобного хозяйства Омск. облисполкома. Непосредственно перед пенсией работал зам. гл. врача по хозяйству глазной больницы. Мать, Степанида Антоновна (1907-1998), большую часть жизни вела домашнее х-во и воспитывала 4 детей. В 1947 Г. окончил среднюю школу № 19 им. В.И.Ленина в Омске. В том же году поступил на физ.-мат. ф-т (с 1948 – физ.) ТГУ и окончил его в 1952 по специальности «физика» с квалификацией «физик». Будучи студентом, избирался профоргом и комсоргом группы. Под руководством доц. А.М. Вендеровича написал дипломную работу на тему «Электропроводность твердых диэлектриков в сильных электрических полях при высоких давлениях». С 1952 – асс., с 1961 – доц. каф. общей физики (утв. ВАК 17 дек. 1960), с 1 сент. 1964 по 1 дек. 2000 – зав. каф. полупроводников и диэлектриков (с 1983 – каф. полупроводниковой электроники). Ст. науч. сотр. (докторант) с 1967 по 1969, проф. с 1970 (утв. ВАК 16 дек. 1972). Декан радиофиз. ф-та с 1 марта 1970 по 21 нояб.1973. С 1 дек. 2000 – проф. каф. полупроводниковой электроники. Читал или продолжает читать курсы - общая физика (на хим., физ.-техн. и радиофиз. ф-тах); физика твердого тела, физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, твердотельная электроника и спецкурсы «Физика МДП-структур и приборов на их основе», «Избранные главы физики полупроводниковых приборов», «Кинетические явления в полупроводниках» (на радиофиз. ф-те). Его лекции необыкновенно информативны и всегда содержат рассказ о новейших достижениях науки. Науч. интересы Г. до 1959 были связаны с физикой диэлектриков, а последующие годы – с физикой полупроводников и полупроводниковой электроникой. Его науч. руководителем в аспирантуре был вначале доц. А.М. Вендерович. а после его смерти - В.А.Преснов. 11 июля 1958 в объединенном совете физ. и радиофиз. ф-тов ТГУ Г. защитил дис. «Изучение электрических свойств твердых диэлектриков в сильных электрических полях» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук. Его работа посвящ. исследованию электрической проводимости силикатных и боросиликатных стекол в сильных электрических полях. Г., в частности, установил, что электропроводность стекол возрастает в сильных электрических полях не только за счет увеличения проводимости токонесущих ионов, но и за счет роста концентрации носителей заряда. Полученные автором эксперим. данные по температурной зависимости электропроводности стекол указывали на наличие в силикатных и боросиликатных стеклах упорядоченных микрообластей кремнезема, способных к полиморфным превращениям, что подтверждало кристаллитную гипотезу строения стекла, высказанную акад. А.А. Лебедевым. В 1969 в совете по физ. специальностям при ТГУ Г. защитил дис. «Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах» на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук (офиц. оппоненты - профессора А.Ф. Кравченко, В.Н. Детинко и Г.А. Воробьев; утв. ВАК 16 апр. 1971). Теорет. часть его работы посвящ. разработке теории переходных процессов в полупроводниковых диодах с тонкой базой, в том числе при наличии встроенного электрического поля в базе и при учете зарядной емкости p-n-перехода. Основные положения дис. были использованы для создания эксперим. методов определения скорости поверхностной рекомбинации на невыпрямляющем контакте или на свободной поверхности базы диодных и транзисторных структур. Эта часть работы имела большое практ. значение, так так в науч.-исслед. ин-тах электронной промышленности в то время велись интенсивные поиски защитных покрытий (для диодов и транзисторов), которые обеспечивали бы минимальное значение скорости поверхностной рекомбинации. В главе «Применение переходных процессов для оценки качества защитных покрытий на полупроводниковых диодах» Г. показал, что исследование переходных процессов в совокупности с измерениями обратного тока дает наиболее полную характеристику защитного покрытия. Разработанный им метод определения скорости поверхностной рекомбинации и известный метод определения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда в базе диода были использованы для исследования влияния мех. давления, ионизирующего излучения и магнитного поля на скорость протекания процесса рекомбинации носителей заряда в объеме и на поверхности базы германиевых и кремниевых диодов. Они представляли интерес для разработчиков датчиков мех. давления, магнитного поля и детекторов ионизирующих излучений. Важными оказались и полученные Г. результаты исследований вольт-амперных характеристик и переходных процессов в тонкопленочных структурах металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник (ХСП) – металл и металл – ХСП - германий. На основе этих структур оказалось возможным создание приборов с диодной характеристикой и однополярных переключателей с памятью. В эксперим. исследованиях по теме дис. работы активное участие принимали аспиранты: В.Ф. Агафонников, В.Д. Базаров, С.А. Зайдман, А.П. Хлестунов, В.А. Резников, науч. сотр. В.М. Калыгина и А.А. Сироткин. Г. выступил с докл. на науч. конф. и совещаниях, в т.ч. на III Межвузовской конф. по совр. технике диэлектриков и полупроводников (Ленинград, 1960), совещании по электронно-дырочным переходам в полупроводниках (Ташкент, 1961), 2-м Всесоюзн. совещании по p-n-переходам в полупроводниках (Рига, 1964), 3-м Всесоюзн. симпозиуме по физике горячих носителей тока (Вильнюс, 1965), 4-м Всесоюзн. симпозиуме по стеклообразным халькогенидным полупроводникам (Ленинград, 1967) и др.. Совм. с А.А. Сироткиным и В.А. Пресновым он получил авторское свидетельство на изобретение состава боросиликатного стекла, которое могло быть использовано для защиты поверхности кремниевых приборов (1963). В дальнейшем Г. занимался исследованием электронных процессов в оксидных и халькогенидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах металл - стеклообразный полупроводник - германий (кремний, арсенид галлия). Основное внимание он уделял изучению механизмов переноса заряда и природы эффектов переключения и памяти. Совм. с О.Е. Модебадзе, В.М. Калыгиной, В.И. Косинцевым, Ц.В. Кикайчишвили Г. получил 3 авторских свидетельства на изобретения по составам оксидных полупроводниковых стекол, которые предназначались для изготовления переключающих и запоминающих устройств. Была установлена природа эффекта памяти в ряде оксидных стеклообразных полупроводников и в поликристаллическом оксиде свинца. Разработана конструкция энергонезависимого элемента памяти на основе структуры – металл - оксид свинца - кремний (или арсенид галлия), обладающего рядом преимуществ по сравнению с известными элементами на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором. Оригинальность разработки подтверждена авторским свидетельством на изобретение (1986), полученным им совм. с Г.А. Бабченко, В.М. Калыгиной, А.И. Николаевым, Л.В. Пикулевой. В результате многолетних исследований Г. пришел к выводу, что основные закономерности электрических свойств ванадийсодержащих оксидных стеклообразных полупроводников допускают непротиворечивое количественное описание в рамках теории поляронов малого радиуса. О результатах изучения электрических свойств тонкопленочных структур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников Г. сообщил в докл. на 6-й междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам (Ленинград, 1976), междунар. конф. «Аморфные полупроводники –80» (Кишинев, 1980), «Аморфные полупроводники – 84» (Болгария, 1984). Им было открыто явление генерации переменного тока ВЧ-диапазона в структурах металл - аморфный слой тиогерманата тербия – n-германий. На основе этого явления в соавт. с В.Ф. Агафонниковым, С.Ф. Глущуком, Л.И. Дорошенко, М.П. Степанец была разработана конструкция полупроводникового генератора переменного тока ВЧ-диапазона и получено авторское свидетельство на изобретение (1977). Совм. с В.Ф. Агафонниковым и С.Ф. Глущуком Г. получил также авторское свидетельство на конструкцию светочувствительного полупроводникового генератора (1986). Исследования по стеклообразным полупроводникам проводились в тесном сотрудничестве с лаб. ФТИ им. А.Ф. Иоффе (зав. проф. Б.Т. Коломийц), Ин-том кибернетики АН ГССР, НИИПП (Томск). Второе направление исследований Г. связано с изучением влияния примесных центров с глубокими уровнями на электрические, фотоэлектрические и тензоэлектрические свойства диодных структур на основе арсенида галлия. О результатах физ. исследований в этом направлении Г. доложил на Всесоюзн. совещаниях по исследованию арсенида галлия (Томск, 1974, 1978, 1982, 1987). Г. принимал активное участие в организации этих конф., являясь членом оргкомитета. Совм. с А.А. Вилисовым, Г.М. Фукс, В.М. Диамантом, С.С. Хлудковым он получил 4 авторских свидетельства на изобретения конструкции приборов различного назначения. Начиная с 1990 Г. руководит исследованиями по следующим направлениям: закономерности развития винтовой неустойчивости (ВН) полупроводниковой плазмы в кремниевых диодных структурах; влияние активных газов на электрические свойства структур металл – диэлектрик - полупроводник (МДП-структур) и туннельных МДП-диодов. По первому направлению им впервые показана возможность возбуждения ВН в кремнии при комнатной и более высоких температурах. Детально изучены механизмы переноса заряда в диодных структурах на основе высокочистого кремния и закономерности развития ВН в широком интервале температур. Совм. с Г.Ф. Карловой, П.Н. Дроботом, Н.Н. Ивановой был разработан датчик магнитной индукции с частотным выходом, получен патент на изобретение (1990). Совм. с П.Н. Дроботом разработана конструкция датчика температуры с частотным выходом, получено свидетельство на полезную модель (1995). По второму направлению - установлены механизмы влияния активных газов (например, водорода) на вольт-амперные, вольт-фарадные и вольт-симменсные характеристики МДП-диодов, показана возможность использования таких диодов в качестве миниатюрных и высокочувствительных газовых датчиков. В 1994-1996 совм. с В.М. Калыгиной и А.В. Паниным велись работы, посвящ. изучению влияния состава диэлектрика, термического и импульсного лазерного отжига, подлегирования поверхности арсенида галлия серой, селеном и теллуром на электрические характеристики МДП-структур. Была продемонстрирована возможность управления плотностью поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - арсенид галлия. Всего Г. опубликовано более 170 ст., 5 учеб. пособий, написано 5 науч.-техн. отчетов для НИИ и предприятий электронной промышленности, получено 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения. Им подготовлено 22 канд. наук, двое из которых (В.Ф. Агафонников и В.Д. Окунев) впоследствии защитили докт. дис. Среди его учеников - канд. физ.-мат. наук В.М. Калыгина, В.И. Косинцев, М.О. Дученко, А.В. Панин и др. Большое внимание Г. уделяет учеб.-метод. работе. В соавт. с сотр. каф. им опубликовано 3 лабораторных практикума (1971, 1979, 1980). В 1989 он опубликовал учеб. пособие «Физика полупроводниковых приборов» с грифом «Допущено Госкомитетом СССР по народному образованию в качестве учеб. пособия для студентов вузов», отмеченное премией ТГУ за лучшую науч. работу по разделу физ. наук (1990). 2-е доп. изд. этого пособия (2000) имеет гриф «Рекомендовано МО РФ в качестве учеб. пособия для студентов вузов, обучающихся по специальностям «радиофизика и электроника» и «оптоэлектронные приборы и системы». Г. издано 7 метод. указаний по лабораторным работам. В 1971, 1977 и 1981 изд-вом МГУ изданы три типовые программы по общим дисциплинам, составленные Г. и утв. науч.-метод. советом по физ. университетскому образованию MB и ССО СССР. В течение ряда лет Г. являлся зам. председателя метод. совета ТГУ. С 1969 - член ред. коллегии ж. «Изв. вузов. Физика», с 1981 – зам. гл. ред. ж. В 1979-1984 принимал участие в координации науч.-исслед. работ в ун-тах страны в качестве члена секции физики и химии полупроводников науч.-техн. совета Минвуза СССР. В этот же период был членом науч.-метод. совета по физ. университетскому образованию при учеб.-метод. управлении по высшему образованию Минвуза СССР и вел работу по составлению типовых программ по полупроводниковой и вакуумной электронике. В 1970-1973 – председатель совета по присуждению учен. ст. по радиофиз. специальностям при ТГУ, до 2000 – зам. председателя дис. совета по присуждению учен. ст. канд. наук. Избирался депутатом Кировского райсовета (1965-1967). Награжден значком Минвуза СССР «За отличные успехи в работе» (1978), медалью “За заслуги перед Том. гос. ун-том” (1998), почетными грамотами МВ ССО СССР (1983) и Министерства общего и профессионального образования (1998). Почетный работник высшего профессионального образования РФ (1997). Увлекается пешими и лыжными прогулками в окрестностях Томска, фотографией, чтением худож. лит. (А. Чехов, К. Паустовский, А. Толстой, В. Пикуль, В. Дудинцев, А. Кристи, Ж. Сименон и др.). Был дважды женат. Первым браком – на Вере Валентиновне Нуварьевой, канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр. СФТИ. В настоящее время на пенсии. Вторым браком на Валентине Алексеевне Яковлевой. Она работала преподавателем лит. в школе № 51. Засл. учитель РСФСР. В настоящее время на пенсии. Сын Алексей (р. 1957) окончил ТМИ, инженер-технолог Том. фармацевтического завода.
