[досмотренная версия][досмотренная версия]
 
(не показано 11 промежуточных версии 3 участников)
Строка 2: Строка 2:
 
  |Имя                  = КАНДЫБА, ПЕТР ЕФИМОВИЧ
 
  |Имя                  = КАНДЫБА, ПЕТР ЕФИМОВИЧ
 
  |Оригинал имени      =  
 
  |Оригинал имени      =  
  |Фото                =  
+
  |Фото                = Кандыба_П.Е..jpg
 
  |Ширина              =  
 
  |Ширина              =  
 
  |Подпись              =  
 
  |Подпись              =  
 
  |Роспись              =  
 
  |Роспись              =  
  |Дата рождения        = [[Июнь в истории Томского университета|17 июня]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]]
+
  |Дата рождения        = [[17 июня в истории Томского университета|17]] [[Июнь 1935 года в истории Томского университета|июня]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]]
 
  |Место рождения      = станция Камарчага Красноярского края
 
  |Место рождения      = станция Камарчага Красноярского края
 
  |Дата смерти          =  
 
  |Дата смерти          =  
Строка 13: Строка 13:
 
  |Научная сфера        = Физика, электроника
 
  |Научная сфера        = Физика, электроника
 
  |Научная школа        =  
 
  |Научная школа        =  
  |Период работы в Томском университете  = 1954–1959
+
  |Период работы в Томском университете  =  
  |Место работы в Томском университете  = [[Историко-филологический факультет|историко-филологический факультет]]
+
  |Место работы в Томском университете  =  
  |Учёная степень      = Доктор технических наук
+
  |Учёная степень      = [[:Категория: Доктора технических наук|доктор технических наук]]
  |Учёное звание        = Профессор
+
  |Учёное звание        = профессор
  |Альма-матер          = [[Томский государственный университет|Томский государственный университет]]
+
  |Альма-матер          = [[Томский государственный университет]]
 
  |Научный руководитель = [[Воженин, Иван Никитич|И.Н. Воженин]]
 
  |Научный руководитель = [[Воженин, Иван Никитич|И.Н. Воженин]]
 
  |Знаменитые ученики  = А.А. Голубский, Г.Я. Павлов, В.В. Минаев, Е.А. Фетисов
 
  |Знаменитые ученики  = А.А. Голубский, Г.Я. Павлов, В.В. Минаев, Е.А. Фетисов
  |Награды и премии    = орден «Знак Почета» (1981), орден Трудового Красного Знамени (1986), медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970), медаль «Ветеран труда» (1985), Государственная премия РФ в области науки и техники ([[1993 год в истории Томского университета|1993]]), медаль «В память 850-летия Москвы» (1997), премия АН СССР (1974 г.).  
+
  |Награды и премии    = орден [[:Категория: Кавалеры ордена «Знак Почета»|«Знак Почета»]] ([[1981 год в истории Томского университета|1981]]), орден [[:Категория: Кавалеры ордена Трудового Красного Знамени|Трудового Красного Знамени]] ([[1986 год в истории Томского университета|1986]]), премия АН СССР (1974), [[:Категория: Лауреаты Государственной премии РФ|Государственная премия РФ]] в области науки и техники ([[1993 год в истории Томского университета|1993]]) и др.
 
}}
 
}}
 
+
'''КАНДЫБА ПЕТР ЕФИМОВИЧ''' (р. [[17 июня в истории Томского университета|17]] [[Июнь 1935 года в истории Томского университета|июня]] [[1935 год в истории Томского университета|1935]], станция Камарчага, Манский район,  Красноярский край) – [[:Категория: Выпускники Радиофизического факультета Томского университета|выпускник]] радиофизического факультета [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]] по специальности «физик-радиоэлектроник».
 
+
'''КАНДЫБА ПЕТР ЕФИМОВИЧ''' (родился 17 июня 1935, станция Камарчага, Манский район,  Красноярский край) – выпускник [[Радиофизический факультет|радиофизического факультета]] [[Томский государственный университет|Томского государственного университета]] по специальности «физик-радиоэлектроник».
+
  
 
=='''Семья'''==
 
=='''Семья'''==
 
 
Отец, Ефим Анисимович (1896–1967), из крестьян, с 1929 г. по 1960 г. – бухгалтер. Мать, Кандыба Анисья Кузьмовна (1903–1992) из крестьян, домохозяйка. Жена Петрова Валентина Захаровна (р. 1931), окончила Ленинградский технологический институт, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР. В 1966–2001 гг. заведовала кафедрой общей химии МИЭТ, с 2001 г. по настоящее время – профессор-консультант кафедры микроэлектроники Московского института электронной техники (МИЭТ). Дочь Мартынова (Кандыба) Анна Петровна (р. 1961), окончила факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ  (1984), инженер электронной техники. С 2016 г. – на пенсии. Сын Кандыба Дмитрий Петрович (р. 1965), окончил факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1988), инженер электронной техники.  
 
Отец, Ефим Анисимович (1896–1967), из крестьян, с 1929 г. по 1960 г. – бухгалтер. Мать, Кандыба Анисья Кузьмовна (1903–1992) из крестьян, домохозяйка. Жена Петрова Валентина Захаровна (р. 1931), окончила Ленинградский технологический институт, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР. В 1966–2001 гг. заведовала кафедрой общей химии МИЭТ, с 2001 г. по настоящее время – профессор-консультант кафедры микроэлектроники Московского института электронной техники (МИЭТ). Дочь Мартынова (Кандыба) Анна Петровна (р. 1961), окончила факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ  (1984), инженер электронной техники. С 2016 г. – на пенсии. Сын Кандыба Дмитрий Петрович (р. 1965), окончил факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1988), инженер электронной техники.  
  
=='''Обучение в Томском государственному университете'''==
+
=='''Студенческие годы'''==
 
+
В 1954 г. П.Е. Кандыба с отличием окончил техникум железнодорожного транспорта в Красноярске и [[:Категория: Учились в Томском университете|поступил]] на первый курс радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его [[:Категория: Преподаватели Томского университета|преподавателей]] были: [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожников]], [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьянов]], [[Детинко, Владимир Никитич|В.Н. Детинко]], [[Щеглов, Николай Георгиевич|Н.Г. Щеглов]], [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчиков]], [[Климентьев, Федор Иванович|Ф.И. Климентьев]]. В период учебы в [[Томский государственный университет|ТГУ]] избирался комсоргом группы, секретарем комсомольского бюро курса, заместителем секретаря комсомольского бюро радиофизического факультета. В 1959 г. [[:Категория: Выпускники Радиофизического факультета Томского университета|окончил университет]] по специальности «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Флуктуации амплитуды и фазы автогенератора на полупроводниковом транзисторе П-401» (научный руководитель [[Воженин, Иван Никитич|И.Н. Воженин]]).  
В [[1954 год в истории Томского университета|1954]] г. П.Е. Кандыба с отличием окончил техникум железнодорожного транспорта в Красноярске и поступил на первый курс [[Радиофизический факультет|радиофизического факультета]] [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Среди его преподавателей были: [[Кессених, Владимир Николаевич|В.Н. Кессених]], [[Сапожников, Александр Борисович|А.Б. Сапожников]], [[Водопьянов, Константин Алексеевич|К.А. Водопьянов]], [[Детинко, Владимир Никитич|В.Н. Детинко]], [[Щеглов, Николай Георгиевич|Н.Г. Щеглов]], [[Воробейчиков, Эрик Сергеевич|Э.С. Воробейчиков]], [[Климентьев, Федор Иванович|Ф.И. Климентьев]]. В период учебы в ТГУ избирался комсоргом группы, секретарем комсомольского бюро курса, заместителем секретаря комсомольского бюро радиофизического факультета. В [[1959 год в истории Томского университета|1959]] г. окончил университет по специальности «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Флуктуации амплитуды и фазы автогенератора на полупроводниковом транзисторе П-401» (научный руководитель [[Воженин, Иван Никитич|И.Н. Воженин]]).  
+
  
 
=='''От инженера до генерального директора'''==
 
=='''От инженера до генерального директора'''==
 +
После окончания [[Томский государственный университет|ТГУ]] с 1959 г. по 1963 г. П.Е. Кандыба работал инженером, а затем старшим инженером, начальником лаборатории предприятия п/я-28 г. Бийска (ныне НПО «Алтай»). Участвовал в разработке систем автоматического управления.
  
После окончания ТГУ с 1959 г. по 1963 г. П.Е. Кандыба работал инженером, а затем старшим инженером, начальником лаборатории предприятия п/я-28 г. Бийска (ныне НПО «Алтай»). Участвовал в разработке систем автоматического управления.
 
 
1963–1970 гг. П.Е. Кандыба был переведен в Москву на должность начальника лаборатории, а впоследствии начальника отдела в НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР.  
 
1963–1970 гг. П.Е. Кандыба был переведен в Москву на должность начальника лаборатории, а впоследствии начальника отдела в НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР.  
 +
 
В 1970 г. П.Е. Кандыба избран по конкурсу на должность начальника физико-технологического отделения НИИ физических проблем МЭП, где он осуществлял организационное и научное руководство разработками физико-химических основ технологии интегральных микросхем работающих на новых физических принципах (квантовые туннельные переходы Джозефсона, приборов с зарядовой связью, электрически репрограммируемые запоминающие устройства, оптроны, цилиндрические магнитные домены, магнитостатические волны в сильных ферромагнетиках).  
 
В 1970 г. П.Е. Кандыба избран по конкурсу на должность начальника физико-технологического отделения НИИ физических проблем МЭП, где он осуществлял организационное и научное руководство разработками физико-химических основ технологии интегральных микросхем работающих на новых физических принципах (квантовые туннельные переходы Джозефсона, приборов с зарядовой связью, электрически репрограммируемые запоминающие устройства, оптроны, цилиндрические магнитные домены, магнитостатические волны в сильных ферромагнетиках).  
 +
 
Одновременно с 1970–1990 гг. П.Е. Кандыба по совместительству работал сначала старшим преподавателем, а затем доцентом, профессором кафедры «Микроэлектроника» МФТИ. 17 апреля 1974 было присвоено ученое звание доцента по кафедре «Микроэлектроника» МФТИ. 2 сентября 1983 г. было присвоено ученое звание профессора по специальности «Технология полупроводников и материалов электронной техники».  
 
Одновременно с 1970–1990 гг. П.Е. Кандыба по совместительству работал сначала старшим преподавателем, а затем доцентом, профессором кафедры «Микроэлектроника» МФТИ. 17 апреля 1974 было присвоено ученое звание доцента по кафедре «Микроэлектроника» МФТИ. 2 сентября 1983 г. было присвоено ученое звание профессора по специальности «Технология полупроводников и материалов электронной техники».  
 
С 1978 г. по 1996 г. работал директором Московского Филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», а впоследствии заместителем генерального директора НПО «Фонон» по научной работе (1985–1987), директором НИИ «Фонон» и генеральным директором ОАО «Фонон» (1987–1995).  
 
С 1978 г. по 1996 г. работал директором Московского Филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», а впоследствии заместителем генерального директора НПО «Фонон» по научной работе (1985–1987), директором НИИ «Фонон» и генеральным директором ОАО «Фонон» (1987–1995).  
 +
 
В 1996–2005 гг. –  заведующий кафедрой «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» Московского института электронной техники (МИЭТ – ныне Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»). С 2005 г. – профессор-консультант кафедры «Микроэлектроника» НИУ МИЭТ.
 
В 1996–2005 гг. –  заведующий кафедрой «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» Московского института электронной техники (МИЭТ – ныне Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»). С 2005 г. – профессор-консультант кафедры «Микроэлектроника» НИУ МИЭТ.
 +
 +
[[Файл:КандыбаПЕ1.jpg|thumb|300px|right|Фото №1. Встреча на малой родине в г. Ачинске 13.04.2013 г.
 +
1 ряд: слева сёстры Валентина (1928 г.р.)  - учитель начальных классов, Мария (1926 г.р.) – врач, Екатерина (1932 г.р.) – преподаватель физики и математики, Вера (1939 г.р.) инженер-технолог.2 ряд: братья: Михаил (1937 г.р.) – врач, Петр (1935 г.р.) – физик-радиоэлектроник, Николай (1930 г.р.)  рабочий, слесарь.
 +
]]
 +
[[Файл:КандыбаПЕ2.jpg|thumb|300px|right|Фото №2. С женой Валентиной Захаровной (2005 г.)]]
 +
[[Файл:КандыбаПЕ3.jpg|thumb|300px|right|Фото №3.  В рабочем кабинете. Обсуждение с начальником отдела к. т. н Емельяновым А. В. Вопросы внедрения оптронов на серийном заводе «Старт» г. Москва, апрель 1976 г.]]
 +
[[Файл:КандыбаПЕ4.jpg|thumb|300px|right|Фото №4. Встреча членов 49 комитета МЭК от СССР, США, Англии, Франции после закрытия сессии комитета, июль 1986, Прага, СССР. Справа: Воженин И.Н. секретарь 49 комитета, директор Московского филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», Журкина Л.И. – референт заместителя генерального директора НПО «Фонон», член 49 комитета, Кандыба П.Е., заместитель генерального директора НИИ «Фонон» по науке, член 49 комитета. В торце стола: Эрик Кэнтли, председатель 49 комитета (Англия)]]
 +
[[Файл:КандыбаПЕ5.jpg|thumb|300px|right|Фото №5. Участники работы секции №7 Научно-технического совета МЭП СССР, октябрь 1986, г. Южноуральск, завод «Кристалл».  Рассматривался вопрос о создании АСУ производства синтетического кварца. Сидят: 3-й слева – директор завода «Кристалл» Жуков Н.И., 4-й слева Кандыба П.Е. – председатель секции №7 НТС МЭП, заместитель генерального директора НПО «Фонон».]]
  
 
=='''Преподавательская деятельность'''==
 
=='''Преподавательская деятельность'''==
 
+
На факультете физической и квантовой электроники МФТИ студентам специальности «Микроэлектроника» читал курсы: «Физика тонких плёнок» и «Физико-химические процессы технологии СБИС». Студентам специальности «Физика твёрдого тела, полупроводников и диэлектриков» читал курсы: «Элементная база СБИС». На факультете «Интеллектуальные технические системы» МИЭТ по специальности «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» читал курсы: «Физико-химические процессы технологии СБИС» и «Надежность интегральных микросхем».
На факультете физической и квантовой электроники МФТИ студентам специальности «Микроэлектроника» читал курсы: «Физика тонких плёнок» и «Физико-химические процессы технологии СБИС». Студентам специальности «Физика твёрдого тела, полупроводников и диэлектриков» читал курсы: «Элементальная база СБИС». На факультете «Интеллектуальные технические системы» МИЭТ по специальности «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» читал курсы: «Физико-химические процессы технологии СБИС» и «Надежность интегральных микросхем».
+
  
 
=='''Научно-исследовательская деятельность'''==
 
=='''Научно-исследовательская деятельность'''==
 
 
Область научных интересов П.Е. Кандыбы – разработка технологических процессов, материалов и оборудования твердотельной микроэлектроники.
 
Область научных интересов П.Е. Кандыбы – разработка технологических процессов, материалов и оборудования твердотельной микроэлектроники.
 
В период  работы НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники МЭП СССР принимал участие в разработке базовой конструкции и технологии гибридных интегральных микросхем (ГИС). С 1965 начат выпуск радиоэлектронной аппаратуры общего и специального применения на основе разработанных ГИС. Результаты исследований были обобщены в диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук «Разработка и исследование технологии пленочных структур для гибридных микросхем», которая была защищена 7 июня 1967 г. на ученом Совете НИИ Микроприборов (научный руководитель доктор технических наук В.А. Преснов; официальные оппоненты: доктор технических наук Б.Ф. Высоцкий, кандидат технических наук А.И. Коробов, утверждена ВАК СССР 12 июля 1967).
 
В период  работы НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники МЭП СССР принимал участие в разработке базовой конструкции и технологии гибридных интегральных микросхем (ГИС). С 1965 начат выпуск радиоэлектронной аппаратуры общего и специального применения на основе разработанных ГИС. Результаты исследований были обобщены в диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук «Разработка и исследование технологии пленочных структур для гибридных микросхем», которая была защищена 7 июня 1967 г. на ученом Совете НИИ Микроприборов (научный руководитель доктор технических наук В.А. Преснов; официальные оппоненты: доктор технических наук Б.Ф. Высоцкий, кандидат технических наук А.И. Коробов, утверждена ВАК СССР 12 июля 1967).
 
В 1970–1978 гг. П.Е. Кандыба, работая в НИИ физических проблем МЭП, в рамках государственной программы осуществлял организационное и научное руководство разработкой переключающего криотрона (аналог транзистора) на основе сверхпроводящего перехода Джозефсона. Разработан многослойный криотрон на базе планарного квантового сверхпроводящего перехода Джозефсона. Конструкция криотрона была запатентована в США, Англии, Франции.  
 
В 1970–1978 гг. П.Е. Кандыба, работая в НИИ физических проблем МЭП, в рамках государственной программы осуществлял организационное и научное руководство разработкой переключающего криотрона (аналог транзистора) на основе сверхпроводящего перехода Джозефсона. Разработан многослойный криотрон на базе планарного квантового сверхпроводящего перехода Джозефсона. Конструкция криотрона была запатентована в США, Англии, Франции.  
 +
 
П.Е. Кандыбой предложена и разработана качественно новая технология термического окисления кремния, активируемая хлором при получении существенно более качественных функциональных, пассивирующих и защитных пленок оксида кремния и границы раздела кремний-оксид в биполярных и МОП интегральных микросхем. На базе этой технологии им  впервые в СССР были разработаны линейные и матричные кремниевые фотоприемники видимого ИК-диапазона на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) с эффективностью переноса заряда не менее 0,99 и чувствительностью в видимом диапазоне 8•10-4 люкс, с быстродействием 1~5 МГц. Матричные фотоприемники использовались в аппаратуре зондирования поверхности Земли со спутников, обеспечивая разрешение 0,7–1 м и в бытовой технике. П.Е. Кандыба также принимал участие в разработке технологии электрически репрограммируемой памяти емкостью 256–512 кбит с временем хранения информации до 10 лет, с количеством переключения 109. В 1976  начат серийный выпуск разработанных интегральных микросхем.
 
П.Е. Кандыбой предложена и разработана качественно новая технология термического окисления кремния, активируемая хлором при получении существенно более качественных функциональных, пассивирующих и защитных пленок оксида кремния и границы раздела кремний-оксид в биполярных и МОП интегральных микросхем. На базе этой технологии им  впервые в СССР были разработаны линейные и матричные кремниевые фотоприемники видимого ИК-диапазона на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) с эффективностью переноса заряда не менее 0,99 и чувствительностью в видимом диапазоне 8•10-4 люкс, с быстродействием 1~5 МГц. Матричные фотоприемники использовались в аппаратуре зондирования поверхности Земли со спутников, обеспечивая разрешение 0,7–1 м и в бытовой технике. П.Е. Кандыба также принимал участие в разработке технологии электрически репрограммируемой памяти емкостью 256–512 кбит с временем хранения информации до 10 лет, с количеством переключения 109. В 1976  начат серийный выпуск разработанных интегральных микросхем.
 +
 
В 1978–1995 гг. работая в НПО «Фонон» МЭП П.Е. Кандыба был инициатором и научным руководителем разработки промышленной технологии производства пьезоэлектрических устройств стабилизации и селекции радиочастот на объемных и поверхностных акустических волнах (ПАВ) для телевизионной, вычислительной, авиационно-космической техники. Принимал участие  в разработке частотно-избирательных гибридных микросхем для системы С-300.
 
В 1978–1995 гг. работая в НПО «Фонон» МЭП П.Е. Кандыба был инициатором и научным руководителем разработки промышленной технологии производства пьезоэлектрических устройств стабилизации и селекции радиочастот на объемных и поверхностных акустических волнах (ПАВ) для телевизионной, вычислительной, авиационно-космической техники. Принимал участие  в разработке частотно-избирательных гибридных микросхем для системы С-300.
 +
 
Результаты исследований и разработок в период работы П.Е. Кандыбы в НИИ физических проблем МЭП и НПО «Фонон» МЭП были обобщены в диссертации «Разработка и исследование процесса окисления кремния в хлорсодержащей среде в технологии интегральных схем» на соискание ученой степени доктора технических наук, защита которой состоялась 30 декабря 1981 на ученом Совете Московского института электронной техники (официальные оппоненты: академик АН СССР Ю.В. Гуляев, член-корреспондент АН СССР Б.Г. Грибов, д.т.н. Л.А. Коледов, утверждена ВАК СССР 15 июня 1982).
 
Результаты исследований и разработок в период работы П.Е. Кандыбы в НИИ физических проблем МЭП и НПО «Фонон» МЭП были обобщены в диссертации «Разработка и исследование процесса окисления кремния в хлорсодержащей среде в технологии интегральных схем» на соискание ученой степени доктора технических наук, защита которой состоялась 30 декабря 1981 на ученом Совете Московского института электронной техники (официальные оппоненты: академик АН СССР Ю.В. Гуляев, член-корреспондент АН СССР Б.Г. Грибов, д.т.н. Л.А. Коледов, утверждена ВАК СССР 15 июня 1982).
 +
 
П.Е. Кандыбой опубликовано более 100 научных работ, получено 6 патентов, 75 авторских свидетельств. Подготовил 26 кандидатов и 3 доктора наук. Среди его учеников: В.К. Семенов (университет Стони Брук, Нью-Йорк, США), В настоящее время следующие аспиранты, защитившие под руководством Кандыбы П.Е. кандидатские диссертации, активно работают в микроэлектронике: А.А. Голубский, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «Научно-исследовательский институт «Элпа»; Г.Я. Павлов, директор по развитию ОАО «НИИ Точного машиностроения»; В.В. Минаев, ведущий научный сотрудник, ученый секретарь ОАО «Ангстрем»; Е.А. Фетисов, старший научный сотрудник, доцент кафедры Интегральной электроники и микросхем МИЭТ.
 
П.Е. Кандыбой опубликовано более 100 научных работ, получено 6 патентов, 75 авторских свидетельств. Подготовил 26 кандидатов и 3 доктора наук. Среди его учеников: В.К. Семенов (университет Стони Брук, Нью-Йорк, США), В настоящее время следующие аспиранты, защитившие под руководством Кандыбы П.Е. кандидатские диссертации, активно работают в микроэлектронике: А.А. Голубский, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «Научно-исследовательский институт «Элпа»; Г.Я. Павлов, директор по развитию ОАО «НИИ Точного машиностроения»; В.В. Минаев, ведущий научный сотрудник, ученый секретарь ОАО «Ангстрем»; Е.А. Фетисов, старший научный сотрудник, доцент кафедры Интегральной электроники и микросхем МИЭТ.
Исследования П.Е. Кандыбы были удостоены премии АН СССР (1974), государственной премии РФ в области науки и техники (1993). П.Е. Кандыба награжден орденом «Знак Почета» (1981), Орденом Трудового Красного Знамени (1986); медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970), «Ветеран труда» (1985), «В память 850-летия Москвы» (1997), …тремя золотыми (1976, 1982, 1985) и двумя серебряными (1973, 1980) медалями ВДНХ СССР. П.Е. Кандыба был удостоен почетных званий: Почетный работник МЭП СССР (1985), Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).
 
  
 
=='''Участие в стажировках,  конференциях, симпозиумах'''==
 
=='''Участие в стажировках,  конференциях, симпозиумах'''==
 
 
Результаты основных исследований докладывались на Всесоюзных, Всероссийских и международных научных конференциях. В их числе: Всесоюзная конференция по электронной микроскопии (Москва, 1969, доклад «Наблюдение в электронном микроскопе процесса рекристаллизации тонких плёнок»); Международная конференция «Оптоэлектроника» (г. Брайтон, Англия, 1972, доклад «Конструкция и электрофизические характеристики оптрона на основе арсенидгаллиевых излучателей и быстродействующих кремниевых фотоприемников»); Всесоюзная научно-техническая конференция «Совершенствование технологий производства интегральных микросхем и печатных плат» (Вильнюс, 1975, доклад: «Конструкция и технология фотоприемных матриц на ПЗС»); Международный симпозиум по акустоэлектронике (г. Варна, Болгария, сентябрь 1989, доклад: «Разработка промышленной технологии акустоэлектронных устройств на ПАВ»); Международная научно-техническая конференция «Микросистемы, сенсоры и акустоэлектроника» (Санкт-Петербург, 1993, член организационного комитета, председатель секции акустоэлектроники); 45-ый ежегодный симпозиум по контролю радиочастот (Лос-Анжелес, США 1991, доклад «Монолитные фильтры на основе сильных пьезоэлектриков»).
 
Результаты основных исследований докладывались на Всесоюзных, Всероссийских и международных научных конференциях. В их числе: Всесоюзная конференция по электронной микроскопии (Москва, 1969, доклад «Наблюдение в электронном микроскопе процесса рекристаллизации тонких плёнок»); Международная конференция «Оптоэлектроника» (г. Брайтон, Англия, 1972, доклад «Конструкция и электрофизические характеристики оптрона на основе арсенидгаллиевых излучателей и быстродействующих кремниевых фотоприемников»); Всесоюзная научно-техническая конференция «Совершенствование технологий производства интегральных микросхем и печатных плат» (Вильнюс, 1975, доклад: «Конструкция и технология фотоприемных матриц на ПЗС»); Международный симпозиум по акустоэлектронике (г. Варна, Болгария, сентябрь 1989, доклад: «Разработка промышленной технологии акустоэлектронных устройств на ПАВ»); Международная научно-техническая конференция «Микросистемы, сенсоры и акустоэлектроника» (Санкт-Петербург, 1993, член организационного комитета, председатель секции акустоэлектроники); 45-ый ежегодный симпозиум по контролю радиочастот (Лос-Анжелес, США 1991, доклад «Монолитные фильтры на основе сильных пьезоэлектриков»).
  
Строка 71: Строка 78:
  
 
=='''Награды'''==
 
=='''Награды'''==
 
+
*Орден [[:Категория: Кавалеры ордена «Знак Почета»|«Знак Почета»]] ([[1981 год в истории Томского университета|1981]]);
*Орден «Знак Почета» (1981);
+
*Орден [[:Категория: Кавалеры ордена Трудового Красного Знамени|Трудового Красного Знамени]] ([[1986 год в истории Томского университета|1986]]);
*Орден Трудового Красного Знамени (1986);
+
 
*Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970);
 
*Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970);
 
*Медаль «Ветеран труда» (1985);
 
*Медаль «Ветеран труда» (1985);
 
*Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997).
 
*Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997).
  
=='''Медали ВДНХ'''==
+
=='''Премии'''==
 +
*Премия АН СССР (1974);
 +
*[[:Категория: Лауреаты Государственной премии РФ|Государственная премия РФ]] в области науки и техники ([[1993 год в истории Томского университета|1993]]).
  
 +
=='''Почетные звания'''==
 +
*Почетный работник МЭП СССР (1985);
 +
*Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).
 +
 +
=='''Медали ВДНХ'''==
 
*Две серебряные медали ВДНХ (1973, 1980);
 
*Две серебряные медали ВДНХ (1973, 1980);
 
*Три золотые медали ВДНХ (1976, 1982, 1985);
 
*Три золотые медали ВДНХ (1976, 1982, 1985);
 
=='''Звания'''==
 
 
*Почетный работник МЭП СССР (1985);
 
*Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).
 
 
=='''Премии'''==
 
 
*Премия АН СССР (1974);
 
*Государственная премия РФ в области науки и техники ([[1993 год в истории Томского университета|1993]]);
 
  
 
=='''Патенты'''==
 
=='''Патенты'''==
 
 
*Криотрон на планарном квантовом переходе Джозефсона
 
*Криотрон на планарном квантовом переходе Джозефсона
 
*Патент США №4.178.602 (1979).
 
*Патент США №4.178.602 (1979).
Строка 103: Строка 105:
  
 
=='''Авторские свидетельства'''==
 
=='''Авторские свидетельства'''==
 
 
*Композиционный материал в производстве гибридных пленочных микросхем. а.с. №46987, СССР, 1968.
 
*Композиционный материал в производстве гибридных пленочных микросхем. а.с. №46987, СССР, 1968.
 
*Способ изготовления гибридных микросхем. а.с. №271598, СССР, 1968 г.
 
*Способ изготовления гибридных микросхем. а.с. №271598, СССР, 1968 г.
Строка 113: Строка 114:
  
 
=='''Труды'''==
 
=='''Труды'''==
 
 
*Разработка тонкопленочных гибридных микросхем сб. Микроэлектроника М: Сов. Радио №1, С. 269-284, 1967.
 
*Разработка тонкопленочных гибридных микросхем сб. Микроэлектроника М: Сов. Радио №1, С. 269-284, 1967.
 
*Сверхпроводящие параметры пленок ниобия. Физика металлов и металловедения. Т. 46 №3, 1973, С. 1176-1181.
 
*Сверхпроводящие параметры пленок ниобия. Физика металлов и металловедения. Т. 46 №3, 1973, С. 1176-1181.
Строка 123: Строка 123:
 
*Модельное представление структуры ближнего порядка в пленках диоксида кремния. ДАН, Т.266, №1, 1983. С.113-117.
 
*Модельное представление структуры ближнего порядка в пленках диоксида кремния. ДАН, Т.266, №1, 1983. С.113-117.
 
*Разработка фильтров на ПАВ для каналов изображения цветных телевизоров. Материалы XI Всесоюзной конференции по акустоэлектронике, Новосибирск, 1981, С. 131-133.
 
*Разработка фильтров на ПАВ для каналов изображения цветных телевизоров. Материалы XI Всесоюзной конференции по акустоэлектронике, Новосибирск, 1981, С. 131-133.
*Справочник «Пьезоэлектрические резонаторы», Москва, Изд. Связь, 1992.
+
*Справочник «Пьезоэлектрические резонаторы», Москва, Изд. Связь, 1992.С. 98-115.
*Мостяев В.А., Дюжиков В.И. Технология пьезоэлектрических и акустических устройств. Издательство Ягуар, Москва, 1993.
+
*Технология пьезоэлектрических и акустоэлектрических устройств. Москва, Издательство Ягуар, 1993.
+
 
*Межвузовский научный сборник / под ред. Кандыбы П.Е. Москва, МИЭТ, 1998.
 
*Межвузовский научный сборник / под ред. Кандыбы П.Е. Москва, МИЭТ, 1998.
  
 
=='''Источники и литература'''==
 
=='''Источники и литература'''==
 
 
*Электроника России. Библиографическая энциклопедия. Изд. Столичная энциклопедия, Москва, 2009. С. 208-209.
 
*Электроника России. Библиографическая энциклопедия. Изд. Столичная энциклопедия, Москва, 2009. С. 208-209.
 
*Российская пьезоакустоэлектроника под. ред. академика Гуляева Ю.В., Москва, Радиотехника, 2008, С. 191, 306, 314.
 
*Российская пьезоакустоэлектроника под. ред. академика Гуляева Ю.В., Москва, Радиотехника, 2008, С. 191, 306, 314.
Строка 144: Строка 141:
 
[[Категория: Доктора технических наук]]
 
[[Категория: Доктора технических наук]]
 
[[Категория: Кавалеры ордена Трудового Красного Знамени]]
 
[[Категория: Кавалеры ордена Трудового Красного Знамени]]
[[Категория: Кавалеры ордена Почета]]
+
[[Категория: Кавалеры ордена «Знак Почета»]]
 
[[Категория: Лауреаты Государственной премии РФ]]
 
[[Категория: Лауреаты Государственной премии РФ]]
 
[[Категория: К]]
 
[[Категория: К]]

Текущая версия на 18:27, 27 ноября 2019

КАНДЫБА, ПЕТР ЕФИМОВИЧ
Кандыба П.Е..jpg
Дата рождения:

17 июня 1935

Место рождения:

станция Камарчага Красноярского края

Научная сфера:

Физика, электроника

Учёная степень:

доктор технических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Томский государственный университет

Научный руководитель:

И.Н. Воженин

Известные ученики:

А.А. Голубский, Г.Я. Павлов, В.В. Минаев, Е.А. Фетисов

Награды и премии:


орден «Знак Почета» (1981), орден Трудового Красного Знамени (1986), премия АН СССР (1974), Государственная премия РФ в области науки и техники (1993) и др.

КАНДЫБА ПЕТР ЕФИМОВИЧ (р. 17 июня 1935, станция Камарчага, Манский район, Красноярский край) – выпускник радиофизического факультета Томского государственного университета по специальности «физик-радиоэлектроник».

Семья

Отец, Ефим Анисимович (1896–1967), из крестьян, с 1929 г. по 1960 г. – бухгалтер. Мать, Кандыба Анисья Кузьмовна (1903–1992) из крестьян, домохозяйка. Жена Петрова Валентина Захаровна (р. 1931), окончила Ленинградский технологический институт, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР. В 1966–2001 гг. заведовала кафедрой общей химии МИЭТ, с 2001 г. по настоящее время – профессор-консультант кафедры микроэлектроники Московского института электронной техники (МИЭТ). Дочь Мартынова (Кандыба) Анна Петровна (р. 1961), окончила факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1984), инженер электронной техники. С 2016 г. – на пенсии. Сын Кандыба Дмитрий Петрович (р. 1965), окончил факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1988), инженер электронной техники.

Студенческие годы

В 1954 г. П.Е. Кандыба с отличием окончил техникум железнодорожного транспорта в Красноярске и поступил на первый курс радиофизического факультета ТГУ. Среди его преподавателей были: В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов, В.Н. Детинко, Н.Г. Щеглов, Э.С. Воробейчиков, Ф.И. Климентьев. В период учебы в ТГУ избирался комсоргом группы, секретарем комсомольского бюро курса, заместителем секретаря комсомольского бюро радиофизического факультета. В 1959 г. окончил университет по специальности «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Флуктуации амплитуды и фазы автогенератора на полупроводниковом транзисторе П-401» (научный руководитель И.Н. Воженин).

От инженера до генерального директора

После окончания ТГУ с 1959 г. по 1963 г. П.Е. Кандыба работал инженером, а затем старшим инженером, начальником лаборатории предприятия п/я-28 г. Бийска (ныне НПО «Алтай»). Участвовал в разработке систем автоматического управления.

1963–1970 гг. П.Е. Кандыба был переведен в Москву на должность начальника лаборатории, а впоследствии начальника отдела в НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР.

В 1970 г. П.Е. Кандыба избран по конкурсу на должность начальника физико-технологического отделения НИИ физических проблем МЭП, где он осуществлял организационное и научное руководство разработками физико-химических основ технологии интегральных микросхем работающих на новых физических принципах (квантовые туннельные переходы Джозефсона, приборов с зарядовой связью, электрически репрограммируемые запоминающие устройства, оптроны, цилиндрические магнитные домены, магнитостатические волны в сильных ферромагнетиках).

Одновременно с 1970–1990 гг. П.Е. Кандыба по совместительству работал сначала старшим преподавателем, а затем доцентом, профессором кафедры «Микроэлектроника» МФТИ. 17 апреля 1974 было присвоено ученое звание доцента по кафедре «Микроэлектроника» МФТИ. 2 сентября 1983 г. было присвоено ученое звание профессора по специальности «Технология полупроводников и материалов электронной техники». С 1978 г. по 1996 г. работал директором Московского Филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», а впоследствии заместителем генерального директора НПО «Фонон» по научной работе (1985–1987), директором НИИ «Фонон» и генеральным директором ОАО «Фонон» (1987–1995).

В 1996–2005 гг. – заведующий кафедрой «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» Московского института электронной техники (МИЭТ – ныне Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»). С 2005 г. – профессор-консультант кафедры «Микроэлектроника» НИУ МИЭТ.

Фото №1. Встреча на малой родине в г. Ачинске 13.04.2013 г. 1 ряд: слева сёстры Валентина (1928 г.р.) - учитель начальных классов, Мария (1926 г.р.) – врач, Екатерина (1932 г.р.) – преподаватель физики и математики, Вера (1939 г.р.) инженер-технолог.2 ряд: братья: Михаил (1937 г.р.) – врач, Петр (1935 г.р.) – физик-радиоэлектроник, Николай (1930 г.р.) рабочий, слесарь.
Фото №2. С женой Валентиной Захаровной (2005 г.)
Фото №3. В рабочем кабинете. Обсуждение с начальником отдела к. т. н Емельяновым А. В. Вопросы внедрения оптронов на серийном заводе «Старт» г. Москва, апрель 1976 г.
Фото №4. Встреча членов 49 комитета МЭК от СССР, США, Англии, Франции после закрытия сессии комитета, июль 1986, Прага, СССР. Справа: Воженин И.Н. секретарь 49 комитета, директор Московского филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», Журкина Л.И. – референт заместителя генерального директора НПО «Фонон», член 49 комитета, Кандыба П.Е., заместитель генерального директора НИИ «Фонон» по науке, член 49 комитета. В торце стола: Эрик Кэнтли, председатель 49 комитета (Англия)
Фото №5. Участники работы секции №7 Научно-технического совета МЭП СССР, октябрь 1986, г. Южноуральск, завод «Кристалл». Рассматривался вопрос о создании АСУ производства синтетического кварца. Сидят: 3-й слева – директор завода «Кристалл» Жуков Н.И., 4-й слева Кандыба П.Е. – председатель секции №7 НТС МЭП, заместитель генерального директора НПО «Фонон».

Преподавательская деятельность

На факультете физической и квантовой электроники МФТИ студентам специальности «Микроэлектроника» читал курсы: «Физика тонких плёнок» и «Физико-химические процессы технологии СБИС». Студентам специальности «Физика твёрдого тела, полупроводников и диэлектриков» читал курсы: «Элементная база СБИС». На факультете «Интеллектуальные технические системы» МИЭТ по специальности «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» читал курсы: «Физико-химические процессы технологии СБИС» и «Надежность интегральных микросхем».

Научно-исследовательская деятельность

Область научных интересов П.Е. Кандыбы – разработка технологических процессов, материалов и оборудования твердотельной микроэлектроники. В период работы НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники МЭП СССР принимал участие в разработке базовой конструкции и технологии гибридных интегральных микросхем (ГИС). С 1965 начат выпуск радиоэлектронной аппаратуры общего и специального применения на основе разработанных ГИС. Результаты исследований были обобщены в диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук «Разработка и исследование технологии пленочных структур для гибридных микросхем», которая была защищена 7 июня 1967 г. на ученом Совете НИИ Микроприборов (научный руководитель доктор технических наук В.А. Преснов; официальные оппоненты: доктор технических наук Б.Ф. Высоцкий, кандидат технических наук А.И. Коробов, утверждена ВАК СССР 12 июля 1967). В 1970–1978 гг. П.Е. Кандыба, работая в НИИ физических проблем МЭП, в рамках государственной программы осуществлял организационное и научное руководство разработкой переключающего криотрона (аналог транзистора) на основе сверхпроводящего перехода Джозефсона. Разработан многослойный криотрон на базе планарного квантового сверхпроводящего перехода Джозефсона. Конструкция криотрона была запатентована в США, Англии, Франции.

П.Е. Кандыбой предложена и разработана качественно новая технология термического окисления кремния, активируемая хлором при получении существенно более качественных функциональных, пассивирующих и защитных пленок оксида кремния и границы раздела кремний-оксид в биполярных и МОП интегральных микросхем. На базе этой технологии им впервые в СССР были разработаны линейные и матричные кремниевые фотоприемники видимого ИК-диапазона на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) с эффективностью переноса заряда не менее 0,99 и чувствительностью в видимом диапазоне 8•10-4 люкс, с быстродействием 1~5 МГц. Матричные фотоприемники использовались в аппаратуре зондирования поверхности Земли со спутников, обеспечивая разрешение 0,7–1 м и в бытовой технике. П.Е. Кандыба также принимал участие в разработке технологии электрически репрограммируемой памяти емкостью 256–512 кбит с временем хранения информации до 10 лет, с количеством переключения 109. В 1976 начат серийный выпуск разработанных интегральных микросхем.

В 1978–1995 гг. работая в НПО «Фонон» МЭП П.Е. Кандыба был инициатором и научным руководителем разработки промышленной технологии производства пьезоэлектрических устройств стабилизации и селекции радиочастот на объемных и поверхностных акустических волнах (ПАВ) для телевизионной, вычислительной, авиационно-космической техники. Принимал участие в разработке частотно-избирательных гибридных микросхем для системы С-300.

Результаты исследований и разработок в период работы П.Е. Кандыбы в НИИ физических проблем МЭП и НПО «Фонон» МЭП были обобщены в диссертации «Разработка и исследование процесса окисления кремния в хлорсодержащей среде в технологии интегральных схем» на соискание ученой степени доктора технических наук, защита которой состоялась 30 декабря 1981 на ученом Совете Московского института электронной техники (официальные оппоненты: академик АН СССР Ю.В. Гуляев, член-корреспондент АН СССР Б.Г. Грибов, д.т.н. Л.А. Коледов, утверждена ВАК СССР 15 июня 1982).

П.Е. Кандыбой опубликовано более 100 научных работ, получено 6 патентов, 75 авторских свидетельств. Подготовил 26 кандидатов и 3 доктора наук. Среди его учеников: В.К. Семенов (университет Стони Брук, Нью-Йорк, США), В настоящее время следующие аспиранты, защитившие под руководством Кандыбы П.Е. кандидатские диссертации, активно работают в микроэлектронике: А.А. Голубский, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «Научно-исследовательский институт «Элпа»; Г.Я. Павлов, директор по развитию ОАО «НИИ Точного машиностроения»; В.В. Минаев, ведущий научный сотрудник, ученый секретарь ОАО «Ангстрем»; Е.А. Фетисов, старший научный сотрудник, доцент кафедры Интегральной электроники и микросхем МИЭТ.

Участие в стажировках, конференциях, симпозиумах

Результаты основных исследований докладывались на Всесоюзных, Всероссийских и международных научных конференциях. В их числе: Всесоюзная конференция по электронной микроскопии (Москва, 1969, доклад «Наблюдение в электронном микроскопе процесса рекристаллизации тонких плёнок»); Международная конференция «Оптоэлектроника» (г. Брайтон, Англия, 1972, доклад «Конструкция и электрофизические характеристики оптрона на основе арсенидгаллиевых излучателей и быстродействующих кремниевых фотоприемников»); Всесоюзная научно-техническая конференция «Совершенствование технологий производства интегральных микросхем и печатных плат» (Вильнюс, 1975, доклад: «Конструкция и технология фотоприемных матриц на ПЗС»); Международный симпозиум по акустоэлектронике (г. Варна, Болгария, сентябрь 1989, доклад: «Разработка промышленной технологии акустоэлектронных устройств на ПАВ»); Международная научно-техническая конференция «Микросистемы, сенсоры и акустоэлектроника» (Санкт-Петербург, 1993, член организационного комитета, председатель секции акустоэлектроники); 45-ый ежегодный симпозиум по контролю радиочастот (Лос-Анжелес, США 1991, доклад «Монолитные фильтры на основе сильных пьезоэлектриков»).

Научно-организационная деятельность

В 1983-1995 гг. П.Е. Кандыба являлся членом ученого совета по присуждению ученых степеней факультета физической и квантовой электроники МФТИ. Одновременно с 1983 г. по 1988 г. являлся членом экспертного совета ВАК СССР. В 1985-1995 гг. входил в состав в качестве полноправного члена 49 комитета Международной электротехнической комиссии. В 1985-1995 гг. - председатель ученого совета по присуждению ученых степеней НПО «Фонон». В 1985-1990 гг. - научный консультант редакции «Советская энциклопедия». В 1987-1995 гг. являлся членом института инженеров по электротехнике и электронике (США). С 1997 г. по 2005 г. исполнял обязанности председателя ученого совета по присуждению ученых степеней МИЭТ.

Общественно-преподавательская деятельность

В 1979-1987 гг. трижды избирался депутатом Зеленоградского исполкома города Москвы. Одновременно в 1979-1987 гг. являлся членом Зеленоградского районного комитета КПСС г. Москвы.

Награды

Премии

Почетные звания

  • Почетный работник МЭП СССР (1985);
  • Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).

Медали ВДНХ

  • Две серебряные медали ВДНХ (1973, 1980);
  • Три золотые медали ВДНХ (1976, 1982, 1985);

Патенты

  • Криотрон на планарном квантовом переходе Джозефсона
  • Патент США №4.178.602 (1979).
  • Патент США №4.240.086 (1980).
  • Патент: Англия №1.553.945 (1977).
  • Патент: Франция №2.364.543 (1979).
  • Патент: СССР «Плоский пьезоэлемент толщинно-сдвиговых колебаний и способ его изготовления» №2.007.023 СССР (1991).

Авторские свидетельства

  • Композиционный материал в производстве гибридных пленочных микросхем. а.с. №46987, СССР, 1968.
  • Способ изготовления гибридных микросхем. а.с. №271598, СССР, 1968 г.
  • Логический переключающий элемент на базе планарного квантового перехода Джозефсона. а.с. №810015, СССР, 1977.
  • Стробируемый токовый дискриминатор на основе планарных переходов Джозефсона. а.с. №1008908, СССР, 1981.
  • Конструкция интегральной микросхемы с зарядовой связью. а.с. №523598, СССР, 1975.
  • Способ термического окисления кремния в технологии интегральных микросхем. а.с. №695466, СССР, 1978.
  • Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах. а.с. №1204112, СССР, 1981.

Труды

  • Разработка тонкопленочных гибридных микросхем сб. Микроэлектроника М: Сов. Радио №1, С. 269-284, 1967.
  • Сверхпроводящие параметры пленок ниобия. Физика металлов и металловедения. Т. 46 №3, 1973, С. 1176-1181.
  • Джозефсоновский мостиковый переход с перемычкой из нормального металла. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника №2, С. 110-112, 1976
  • Влияние окисления кремния в хлорсодержащей среде на рассеяние носителей заряда в инверсионных слоях МОП-структур. Микроэлектроника АН СССР, Т.6, №2, , 1977. С. 184-188.
  • Линейные фотоэлектрические преобразователи напряжения на основе приборов с зарядовой связью со скрытым каналом. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника №2, 1976. С. 26-31.
  • Состояние и перспективы развития пьезотехники. Электронная техника. Сер.5. Радиокомпоненты №3, 1987. С. 4-7.
  • Физико-химические основы геттерирования микропримесей и распада дефектов упаковки в процессе активируемого хлором окисления кремния. Труды 1ой Всесоюзной конференции «Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью». Ташкент, 1977. С. 43-45
  • Модельное представление структуры ближнего порядка в пленках диоксида кремния. ДАН, Т.266, №1, 1983. С.113-117.
  • Разработка фильтров на ПАВ для каналов изображения цветных телевизоров. Материалы XI Всесоюзной конференции по акустоэлектронике, Новосибирск, 1981, С. 131-133.
  • Справочник «Пьезоэлектрические резонаторы», Москва, Изд. Связь, 1992.С. 98-115.
  • Межвузовский научный сборник / под ред. Кандыбы П.Е. Москва, МИЭТ, 1998.

Источники и литература

  • Электроника России. Библиографическая энциклопедия. Изд. Столичная энциклопедия, Москва, 2009. С. 208-209.
  • Российская пьезоакустоэлектроника под. ред. академика Гуляева Ю.В., Москва, Радиотехника, 2008, С. 191, 306, 314.
  • МИЭТ. Годы. Люди. События. Москва, МИЭТ, 2015. С.102.
  • IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Society. Newsletter number 16, sept. 1993, P.15.
  • Кандыба Пётр Ефимович // Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники». Режим доступа: https://miet.ru/person/51715 (дата обращения: 18.02.2017).
Автор статьи: А.Н. Сорокин