Версия 20:19, 4 февраля 2023

ТОЛБАНОВ Олег Петрович (3 февраля 1947 г., Томск) - профессор кафедры полупроводниковой электроники.

Отец Т., Петр Михайлович (1927-1994), из семьи архивариуса на ж. д., работал директором Томской текстильной фабрики. Мать Т., Валентина Ивановна (р. 1928), из крестьян, работала в торговле.

Женат на Розе Иосифовне (дев. Марц, р. 1950). Она окончила ф-т иностр. яз. ТГПУ, в н. в. доцент ТПУ. Их дети: Анна (в замужестве Рассказова, р. 1971), окончила биол.-почв. ф-т ТГУ, в н. в. преп. Том. музыкального училища; Людмила (р. 1982), студентка инж. эконом. ф-та ТПУ.

Т. после окончания том. средней школы № 8 (1965) поступил на конструкторско-технол. ф-т ТИРиЭТ. Среди его учителей: Таубер Г.И., Бурова Т.Т., Лукутина О.Ф. Окончил ин-т 1970 по специальности «диэлектрики и полупроводники» с квалификацией инженер-электроник. Дипломный проект «Исследование частотной и температурной зависимости барьерной емкости структур на основе арсенида галлия с глубокими центрами» выполнил в НИИПП (руководитель, доц. С.С. Хлудков).

С 1970 - инженер, затем ст. и ведущий инженер НИИПП, гл. конструктор разработки. С 17 янв. 1975 - мл. науч. сотр., с 1981 по апр. 1996 - ст. науч. сотр., с апр. 2000 - зав. лаб. физики полупроводников СФТИ ТГУ. С апр. 1996 по апр. 1999 - докторант ТГУ. По совместительству с 1 сент. 2000 - доц., с 1 сент. 2001 - проф. каф. полупроводниковой электроники радиофиз. ф-та ТГУ. С сент. 1985 по май 1986 обучался в заочной аспирантуре.

Учен. звание ст. науч. сотр. по специальности «диэлектрики и полупроводники», присвоено ВАК 23 февр. 1989.

Читает спецкурс «Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений».

Обл. науч. интересов Т. - электронные свойства полупроводниковых структур, легированных примесями с глубокими уровнями. Он положил начало новому прикл. науч. направлению в России, связанному с созданием GaAs квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения. Под его руководством выполнен цикл фундаментальных исследований и создан ряд оригинальных приборных структур с глубокими центрами, содержащимися в активной части структур и обусловливающих новые физ. эффекты и электронные свойства полупроводниковых приборов. В последнее время занимается разработкой квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения и заряженных частиц высоких энергий и созданием на их основе цифровых диагностических систем различного назначения. В лаб. физики полупроводников СФТИ под руководством Т. создана не имеющая мировых аналогов технология детекторных структур. Разработаны радиационностойкие микрополосковые координатные детекторы для физики высоких энергий, а также детекторные матрицы и сканирующие детекторные линейки для прямой регистрации единичных рентгеновских и гамма-квантов с целью формирования цифрового изображения объектов в рентгеновских и гамма-лучах. Предложены арсенид галлиевые детекторы для проектов «ATLAS» и CMS Центра европейских ядерных исследований (Швейцария) с координатным разрешением ≈ 10 мкм и радиационной стойкостью, более чем на порядок превышающей лучшие зарубежные аналоги. Разработан цифровой рентгеновский аппарат с детекторными линейками сканирующего типа, с Х-лучевой нагрузкой, на два порядка меньшей, чем в существующих рентгеновских аппаратах.

20 июня 1986 в совете ТГУ защитил дис. «Исследование и разработка арсенид галлиевых лавинных S-диодов» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук (науч. рук., доц. С.С. Хлудков; офиц. оппоненты: д-р физ.-мат. наук, проф. И.М. Викулин, канд. физ.-мат. наук А.А. Вилисов; утв. ВАК 29 окт. 1986).

19 окт. 1999 в совете ТПУ защитил дис. «Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями: электронные свойства, структуры, применение» на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук (науч. консультант проф. С.С. Хлудков; офиц. оппоненты д-р физ.-мат. наук, проф. К.П. Арефьев, д-р техн. наук, проф. В.Г. Божков и д-р физ.-мат. наук, проф. А.В. Войцеховский; утв. ВАК, 11 февр. 2000).

Автор более 130 работ (в т. ч. более 60 в зарубежных изданиях), имеет более 20 изобретений и патентов.

Участвовал в работе ряда науч. конф., симпозиумов и семинаров: VI, VII Intern. conf. «Instrumentations for experiments at e+e- colliders» (Novosibirsk, Russia, 1996, 2002); IV, V Inter. workshop on GaAs detectors and related compounds (Aberfoyle, Scotland, 1996; Cividale del Friuli, Italy, 1997); ATLAS detector for p-p experiments at large hardron collider at CERN (CERN, Switzerland, 1997); 2th Intern. workshop on radiation imaging detectors (Freiburg, Germany, 2000); 4th Inter. workshop on radiation imaging detectors (Amsterdam, Netherlands, 2002). Входил в состав оргкомитет VIII Рос. конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2002). Чл. международных коллабораций (R&D-8, R&D-39) по разработке твердотельных детекторов, координатор по Томску ряда междунар. проектов. Поддерживает творческие контакты с ведущими учеными и специалистами Германии, Великобритании, Италии и Швеции, опубликовал ряд совм. работ. Регулярно выступает с докл. и лекциями по приглашению на семинарах и конф. в ряде европейских стран.

Подготовил 1 канд. наук.

С 2000 - чл. докт. дис. совета в ТПУ, с 2001 - чл. докт. дис. совета (теорет. физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ.

Награжден знаком «Изобретатель СССР».

Совм. с С.С. Хлудковым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // ФТП. 1992. Т. 26, №2; Они же. Полупроводниковые структуры и приборы на основе арсенида галлия с глубокими центрами // Изв. вузов. Физика. 1992. № 9; Совм. с А.П. Воробьевым, А.В. Корецким, А.И. Потаповым. Исследование GaAs структур со встроенным π-ν переходом для создания координатно-чувствительных детекторов // ЖТФ. 1994. Т. 64, вып.3; Совм. с O.B.Koretskaya, L.S.Okaevitch, A.I.Potapov. Transport and charge collection in compensated GaAs particle detectors // Nucl. Instrum. & Meth. in Phys. Res. 1996. Vol. A379; Совм. с S.S.Khludkov, V.E.Stepanov. Radiation hardness of semiconductor detectors for high energy physics // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1996. Vol. 29; Они же. Proton-induced displacement damage in GaAs and radiation hardness // Nucl. instr. &. meth. in phys. research. 1997. Vol. A395; Совм. с A.V.Smoll, A.P.Vorobiev. Results of GaAs detector irradiation at the mixed beam neutrino caybe at CERN // Nucl. Instrum. & Meth. In Phys. Res. 1998. Vol. A410; GaAs structures compensated with deep centers // WIRESCRIPT J. CYEN technologies SRL, 15 Dec. 1999; Совм. с V.B.Chmill, W.Klamra, L.S.Okaevich, A.P.Vorobiev. Investigation of epitaxial GaAs charged particle detectors // Nucl. instrum. & meth. in phys. Res. 1999. Vol. A438; Совм. с G.I.Aizenshtadt, A.V.Tyazhev. Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers // Nucl. instrum. & meth. in phys. Res. 2000. Vol. A448; Совм. с G.I.Ayzenshtat, D.L.Budnitsky, K.Smith, A.P.Vorobiev. GaAs Structures for X-Imaging detectors // Nucl. instrum. & meth. in phys. Res. 2001. Vol. A466; Совм. с G.I.Ayzenshtat, A.P.Vorobiev. Modeling of processes of charge division and collection in GaAs detectors taking into account trapping effects // Ibidem; Iidem. GaAs X-Ray coordinate detectors // Ibidem.

Том. гос. ун-т: Ежегодник-2001 / Под ред. Г.В. Майера. Томск, 2002.