Сергей Иванович Борисенко
BorisenkoSI main.JPG
Дата рождения:

1 января 1951

Место рождения:

Анжеро-Судженск Кемеровской области

Научная сфера:

Физика

Период работы в Томском университете :

с 1973

Место работы в Томском университете:

СФТИ; Кафедра полупроводниковой электроники

Учёная степень:

Доктор физико-математических наук

Учёное звание:

Доцент

Альма-матер:

Томский государственный университет

Научный руководитель:

Г.Ф. Караваев

Награды и премии:


премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976)

БОРИСЕНКО Сергей Иванович (р. 1 января 1951, Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.

Семья

Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду. С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирникова (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (р. 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (р. 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики.

Студенческие годы

После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко поступил на физический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей – М.А. Большанина, В.А. Перкальскис, Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, Г.Ф. Караваев, А.Ф. Терпугова, М.Р. Куваев и другие. Окончил университет (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель старший научный сотрудник Г.Ф. Караваев).

Работа

С 1973 г. – младший научный сотрудник, в 19862004 гг. – научный сотрудник лаборатории теоретической физики СФТИ при ТГУ. Одновременно с 1992 г. – старший преподаватель, с 2000 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ. С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ. По совместительству с 2005 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники. Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В ТГУ читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Ведет лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника».

Направления научной деятельности

Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством Г.Ф. Караваева построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон.

В 1986 г. в специализированном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в 1987).

В 2004 г. в диссертационном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в 2005).

В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010).

Награды

Ведомственные

  • почетная грамота Минобрнауки РФ (2011).

Премии

Государственные

  • премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976).

Томского государственного университета

  • премия ТГУ за учебные пособия «Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток» и «Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования» (2000).

Труды

  • Совместно с Г.Ф. Караваевым. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 // Известия вузов. Физика. 1978. № 6;
  • Совместно с Г.Ф. Караваевым, В.Г. Тютеревым. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 3;
  • Совместно с Г.Ф. Караваевым, С.И. Скачковым, В.Г. Тютеревым. Рассеяние электронов на пьезооптическом потенциале оптических фононов в CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 12;
  • Совместно с Г.Ф. Караваевым, С.И. Скачковым, В.Г. Тютеревым. Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20, № 7;
  • Совместно с V.N. Brudnyi, A.I. Potapov. Electrical and optical properties and Fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. Vol. 118;
  • Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках АIIIВV // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 3;
  • Совместно с В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютеревым. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 6;
  • Совместно с V.Yu. Rud, Yu.V. Rud, V.G. Tyuterev. Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals // Semiconductor Science and Technology. 2002. Vol. 17, № 10;
  • Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9;
  • Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума // Известия вузов. Физика. 2003. № 12;
  • Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, № 7;
  • Физика полупроводниковых наноструктур // Учебно-методический комплекс. Томск, 2011. Режим доступа: http://edu.tsu.ru/eor/resourse/572/tpl/index.html (дата обращения: 16.02.2015);
  • Совместно с О.Г. Ревинской, Н.С. Кравченко, А.В.Черновым. Показатель преломления света и методы его экспериментального определения. Учебно-методическое пособие. Томск, 2014.

Источники и литература

  • Профессора Томского университета: биографический словарь (2003–2012) / авт.-сост. С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, М.В. Грибовский и др. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. Т. 6: 2003–2012;
  • Борисенко Сергей Иванович // Энциклопедия. Учёные России. Ученые стран СНГ и ближнего зарубежья. Режим доступа: http://www.famous-scientists.ru/9988 (дата обращения: 16.02.2015);
  • Борисенко Сергей Иванович // Томский государственный университет. Радиофизический факультет. Режим доступа: http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/bsi.htm (дата обращения: 16.02.2015).