КАНДЫБА, ПЕТР ЕФИМОВИЧ
Кандыба П.Е..jpg
Дата рождения:

17 июня 1935

Место рождения:

станция Камарчага Красноярского края

Научная сфера:

Физика, электроника

Учёная степень:

Доктор технических наук

Учёное звание:

Профессор

Альма-матер:

Томский государственный университет

Научный руководитель:

И.Н. Воженин

Известные ученики:

А.А. Голубский, Г.Я. Павлов, В.В. Минаев, Е.А. Фетисов

Награды и премии:


орден «Знак Почета» (1981), орден Трудового Красного Знамени (1986), медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970), медаль «Ветеран труда» (1985), Государственная премия РФ в области науки и техники (1993), медаль «В память 850-летия Москвы» (1997), премия АН СССР (1974 г.).

КАНДЫБА ПЕТР ЕФИМОВИЧ (родился 17 июня 1935, станция Камарчага, Манский район, Красноярский край) – выпускник радиофизического факультета Томского государственного университета по специальности «физик-радиоэлектроник».

Семья

Отец, Ефим Анисимович (1896–1967), из крестьян, с 1929 г. по 1960 г. – бухгалтер. Мать, Кандыба Анисья Кузьмовна (1903–1992) из крестьян, домохозяйка. Жена Петрова Валентина Захаровна (р. 1931), окончила Ленинградский технологический институт, доктор технических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР. В 1966–2001 гг. заведовала кафедрой общей химии МИЭТ, с 2001 г. по настоящее время – профессор-консультант кафедры микроэлектроники Московского института электронной техники (МИЭТ). Дочь Мартынова (Кандыба) Анна Петровна (р. 1961), окончила факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1984), инженер электронной техники. С 2016 г. – на пенсии. Сын Кандыба Дмитрий Петрович (р. 1965), окончил факультет Микроприборов и технической кибернетики МИЭТ (1988), инженер электронной техники.

Обучение в Томском государственному университете

В 1954 г. П.Е. Кандыба с отличием окончил техникум железнодорожного транспорта в Красноярске и поступил на первый курс радиофизического факультета ТГУ. Среди его преподавателей были: В.Н. Кессених, А.Б. Сапожников, К.А. Водопьянов, В.Н. Детинко, Н.Г. Щеглов, Э.С. Воробейчиков, Ф.И. Климентьев. В период учебы в ТГУ избирался комсоргом группы, секретарем комсомольского бюро курса, заместителем секретаря комсомольского бюро радиофизического факультета. В 1959 г. окончил университет по специальности «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Флуктуации амплитуды и фазы автогенератора на полупроводниковом транзисторе П-401» (научный руководитель И.Н. Воженин).

От инженера до генерального директора

После окончания ТГУ с 1959 г. по 1963 г. П.Е. Кандыба работал инженером, а затем старшим инженером, начальником лаборатории предприятия п/я-28 г. Бийска (ныне НПО «Алтай»). Участвовал в разработке систем автоматического управления. 1963–1970 гг. П.Е. Кандыба был переведен в Москву на должность начальника лаборатории, а впоследствии начальника отдела в НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР. В 1970 г. П.Е. Кандыба избран по конкурсу на должность начальника физико-технологического отделения НИИ физических проблем МЭП, где он осуществлял организационное и научное руководство разработками физико-химических основ технологии интегральных микросхем работающих на новых физических принципах (квантовые туннельные переходы Джозефсона, приборов с зарядовой связью, электрически репрограммируемые запоминающие устройства, оптроны, цилиндрические магнитные домены, магнитостатические волны в сильных ферромагнетиках). Одновременно с 1970–1990 гг. П.Е. Кандыба по совместительству работал сначала старшим преподавателем, а затем доцентом, профессором кафедры «Микроэлектроника» МФТИ. 17 апреля 1974 было присвоено ученое звание доцента по кафедре «Микроэлектроника» МФТИ. 2 сентября 1983 г. было присвоено ученое звание профессора по специальности «Технология полупроводников и материалов электронной техники». С 1978 г. по 1996 г. работал директором Московского Филиала НИИ «Фонон» и завода «Элпа», а впоследствии заместителем генерального директора НПО «Фонон» по научной работе (1985–1987), директором НИИ «Фонон» и генеральным директором ОАО «Фонон» (1987–1995). В 1996–2005 гг. – заведующий кафедрой «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» Московского института электронной техники (МИЭТ – ныне Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»). С 2005 г. – профессор-консультант кафедры «Микроэлектроника» НИУ МИЭТ.

КандыбаПЕ1.jpg
КандыбаПЕ2.jpg
КандыбаПЕ3.jpg
КандыбаПЕ4.jpg
КандыбаПЕ5.jpg

Преподавательская деятельность

На факультете физической и квантовой электроники МФТИ студентам специальности «Микроэлектроника» читал курсы: «Физика тонких плёнок» и «Физико-химические процессы технологии СБИС». Студентам специальности «Физика твёрдого тела, полупроводников и диэлектриков» читал курсы: «Элементальная база СБИС». На факультете «Интеллектуальные технические системы» МИЭТ по специальности «Автоматизированные комплексы микроэлектроники» читал курсы: «Физико-химические процессы технологии СБИС» и «Надежность интегральных микросхем».

Научно-исследовательская деятельность

Область научных интересов П.Е. Кандыбы – разработка технологических процессов, материалов и оборудования твердотельной микроэлектроники. В период работы НИИ Микроприборов Научного центра микроэлектроники МЭП СССР принимал участие в разработке базовой конструкции и технологии гибридных интегральных микросхем (ГИС). С 1965 начат выпуск радиоэлектронной аппаратуры общего и специального применения на основе разработанных ГИС. Результаты исследований были обобщены в диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук «Разработка и исследование технологии пленочных структур для гибридных микросхем», которая была защищена 7 июня 1967 г. на ученом Совете НИИ Микроприборов (научный руководитель доктор технических наук В.А. Преснов; официальные оппоненты: доктор технических наук Б.Ф. Высоцкий, кандидат технических наук А.И. Коробов, утверждена ВАК СССР 12 июля 1967). В 1970–1978 гг. П.Е. Кандыба, работая в НИИ физических проблем МЭП, в рамках государственной программы осуществлял организационное и научное руководство разработкой переключающего криотрона (аналог транзистора) на основе сверхпроводящего перехода Джозефсона. Разработан многослойный криотрон на базе планарного квантового сверхпроводящего перехода Джозефсона. Конструкция криотрона была запатентована в США, Англии, Франции. П.Е. Кандыбой предложена и разработана качественно новая технология термического окисления кремния, активируемая хлором при получении существенно более качественных функциональных, пассивирующих и защитных пленок оксида кремния и границы раздела кремний-оксид в биполярных и МОП интегральных микросхем. На базе этой технологии им впервые в СССР были разработаны линейные и матричные кремниевые фотоприемники видимого ИК-диапазона на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) с эффективностью переноса заряда не менее 0,99 и чувствительностью в видимом диапазоне 8•10-4 люкс, с быстродействием 1~5 МГц. Матричные фотоприемники использовались в аппаратуре зондирования поверхности Земли со спутников, обеспечивая разрешение 0,7–1 м и в бытовой технике. П.Е. Кандыба также принимал участие в разработке технологии электрически репрограммируемой памяти емкостью 256–512 кбит с временем хранения информации до 10 лет, с количеством переключения 109. В 1976 начат серийный выпуск разработанных интегральных микросхем. В 1978–1995 гг. работая в НПО «Фонон» МЭП П.Е. Кандыба был инициатором и научным руководителем разработки промышленной технологии производства пьезоэлектрических устройств стабилизации и селекции радиочастот на объемных и поверхностных акустических волнах (ПАВ) для телевизионной, вычислительной, авиационно-космической техники. Принимал участие в разработке частотно-избирательных гибридных микросхем для системы С-300. Результаты исследований и разработок в период работы П.Е. Кандыбы в НИИ физических проблем МЭП и НПО «Фонон» МЭП были обобщены в диссертации «Разработка и исследование процесса окисления кремния в хлорсодержащей среде в технологии интегральных схем» на соискание ученой степени доктора технических наук, защита которой состоялась 30 декабря 1981 на ученом Совете Московского института электронной техники (официальные оппоненты: академик АН СССР Ю.В. Гуляев, член-корреспондент АН СССР Б.Г. Грибов, д.т.н. Л.А. Коледов, утверждена ВАК СССР 15 июня 1982). П.Е. Кандыбой опубликовано более 100 научных работ, получено 6 патентов, 75 авторских свидетельств. Подготовил 26 кандидатов и 3 доктора наук. Среди его учеников: В.К. Семенов (университет Стони Брук, Нью-Йорк, США), В настоящее время следующие аспиранты, защитившие под руководством Кандыбы П.Е. кандидатские диссертации, активно работают в микроэлектронике: А.А. Голубский, заместитель генерального директора по научной работе ОАО «Научно-исследовательский институт «Элпа»; Г.Я. Павлов, директор по развитию ОАО «НИИ Точного машиностроения»; В.В. Минаев, ведущий научный сотрудник, ученый секретарь ОАО «Ангстрем»; Е.А. Фетисов, старший научный сотрудник, доцент кафедры Интегральной электроники и микросхем МИЭТ. Исследования П.Е. Кандыбы были удостоены премии АН СССР (1974), государственной премии РФ в области науки и техники (1993). П.Е. Кандыба награжден орденом «Знак Почета» (1981), Орденом Трудового Красного Знамени (1986); медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970), «Ветеран труда» (1985), «В память 850-летия Москвы» (1997), …тремя золотыми (1976, 1982, 1985) и двумя серебряными (1973, 1980) медалями ВДНХ СССР. П.Е. Кандыба был удостоен почетных званий: Почетный работник МЭП СССР (1985), Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).

Участие в стажировках, конференциях, симпозиумах

Результаты основных исследований докладывались на Всесоюзных, Всероссийских и международных научных конференциях. В их числе: Всесоюзная конференция по электронной микроскопии (Москва, 1969, доклад «Наблюдение в электронном микроскопе процесса рекристаллизации тонких плёнок»); Международная конференция «Оптоэлектроника» (г. Брайтон, Англия, 1972, доклад «Конструкция и электрофизические характеристики оптрона на основе арсенидгаллиевых излучателей и быстродействующих кремниевых фотоприемников»); Всесоюзная научно-техническая конференция «Совершенствование технологий производства интегральных микросхем и печатных плат» (Вильнюс, 1975, доклад: «Конструкция и технология фотоприемных матриц на ПЗС»); Международный симпозиум по акустоэлектронике (г. Варна, Болгария, сентябрь 1989, доклад: «Разработка промышленной технологии акустоэлектронных устройств на ПАВ»); Международная научно-техническая конференция «Микросистемы, сенсоры и акустоэлектроника» (Санкт-Петербург, 1993, член организационного комитета, председатель секции акустоэлектроники); 45-ый ежегодный симпозиум по контролю радиочастот (Лос-Анжелес, США 1991, доклад «Монолитные фильтры на основе сильных пьезоэлектриков»).

Научно-организационная деятельность

В 1983-1995 гг. П.Е. Кандыба являлся членом ученого совета по присуждению ученых степеней факультета физической и квантовой электроники МФТИ. Одновременно с 1983 г. по 1988 г. являлся членом экспертного совета ВАК СССР. В 1985-1995 гг. входил в состав в качестве полноправного члена 49 комитета Международной электротехнической комиссии. В 1985-1995 гг. - председатель ученого совета по присуждению ученых степеней НПО «Фонон». В 1985-1990 гг. - научный консультант редакции «Советская энциклопедия». В 1987-1995 гг. являлся членом института инженеров по электротехнике и электронике (США). С 1997 г. по 2005 г. исполнял обязанности председателя ученого совета по присуждению ученых степеней МИЭТ.

Общественно-преподавательская деятельность

В 1979-1987 гг. трижды избирался депутатом Зеленоградского исполкома города Москвы. Одновременно в 1979-1987 гг. являлся членом Зеленоградского районного комитета КПСС г. Москвы.

Награды

  • Орден «Знак Почета» (1981);
  • Орден Трудового Красного Знамени (1986);
  • Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970);
  • Медаль «Ветеран труда» (1985);
  • Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997).

Медали ВДНХ

  • Две серебряные медали ВДНХ (1973, 1980);
  • Три золотые медали ВДНХ (1976, 1982, 1985);

Звания

  • Почетный работник МЭП СССР (1985);
  • Почетный работник Министерства образования и науки РФ (1993).

Премии

  • Премия АН СССР (1974);
  • Государственная премия РФ в области науки и техники (1993);

Патенты

  • Криотрон на планарном квантовом переходе Джозефсона
  • Патент США №4.178.602 (1979).
  • Патент США №4.240.086 (1980).
  • Патент: Англия №1.553.945 (1977).
  • Патент: Франция №2.364.543 (1979).
  • Патент: СССР «Плоский пьезоэлемент толщинно-сдвиговых колебаний и способ его изготовления» №2.007.023 СССР (1991).

Авторские свидетельства

  • Композиционный материал в производстве гибридных пленочных микросхем. а.с. №46987, СССР, 1968.
  • Способ изготовления гибридных микросхем. а.с. №271598, СССР, 1968 г.
  • Логический переключающий элемент на базе планарного квантового перехода Джозефсона. а.с. №810015, СССР, 1977.
  • Стробируемый токовый дискриминатор на основе планарных переходов Джозефсона. а.с. №1008908, СССР, 1981.
  • Конструкция интегральной микросхемы с зарядовой связью. а.с. №523598, СССР, 1975.
  • Способ термического окисления кремния в технологии интегральных микросхем. а.с. №695466, СССР, 1978.
  • Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах. а.с. №1204112, СССР, 1981.

Труды

  • Разработка тонкопленочных гибридных микросхем сб. Микроэлектроника М: Сов. Радио №1, С. 269-284, 1967.
  • Сверхпроводящие параметры пленок ниобия. Физика металлов и металловедения. Т. 46 №3, 1973, С. 1176-1181.
  • Джозефсоновский мостиковый переход с перемычкой из нормального металла. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника №2, С. 110-112, 1976
  • Влияние окисления кремния в хлорсодержащей среде на рассеяние носителей заряда в инверсионных слоях МОП-структур. Микроэлектроника АН СССР, Т.6, №2, , 1977. С. 184-188.
  • Линейные фотоэлектрические преобразователи напряжения на основе приборов с зарядовой связью со скрытым каналом. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника №2, 1976. С. 26-31.
  • Состояние и перспективы развития пьезотехники. Электронная техника. Сер.5. Радиокомпоненты №3, 1987. С. 4-7.
  • Физико-химические основы геттерирования микропримесей и распада дефектов упаковки в процессе активируемого хлором окисления кремния. Труды 1ой Всесоюзной конференции «Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью». Ташкент, 1977. С. 43-45
  • Модельное представление структуры ближнего порядка в пленках диоксида кремния. ДАН, Т.266, №1, 1983. С.113-117.
  • Разработка фильтров на ПАВ для каналов изображения цветных телевизоров. Материалы XI Всесоюзной конференции по акустоэлектронике, Новосибирск, 1981, С. 131-133.
  • Справочник «Пьезоэлектрические резонаторы», Москва, Изд. Связь, 1992.
  • Мостяев В.А., Дюжиков В.И. Технология пьезоэлектрических и акустических устройств. Издательство Ягуар, Москва, 1993.
  • Технология пьезоэлектрических и акустоэлектрических устройств. Москва, Издательство Ягуар, 1993.
  • Межвузовский научный сборник / под ред. Кандыбы П.Е. Москва, МИЭТ, 1998.

Источники и литература

  • Электроника России. Библиографическая энциклопедия. Изд. Столичная энциклопедия, Москва, 2009. С. 208-209.
  • Российская пьезоакустоэлектроника под. ред. академика Гуляева Ю.В., Москва, Радиотехника, 2008, С. 191, 306, 314.
  • МИЭТ. Годы. Люди. События. Москва, МИЭТ, 2015. С.102.
  • IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Society. Newsletter number 16, sept. 1993, P.15.
  • Кандыба Пётр Ефимович // Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники». Режим доступа: https://miet.ru/person/51715 (дата обращения: 18.02.2017).
Автор статьи: А.Н. Сорокин