| Виктор Алексеевич Преснов | |
 | |
| Дата рождения: |
2 декабря 1917 |
|---|---|
| Дата смерти: |
17 июля 1987 |
| Место смерти: |
Одесса |
| Научная сфера: |
Физика |
| Научная школа |
Основатель научной школы физики и техники полупроводников |
| Период работы в Томском университете : |
1960–1996 |
| Место работы в Томском университете: |
Кафедры полупроводников и диэлектриков радиофизического факультета |
| Учёная степень: |
Доктор технических наук |
| Учёное звание: |
Профессор |
| Альма-матер: |
Томский государственный университет |
| Известные ученики: |
В.Ф. Сыноров, Л.Г. Лаврентьева, В.И. Гаман, Л.Л. Люзе, С.С. Хлудков, В.Г. Божков, В.Н. Брудный и др. |
| Награды и премии: |
|
ПРЕСНОВ Виктор Алексеевич (2 декабря 1917, Анжеро-Судженск – 17 июля 1987, Одесса) – физик, профессор кафедры полупроводников и диэлектриков Томского университета.
Его отец, Алексей Cтаниславович (1886–1954), по национальности латгалец, был участником революции 1905–1907 гг., до 1908 г. – рабочий вагоностроительного завода в Петербурге. Потом переехал в Сибирь, где некоторое время работал кессонщиком на строительстве опор для второго железнодорожного моста через р. Енисей в районе Красноярска, а затем шахтером-забойщиком на Судженских копях в Кузбассе. В 1920 г. вступил в ряды РКП(б). Мать, Соломея Ивановна (дев. Лубгина, 1880–1969), родом из Витебской губернии, вела домашнее хозяйство и воспитывала детей. Из 12 рожденных ею, кроме В.А. Преснова и его брата Алексея (р. 1914, учился в ТПИ, арестован в 1937 и расстрелян), остальные умерли в младенчестве. Первым браком В.А. Преснов был женат на Вере Константиновне Сончик (р. 1921). Она окончила физико-математический факультет Иркутского университета по специальности “Физик” (1945), кандидат физико-математических наук, многие годы работала в СФТИ. Их дети: Ольга (р. 1946), окончила радиофизический факультет ТГУ по специальности “Радиофизика и электроника”, специализация “полупроводники”, работала в СФТИ, доктор физико-математических наук (2002), профессор кафедры физики Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР); Людмила (р. 1950), училась в Томском медицинском институте (ТМИ, ныне СибГМУ). Вторым браком В.А. Преснов был женат на В. Андреевой. Их дочь – Виктория (р. 1968).
После окончания школы (1935) В.А. Преснов поступил на астрономо-геодезический факультет Новосибирского строительного института. После 1-го курса переехал в Томск и выдержал конкурс на физико-математический факультет ТГУ. Окончил университет (1941) по специальности “Физика” с уклоном “Оптика и спектроскопия” и квалификацией “физик” с правом преподавания в высшей и средней школе. Его учителями были профессора М.А. Большанина, Н.Н. Горячев, В.Д. Кузнецов, В.М. Кудрявцева, Б.В. Тронов, М.И. Усанович. На 5-м курсе исполнял обязанности научного сотрудника лаборатории фотоэлектрических явлений (затем лаборатория спектроскопии) СФТИ, которой заведовала в то время профессор В.М. Кудрявцева.
По окончании университета некоторое время работал учителем физики в селе Ребриха на Алтае. В конце 1941 г. при призыве в армию получил отсрочку, вернулся в Томск и устроился научным сотрудником лаборатории физиологической оптики Всесоюзного института экспериментальной медицины (ВИЭМ), эвакуированного в Томск. В ВИЭМ вместе с профессором Н.Т. Федоровым изучал действие света большой силы на контрастную чувствительность глаза человека и действие противоядия от синильной кислоты на остроту зрения человека. Одновременно по совместительству В.А. Преснов – научный сотрудник лаборатории спектроскопии СФТИ. Занимался разработкой метода визуального количественного спектрального анализа.
В мае 1942 г. был призван в действующую армию. Служил сапером, участвовал в боях под Сталинградом, где получил тяжелое осколочное ранение в ногу и правый бок. После госпиталя был зачислен в штат запасного полка. За активное участие в рационализаторской и изобретательской работе, за изобретения, усиливавшие обороноспособность армии, был награжден орденом Красной Звезды. После демобилизации в звании старшего сержанта (сентябрь 1945) вернулся в Томск.
(%D0%B2_%D1%86%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%80%D0%B5),_%D0%A4%D0%BE%D0%BC%D0%B8%D0%BD_%D0%9D._(%D0%B4%D0%B8%D0%BF%D0%BB%D0%BE%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%BA),_%D0%92%D1%8F%D1%82%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%90.%D0%9F._(%D1%81.%D0%BD.%D1%81.,%D1%81%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%B0)_%D0%B7%D0%B0_%D1%80%D0%B0%D0%B1%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%B9._1952%D0%B3..png)
С 15 ноября 1945 г. продолжил работу в СФТИ в должности научного сотрудника лаборатории физики диэлектриков. В 1947 г. был назначен ученым секретарем СФТИ. После защиты кандидатской диссертации в 1950 г. перешел на преподавательскую работу в университет. С 1 июня 1950 г. – ассистент, с 22 сентября того же года – доцент (утвержден ВАК 26 мая 1951) кафедры физики диэлектриков (заведующий кафедрой – К.А. Водопьянов). С 1 февраля 1958 г. по 1 сентября 1964 г. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков. Одновременно с 1957 г. заведовал проблемной лабораторией полупроводников. Утвержден ВАК в ученом звании профессора 4 октября 1961 г. С 1 июля 1964 г. по 28 мая 1968 – директор и научный руководитель предприятия а/я 85 (с 1966 г. НИИ полупроводниковых приборов Министерства электронной промышленности). В эти же годы по совместительству преподавал в Томском институте радиоэлектроники и электронной техники (ТИРиЭТ, ныне ТУСУР).
В 1947/48 уч. г. читал курс “Техника высоких напряжений” в Томском индустриальном техникуме. В ТГУ вел лабораторный практикум по физике диэлектриков и читал курсы: “Физика полупроводников”, “Техника высоких напряжений”, “Материаловедение диэлектриков”, “Электроника полупроводников”, “Физикохимия полупроводников”, “Полупроводниковые электронные приборы”.
С полупроводниковыми материалами начал работать еще студентом, когда под руководством профессора В.М. Кудрявцевой изучал люминесценцию касситерита (SnO2). Производственную практику проходил в лаборатории академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте (Ленинград), где его научным руководителем был Б.В. Курчатов. Посещение научных семинаров, личное обаяние А.Ф. Иоффе, дух творчества, царивший в лаборатории, оказали огромное влияние на практиканта, приехавшего из далекой Сибири, пробудили интерес к полупроводникам. Демобилизовавшись из армии и поступив в лаборатории электрофизики СФТИ, В.А. Преснов в короткий срок изучил физику диэлектриков, овладел методикой измерений и под руководством доцента А.М. Вендеровича выполнил исследования диэлектрических свойств стекол. Анализировалась проблема взаимосвязи структуры стекол и их электрических свойств, в частности, влияние примесей на свойства электротехнических силикатных стекол в сильных электрических полях. 5 апреля 1950 г. в совете физического факультета ТГУ В.А. Преснов защитил диссертацию “Электропроводность стекол в сильных электрических полях” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора А.А. Воробьев и Ф.И. Вергунас; утвержден ВАК 9 августа 1950). Примерно в это же время В.А. Преснов выполнил ряд специальных разработок, конечной целью которых было решение конкретных технических задач для предприятий электротехнической промышленности. В 1947 г. им были разработаны и внедрены в производство на томском заводе “Сибкабель” метод сухого испытания полуфабрикатов в процессе производства кабельной продукции и новый метод сплошного контроля резиновой ленты на ее однородность. В последующие годы В.А. Пресновым были организованы и проведены систематические физические исследования по проблеме создания прочного спая стекла и керамики с металлом для Томского электролампового завода и Новосибирского предприятия а/я 92, на котором осваивалась новая технология производства металлокерамических ламп СВЧ-диапазона. Здесь в полной мере были использованы идеи М.И. Усановича о кислотно-основном взаимодействии в твердых телах, которыми В.А. Преснов заинтересовался еще будучи студентом. Экспериментальный материал, полученный в результате проведенных исследований, был положен в основу электронной теории спая. Комитетом по делам изобретений и открытий при СМ СССР был установлен приоритет нашей страны по этой работе и выдано удостоверение о регистрации № 7858. Результаты исследований нашли применение на предприятиях, занимавшихся выпуском высокочастотных приборов. Это принесло значительный экономический эффект. В 1953 г. за работу “Физические основы спая стекла и керамики с металлом” В.А. Преснов был удостоен премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу. Изучение свойств стекла, керамики и их спаев с металлами явилось основой диссертации “Исследования по физике спая” на соискание ученой степени доктора технических наук, которую он защитил 12 июня 1959 г. в совете Ленинградского электротехнического института (утвержден ВАК 18 февраля 1961). Основные материалы и физические идеи работы изложены в его монографии “Основы техники и физики спая”.
Параллельно с работами по диэлектрикам В.А. Преснов положил начало исследованиям в СФТИ в области физики полупроводников. В 1957 г. по инициативе В.А. Преснова и при активной поддержке директора института М.А. Кривова была открыта лаборатория полупроводников, в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики М.А. Кривов, А.П. Изергин, А.П. Вяткин, С.С. Ногина и др. В лаборатории полупроводников были сформированы группы по технологии выращивания монокристаллов полупроводников (А.П. Изергин в последующем стал дважды лауреатом Государственной премии за разработки технологии получения сложных полупроводников), изучению физических свойств полупроводников (М.А. Кривов), физике полупроводниковых приборов (А.П. Вяткин), методам исследования структуры (М.П. Якубеня), полупроводниковым пленкам (Л.Г. Лаврентьева). Со временем состав лаборатории пополнился выпускниками кафедры полупроводников, лаборатория полупроводников СФТИ была преобразована в отдел физики полупроводников (1973). Уже на первом этапе к новому направлению подключились кафедра аналитической химии (Г.А. Катаев), где разрабатывались методы химического анализа полупроводников (З.И. Отмахова) и методы защиты поверхности полупроводников (И.И. Отмахов), лаборатория теоретической физики (В.А. Чалдышев), где велись работы по расчету структуры энергетических зон полупроводников. Были установлены рабочие контакты со специалистами по электронике (В.Н. Детинко) и кристаллографии (С.А. Строителев). В 1957 г. в ТГУ были открыты проблемные лаборатории физики полупроводников (на радиофизическом факультете) и химии полупроводников (на химическом факультете). Таким образом, к концу 1950-х в Томске сформировался неформальный научно-учебный комплекс, способный решать серьезные научные и технические задачи по физике и технике полупроводников. Его лидером являлся В.А. Преснов. Была разработана технология выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs, изготовления диодов на его основе по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда. Разрабатывалась технология очистки веществ, химического анализа высокочистых веществ. В.А. Преснов принимал активное участие в исследованиях. Он – автор оригинальных работ в области кристаллохимии полупроводников. Им были предложены новые методы выращивания полупроводниковых пленок, новые способы модификации свойств полупроводников путем введения примесей переходных металлов, оригинальные способы формирования контактов металлов с полупроводниками и способы стабилизации поверхности полупроводников. В то время Томск был единственным городом за Уралом, где проводились научные исследования по физике и технологии полупроводников и велась подготовка специалистов в этой области. Вопреки общей тенденции перехода от германия к кремнию, а затем к более сложным полупроводникам, томские исследователи сразу перешли к арсениду галлия – новому, тогда еще совершенно не изученному материалу. Первое помещение по синтезу и кристаллизации GaAs размещалось под крыльцом корпуса СФТИ на пл. Революции (ныне Ново-Соборная пл.). В.А. Преснов уделял большое внимание организации постоянных научных и деловых контактов сотрудников лаборатории и кафедры с ведущими специалистами и коллективами страны. Сотрудники принимали участие во всесоюзной конференции и научно-технических совещаниях по физике полупроводников, микроэлектронике, росту кристаллов и др. С этой же целью в 1962 г. в ТГУ была организована всесоюзная научная конференция по физике поверхностных и контактных явлений в полупроводниках. На ней В.А. Преснов выступил с обобщающим докладом “Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов”. В дальнейшем в Томске систематически организовывались Всероссийские научные конференции (совещания) по арсениду галлия (1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999), в которых участвовали ведущие специалисты и ученые из разных городов страны. 6-я конференция по арсениду галлия (1987) была посвящена 70-летию В.А. Преснова, но оказалась одновременно конференцией, посвященной его памяти –В.А. Преснов умер за 2 месяца до открытия конференции.
В.А. Преснов был членом Научного совета Министерства высшего и среднего специального образования (Минвуза) СССР по проблемам микроэлектроники. Как специалист, В.А. Преснов понимал, что научные разработки могут быть реализованы только при условии их внедрения в промышленное производство. Поэтому немало усилий им было приложено к тому, чтобы организовать в Томске отраслевой институт соответствующего профиля. В 1960 г. Госкомитетом по радиоэлектронике СМ СССР было принято решение о строительстве в Томске специализированного НИИ, включающего опытное производство полупроводниковых приборов. В 1964 г. НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП) Министерства электронной промышленности СССР вступило в число действующих. Под руководством В.А. Преснова в НИИПП было сформировано основное научно-производственное направление, ориентированное на использование арсенида галлия и его аналогов в излучающих и СВЧ-приборах. Были выполнены разработки соответствующих приборов, налажен их выпуск.
В 1968 г. В.А. Преснов возглавил кафедру физической электроники Одесского университета. Под руководством В.А. Преснова при кафедре физической электроники была создана отраслевая научно-исследовательская лаборатория физических основ электронной техники (ФОЭТ), коллектив которой насчитывал более 200 сотрудников. Основным направлением его научной деятельности становится биомедицинская электроника – проблема воздействия препаратов на проницаемость биологических межклеточных мембран и разработка новых методов лечения раковых заболеваний. Основные идеи нового направления изложены в его монографии “Биоэлектронный митоз клеток”. За эти работы В.А. Преснову было присвоено звание заслуженного деятеля науки УССР. Лично В.А. Пресновым и в соавторстве было опубликовано 2 монографии, ряд статей в сборниках докладов научных конференций, более 100 статей в различных научных изданиях, получено более 20 авторских свидетельств на изобретения. Под руководством В.А. Преснов было выполнено более 30 кандидатских диссертаций. Многие из его учеников стали докторами наук: В.Ф. Сыноров, Л.Г. Лаврентьева, В.И. Гаман, Л.Л. Люзе, С.С. Хлудков, В.Г. Божков, В.Н. Брудный и др.
Все, кому довелось работать под руководством В.А. Преснова, отмечают, что как ученому ему были присущи умение видеть новое, смелость и оригинальность в постановке и решении научных задач, умение зажечь людей новыми идеями, способность организовать работу коллектива в нужном направлении. В.А. Преснова отличали доброжелательность, демократизм, умение найти подход к каждому. Обращаясь к молодежи, он говорил: “Помните, что счастье дает человеку не только достигнутая цель, но и весь часто очень трудный путь к ней. Большую полноту счастья дает настойчивый научный и инженерный труд, решение загадок, которых еще немало, разработка принципиально новых приборов, изобретения, открывающие новые технические возможности, позволяющие улучшить жизнь человека, его быт, культуру. Ищите и осуществляйте новое, лучшее, оно есть в каждом деле”.
Будучи студентом, В.А. Преснов избирался секретарем бюро ВЛКСМ (1938–1940). После Великой Отечественной войны – председателем цехкома СФТИ (1945–1947), членом месткома ТГУ, членом обкома союза работников просвещения, высшей школы и науч. учреждений и членом республиканского комитета того же союза (1962–1964). Депутат Томского горсовета депутатов трудящихся. Член Кировского райкома КПСС (60-е гг.). Состоял в КПСС с 1965 г.
14 февраля 2008 г. в связи с 90-летием со дня рождения на здании НИИПП открыта мемориальная доска в честь организатора и первого директора НИИПП В.А. Преснова.
