| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Mgrib (обсуждение | вклад) |
Mgrib (обсуждение | вклад) |
||
| Строка 20: | Строка 20: | ||
|Научный руководитель = [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]] | |Научный руководитель = [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]] | ||
|Знаменитые ученики = | |Знаменитые ученики = | ||
| − | |Награды и премии = | + | |Награды и премии = [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|медаль «Ветеран труда»]] (1989); [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль«За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998) |
}} | }} | ||
| Строка 34: | Строка 34: | ||
=='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | =='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | ||
| − | С 10 марта 1966 г. по 1 июля 1971 г. – аспирант кафедры физики полупроводников. С 1 марта 1968 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ при [[Томский государственный университет|ТГУ]], с 1 февраля 1972 г. – [[:Категория: Научные сотрудники Томского университета|Научный сотрудник]] проблемной лаборатории полупроводников [[Томский государственный университет|ТГУ]], с 1 марта 1973 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]], руководитель научной группы, с | + | С 10 марта 1966 г. по 1 июля 1971 г. – аспирант кафедры физики полупроводников. С 1 марта 1968 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ при [[Томский государственный университет|ТГУ]], с 1 февраля 1972 г. – [[:Категория: Научные сотрудники Томского университета|Научный сотрудник]] проблемной лаборатории полупроводников [[Томский государственный университет|ТГУ]], с 1 марта 1973 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]], руководитель научной группы, с октября 1994 г. – заведующий отделом физики полупроводников СФТИ. По совместительству с 1 сентября 1991 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]] кафедры полупроводниковой электроники, с 1 сентября 1995 г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры физики полупроводников физического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 26 января 1977 г. Читает спецкурсы: «Оптические свойства полупроводников», «Физика неупорядоченных полупроводников», «Физические основы микроэлектроники». |
=='''Научно-исследовательская деятельность'''== | =='''Научно-исследовательская деятельность'''== | ||
| − | Основное | + | Основное научное направление исследований В.Н. Брудного – дефекты кристаллической решетки, границы раздела, радиационное модифицирование и общие закономерности поведения полупроводниковых материалов при воздействии высокоэнергетических излучений (электроны, ионы, нейтроны). В.Н. Брудный исследовал влияние электронного облучения на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства арсенида галлия, термическую стабильность радиационных дефектов. Полученные результаты явились основой для изучения изменения вольтамперных характеристик арсенидгаллиевых туннельных диодов при электронном облучении и последующем отжиге. |
| − | 12 | + | 12 апреля 1973 г. в совете при [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доцент [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Е.К. Завадовская и кандидат физико-математических наук А.П. Мамонтов; утвержден ВАК 22 июня 1973 г.). |
| − | Последующие исследования, проводимые | + | Последующие исследования, проводимые В.Н. Брудным, включали: изучение структурных нарушений в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию ионизирующих излучений, с использованием электрофизических и оптических измерений; аннигиляции позитронов; дефектов в условиях гидростатического сжатия и т.д. Эти исследования направлены на изучение радиационного модифицирования полупроводников, их радиационной стойкости, решение проблем ионного и трансмутационного легирования полупроводников сложного состава, разработку физических моделей для интерпретации экспериментальных данных, проработку технических решений. |
| − | В | + | В декабре 1993 г. в совете ИФПМ СО РАН защитил диссертацию «Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты профессора Д.И. Вайсбурд, В.Е. Егорушкин и В.И. Панов; утвержден ВАК 10 июня 1994 г.). |
| + | |||
| + | По результатам исследований им опубликовано около 150 статей в отечественных и зарубежных научных журналах, 1 монография, 3 учебных пособия, получено 11 авторских свидетельств на изобретения. | ||
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | =='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | ||
| − | Выступал с | + | Выступал с научными докладами и сообщениями на более 40 конференциях и совещаниях различного уровня, в т.ч. на III Всесоюзном совещании по радиационной физике неметаллических кристаллов (Киев, 1969), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Минск, 1972), Всесоюзном совещании по глубоким центрам в полупроводниках (Одесса, 1973), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Новосибирск 1974-1986), международной конференции по радиационным эффектам в полупроводниках (Тбилиси, 1979), Всесоюзной конференции по физике сложных полупроводников (Кишинев, 1976, 12979, 1983, 1987, 1990), III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск 1999) и др. |
| + | |||
| + | =='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''== | ||
| + | Член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в [[Томский государственный университет|ТГУ]] и докторского диссертационного совета в ТПУ. Член оргкомитета Всесоюзной конференции по арсениду галлия (Томск, 1982, 1987), заместитель председателя оргкомитета конференции "GaAs-1999" (Томск, 1999), член оргкомитета III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), ученый секретарь VIII Российской конференции «GaAs-2002» (Томск, 2002), член оргкомитета III международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2002) и др. | ||
| − | + | Руководитель центра по физике полупроводников проекта «Академический университет» программы «Интеграция» (с 1997 г.), куратор [[Томский государственный университет|ТГУ]] в Сибирской ассоциации материаловедов. Избирался председателем профбюро отдела физики полупроводников СФТИ, председателем производственной комиссии профбюро СФТИ. Директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника». Изобретатель СССР (1985). Член-корреспондент РАЕН (1997). | |
=='''Награды'''== | =='''Награды'''== | ||
| − | * [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|медаль «Ветеран труда»]] (1989). | + | * [[:Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»|медаль «Ветеран труда»]] (1989); |
| + | * [[:Категория: Награжденные медалью «За заслуги перед Томским государственным университетом»|Медаль«За заслуги перед Томским государственным университетом»]] (1998). | ||
=='''Труды'''== | =='''Труды'''== | ||
| Строка 69: | Строка 75: | ||
[[Категория: Персоналии]] | [[Категория: Персоналии]] | ||
[[Категория: Профессора Томского университета]] | [[Категория: Профессора Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Доценты Томского университета]] | ||
[[Категория: Научные сотрудники Томского университета]] | [[Категория: Научные сотрудники Томского университета]] | ||
[[Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета]] | [[Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета]] | ||
[[Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»]] | [[Категория: Награжденные медалью «Ветеран труда»]] | ||
[[Категория: Доктора физико-математических наук]] | [[Категория: Доктора физико-математических наук]] | ||
| + | [[Категория: Сотрудники Физического факультета Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Выпускники Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Выпускники Физического факультета Томского университета]] | ||
[[Категория: Все статьи]] | [[Категория: Все статьи]] | ||
[[Категория: Б]] | [[Категория: Б]] | ||
| Брудный Валентин Натанович | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Харьков |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: | |
| Научный руководитель: | |
| Награды и премии: |
|
БРУДНЫЙ Валентин Натанович (р. 22 мая 1939 г., Харьков) – директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников.
Мать В.Н. Брудного, Анна Ивановна (дев. Коваленко, 1910–?), из рабочих. До войны работала на обувной фабрике «Скороход» (Харьков), после войны – на предприятиях и в организациях Бердска. В начале Великой Отечественной войны вместе с матерью был эвакуирован в Бердск. В воспитании В.Н. Брудного принимал участие отчим, Павел Кондратьевич Минин (1911–1994), который работал водителем автотранспорта.
Женат на Людмиле Степановне (дев. Чиркова, р. 1943). Она окончила историко-филологический факультет ТГУ, преподавательница кафедры иностранного языка ТУСУРа. Их дочь, Марина, р. 1967, окончила Томское медицинское училище, работала медсестрой в военном госпитале и училась на заочном отделении биолого-почвенного факультета ТГУ.
После окончания средней школы № 9 В.Н. Брудный с июня по декабрь 1957 г. был курсантом Тихоокеанского высшего военно-морского училища им. С.О. Макарова (Владивосток). С декабря 1957 г. по июнь 1960 г. служил на Тихоокеанском военно-морском флоте. В 1960 г. поступил на физический факультет, а в 1962 г. перевелся на радиофизический факультет ТГУ. Его учителями были В.Н. Кессених, В.Ф. Конусов, А.С. Майдановский, В.А. Преснов, А.Б. Сапожников и др. Окончил университет (1965) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Исследование влияния электронного облучения на свойства арсенида галлия» (научный руководитель старший научный сотрудник С.В. Малянов).
С 10 марта 1966 г. по 1 июля 1971 г. – аспирант кафедры физики полупроводников. С 1 марта 1968 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ при ТГУ, с 1 февраля 1972 г. – Научный сотрудник проблемной лаборатории полупроводников ТГУ, с 1 марта 1973 г. – старший научный сотрудник, руководитель научной группы, с октября 1994 г. – заведующий отделом физики полупроводников СФТИ. По совместительству с 1 сентября 1991 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники, с 1 сентября 1995 г. – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 26 января 1977 г. Читает спецкурсы: «Оптические свойства полупроводников», «Физика неупорядоченных полупроводников», «Физические основы микроэлектроники».
Основное научное направление исследований В.Н. Брудного – дефекты кристаллической решетки, границы раздела, радиационное модифицирование и общие закономерности поведения полупроводниковых материалов при воздействии высокоэнергетических излучений (электроны, ионы, нейтроны). В.Н. Брудный исследовал влияние электронного облучения на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства арсенида галлия, термическую стабильность радиационных дефектов. Полученные результаты явились основой для изучения изменения вольтамперных характеристик арсенидгаллиевых туннельных диодов при электронном облучении и последующем отжиге.
12 апреля 1973 г. в совете при ТГУ защитил диссертацию «Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доцент М.А. Кривов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Е.К. Завадовская и кандидат физико-математических наук А.П. Мамонтов; утвержден ВАК 22 июня 1973 г.).
Последующие исследования, проводимые В.Н. Брудным, включали: изучение структурных нарушений в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию ионизирующих излучений, с использованием электрофизических и оптических измерений; аннигиляции позитронов; дефектов в условиях гидростатического сжатия и т.д. Эти исследования направлены на изучение радиационного модифицирования полупроводников, их радиационной стойкости, решение проблем ионного и трансмутационного легирования полупроводников сложного состава, разработку физических моделей для интерпретации экспериментальных данных, проработку технических решений.
В декабре 1993 г. в совете ИФПМ СО РАН защитил диссертацию «Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты профессора Д.И. Вайсбурд, В.Е. Егорушкин и В.И. Панов; утвержден ВАК 10 июня 1994 г.).
По результатам исследований им опубликовано около 150 статей в отечественных и зарубежных научных журналах, 1 монография, 3 учебных пособия, получено 11 авторских свидетельств на изобретения.
Выступал с научными докладами и сообщениями на более 40 конференциях и совещаниях различного уровня, в т.ч. на III Всесоюзном совещании по радиационной физике неметаллических кристаллов (Киев, 1969), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Минск, 1972), Всесоюзном совещании по глубоким центрам в полупроводниках (Одесса, 1973), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Новосибирск 1974-1986), международной конференции по радиационным эффектам в полупроводниках (Тбилиси, 1979), Всесоюзной конференции по физике сложных полупроводников (Кишинев, 1976, 12979, 1983, 1987, 1990), III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск 1999) и др.
Член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ и докторского диссертационного совета в ТПУ. Член оргкомитета Всесоюзной конференции по арсениду галлия (Томск, 1982, 1987), заместитель председателя оргкомитета конференции "GaAs-1999" (Томск, 1999), член оргкомитета III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), ученый секретарь VIII Российской конференции «GaAs-2002» (Томск, 2002), член оргкомитета III международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2002) и др.
Руководитель центра по физике полупроводников проекта «Академический университет» программы «Интеграция» (с 1997 г.), куратор ТГУ в Сибирской ассоциации материаловедов. Избирался председателем профбюро отдела физики полупроводников СФТИ, председателем производственной комиссии профбюро СФТИ. Директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника». Изобретатель СССР (1985). Член-корреспондент РАЕН (1997).
