Брудный, Валентин Натанович

Брудный Валентин Натанович
Дата рождения:	22 мая 1939 г.
Место рождения:	Харьков
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Научный руководитель:	М.А. Кривов
Награды и премии:	медаль «Ветеран труда» (1989); Звание «Ветеран труда ТГУ» (1997); Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998); Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (2009); Медаль «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета (2014); Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» II степени (2018); Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» I степени (2024)

БРУДНЫЙ Валентин Натанович (р. 22 мая 1939 г., Харьков) – директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников.

Семья

Мать В.Н. Брудного, Анна Ивановна (дев. Коваленко, 1910–?), из рабочих. До войны работала на обувной фабрике «Скороход» (Харьков), после войны – на предприятиях и в организациях Бердска. В начале Великой Отечественной войны вместе с матерью был эвакуирован в Бердск. В воспитании В.Н. Брудного принимал участие отчим, Павел Кондратьевич Минин (1911–1994), который работал водителем автотранспорта.

Женат на Людмиле Степановне (дев. Чиркова, р. 1943). Она окончила историко-филологический факультет ТГУ, преподавательница кафедры иностранного языка ТУСУРа. Их дочь, Марина, р. 1967, окончила Томское медицинское училище, работала медсестрой в военном госпитале и училась на заочном отделении биолого-почвенного факультета ТГУ.

Школьные и студенческие годы

После окончания средней школы № 9 В.Н. Брудный с июня по декабрь 1957 г. был курсантом Тихоокеанского высшего военно-морского училища им. С.О. Макарова (Владивосток). С декабря 1957 г. по июнь 1960 г. служил на Тихоокеанском военно-морском флоте. В 1960 г. поступил на физический факультет, а в 1962 г. перевелся на радиофизический факультет ТГУ. Его учителями были В.Н. Кессених, В.Ф. Конусов, А.С. Майдановский, В.А. Преснов, А.Б. Сапожников и др. Окончил университет (1965) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Исследование влияния электронного облучения на свойства арсенида галлия» (научный руководитель старший научный сотрудник С.В. Малянов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С 10 марта 1966 г. по 1 июля 1971 г. – аспирант кафедры физики полупроводников. С 1 марта 1968 г. – старший научный сотрудник лаборатории полупроводников СФТИ при ТГУ, с 1 февраля 1972 г. – Научный сотрудник проблемной лаборатории полупроводников ТГУ, с 1 марта 1973 г. – старший научный сотрудник, руководитель научной группы, с октября 1994 г. – заведующий отделом физики полупроводников СФТИ. По совместительству с 1 сентября 1991 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники, с 1 сентября 1995 г. – профессор кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ. Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 26 января 1977 г. Читает спецкурсы: «Оптические свойства полупроводников», «Физика неупорядоченных полупроводников», «Физические основы микроэлектроники».

Научно-исследовательская деятельность

Основное научное направление исследований В.Н. Брудного – дефекты кристаллической решетки, границы раздела, радиационное модифицирование и общие закономерности поведения полупроводниковых материалов при воздействии высокоэнергетических излучений (электроны, ионы, нейтроны). В.Н. Брудный исследовал влияние электронного облучения на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства арсенида галлия, термическую стабильность радиационных дефектов. Полученные результаты явились основой для изучения изменения вольтамперных характеристик арсенидгаллиевых туннельных диодов при электронном облучении и последующем отжиге.

12 апреля 1973 г. в совете при ТГУ защитил диссертацию «Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель доцент М.А. Кривов; официальные оппоненты доктор физико-математических наук Е.К. Завадовская и кандидат физико-математических наук А.П. Мамонтов; утвержден ВАК 22 июня 1973 г.).

Последующие исследования, проводимые В.Н. Брудным, включали: изучение структурных нарушений в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию ионизирующих излучений, с использованием электрофизических и оптических измерений; аннигиляции позитронов; дефектов в условиях гидростатического сжатия и т.д. Эти исследования направлены на изучение радиационного модифицирования полупроводников, их радиационной стойкости, решение проблем ионного и трансмутационного легирования полупроводников сложного состава, разработку физических моделей для интерпретации экспериментальных данных, проработку технических решений.

В декабре 1993 г. в совете ИФПМ СО РАН защитил диссертацию «Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (официальные оппоненты профессора Д.И. Вайсбурд, В.Е. Егорушкин и В.И. Панов; утвержден ВАК 10 июня 1994 г.).

По результатам исследований им опубликовано около 150 статей в отечественных и зарубежных научных журналах, 1 монография, 3 учебных пособия, получено 11 авторских свидетельств на изобретения.

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Выступал с научными докладами и сообщениями на более 40 конференциях и совещаниях различного уровня, в т.ч. на III Всесоюзном совещании по радиационной физике неметаллических кристаллов (Киев, 1969), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Минск, 1972), Всесоюзном совещании по глубоким центрам в полупроводниках (Одесса, 1973), Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Новосибирск 1974-1986), международной конференции по радиационным эффектам в полупроводниках (Тбилиси, 1979), Всесоюзной конференции по физике сложных полупроводников (Кишинев, 1976, 12979, 1983, 1987, 1990), III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск 1999) и др.

Научно-организационная и экспертная деятельность

Член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ и докторского диссертационного совета в ТПУ. Член оргкомитета Всесоюзной конференции по арсениду галлия (Томск, 1982, 1987), заместитель председателя оргкомитета конференции "GaAs-1999" (Томск, 1999), член оргкомитета III Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), ученый секретарь VIII Российской конференции «GaAs-2002» (Томск, 2002), член оргкомитета III международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2002) и др.

Руководитель центра по физике полупроводников проекта «Академический университет» программы «Интеграция» (с 1997 г.), куратор ТГУ в Сибирской ассоциации материаловедов. Избирался председателем профбюро отдела физики полупроводников СФТИ, председателем производственной комиссии профбюро СФТИ. Директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника». Изобретатель СССР (1985). Член-корреспондент РАЕН (1997).

Награды

• медаль «Ветеран труда» (1989);
• Звание «Ветеран труда ТГУ» (1997);
• Медаль «За заслуги перед Томским государственным университетом» (1998);
• Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2003);
• Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета» (2009);
• Нагрудный знак «Почетный работник науки и техники РФ» (2009);
• Медаль «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета (2014);
• Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» II степени (2018);
• Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» I степени (2024).

Труды

• В соавторстве с М.А. Кривовым, С.В. Маляновым. Влияние облучения электронами на электрические свойства арсенида галлия // Известия вузов. Физика. 1966. № 6;
• Совместно с А.К. Арефьевым, Д.Л. Будницким, С.А. Воробьевым, А.А. Цоем. Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs, облученном электронами // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13(6);
• Совместно с М.А. Кривовым. Радиационные дефекты в арсениде галлия: Обзор // Известия вузов. Физика. 1980. № 1;
• Совместно с V.M. Diamond. Electrical measurements of the electron irradiated induced E and H traps in GaAs under hydrostatic pressure // Solid State Communication. 1985. Vol. 54(4); Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II-IV-V2 (J,pjh) // Известия вузов. Физика. 1986. № 8;
• Совместно с V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. Characterization of W-defect in electron irradiated InP // Physica status solidi (a). 1991. Vol. 128(1);
• Совместно с S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B: Condenced Matter. 1995. Vol. 212; Радиационные дефекты в полупроводниках при гидростатическом сжатии // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33;
• Совместно с С.Н. Гриняевым. Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов Cd&sub(x)Hg&sub(1-x)Te. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35(7);
• Совместно с А.И. Потаповым. Электронные свойства полуизолирующего GaAs, облученного протонами. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35(12);
• Совместно с В.В. Пешевым, А.П. Суржиковым. Радиационное дефектообразование в электрических полях (арсенид галлия, фосфид индия). Новосибирск, 2001.

Источники и литература

• Развитие физических наук в Томском университете: Сб. статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981.