Брудный, Валентин Натанович

Брудный Валентин Натанович
Дата рождения:	22 мая 1939 г.
Место рождения:	Харьков
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор

БРУДНЫЙ Валентин Натанович (р. 22 мая 1939 г., Харьков) – директор научно-образовательного центра «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников.

Семья

Мать В.Н. Брудного, Анна Ивановна (дев. Коваленко, 1910 –?), из рабочих. До войны работала на обувной фабрике «Скороход» (Харьков), после войны – на предприятиях и в организациях Бердска. В начале Великой Отечественной войны вместе с матерью был эвакуирован в Бердск. В воспитании В.Н. Брудного принимал участие отчим, Павел Кондратьевич Минин (1911–1994), который работал водителем автотранспорта.

Женат на Людмиле Степановне (дев. Чиркова, р. 1943). Она окончила историко-филологический факультет ТГУ, преподавательница кафедры иностранного языка ТУСУРа. Их дочь, Марина, р. 1967, окончила Томское медицинское училище, работала медсестрой в военном госпитале и училась на заочном отделении биолого-почвенного факультета ТГУ.

Школьные и студенческие годы

После окончания средней школы № 9 В.Н. Брудный с июня по декабрь 1957 г. был курсантом Тихоокеанского высшего военно-морского училища им. С.О. Макарова (Владивосток). С декабря 1957 г. по июнь 1960 г. служил на Тихоокеанском военно-морском флоте. В 1960 г. поступил на физический факультет, а в 1962 г. перевелся на радиофизический факультет ТГУ. Его учителями были В.Н. Кессених, В.Ф. Конусов, А.С. Майдановский, В.А. Преснов, А.Б. Сапожников и др. Окончил университет (1965) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Исследование влияния электронного облучения на свойства арсенида галлия» (научный руководитель старший научный сотрудник С.В. Малянов).

Научно-организационная и преподавательская деятельность

С 10 марта 1966 г. по 1 июля 1971 г. – аспирант кафедры физики полупроводников. С 1 марта 1968 г. – ст. науч. сотр. лаб. полупроводников СФТИ при ТГУ, с 1 февр. 1972 – науч. сотр. проблемной лаб. полупроводников ТГУ, с 1 марта 1973 – ст. науч. сотр., руководитель науч. группы, с окт. 1994 – зав. отделом физики полупроводников СФТИ. По совместительству с 1 сент. 1991 – доц. каф. полупроводниковой электроники, с 1 сент. 1995 – проф. каф. физики полупроводников физ. ф-та ТГУ. Учен. звание ст. науч. сотр. по специальности «физика полупроводников и диэлектриков» присвоено ВАК 26 янв. 1977. Читает спецкурсы: «Оптические свойства полупроводников», «Физика неупорядоченных полупроводников», «Физ. основы микроэлектроники».

Научно-исследовательская деятельность

Основное науч. направление исследований Б. – дефекты кристаллической решетки, границы раздела, радиационное модифицирование и общие закономерности поведения полупроводниковых материалов при воздействии высокоэнергетических излучений (электроны, ионы, нейтроны). Б. исследовал влияние электронного облучения на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства арсенида галлия, термическую стабильность радиационных дефектов. Полученные результаты явились основой для изучения изменения вольтамперных характеристик арсенидгаллиевых туннельных диодов при электронном облучении и последующем отжиге.

12 апр. 1973 в совете при ТГУ защитил дис. «Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами» на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук (науч. руководитель доц. М.А. Кривов; офиц. оппоненты д-р физ.-мат. наук Е.К. Завадовская и канд. физ.-мат. наук А.П. Мамонтов; утв. ВАК 22 июня 1973).

Последующие исследования, проводимые Б., включали: изучение структурных нарушений в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию ионизирующих излучений, с использованием электрофиз. и оптических измерений; аннигиляции позитронов; дефектов в условиях гидростатического сжатия и т.д. Эти исследования направлены на изучение радиационного модифицирования полупроводников, их радиационной стойкости, решение проблем ионного и трансмутационного легирования полупроводников сложного состава, разработку физ. моделей для интерпретации эксперим. данных, проработку техн. решений.

В дек. 1993 в совете ИФПМ СО РАН защитил дис. «Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава» на соиск. учен. ст. д-ра физ.-мат. наук (офиц. оппоненты проф. Д.И. Вайсбурд, В.Е. Егорушкин и В.И. Панов; утв. ВАК 10 июня 1994).

Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность

Выступал с науч. докл. и сообщениями на более 40 конф. и совещ. различного уровня, в т. ч. III Всесоюзн. совещ. по радиационной физике неметаллических кристаллов (Киев, 1969), Всесоюзн. совещании по радиационным дефектам в полупроводниках (Минск, 1972), Всесоюзн. совещании по глубоким центрам в полупроводниках (Одесса, 1973), Всесоюзн. совещ. по радиационным дефектам в полупроводниках (Новосибирск 1974-1986), междунар. конф. по радиационным эффектам в полупроводниках (Тбилиси, 1979), Всесоюзн. конф. по физике сложных полупроводников (Кишинев, 1976, 12979, 1983, 1987, 1990), III Рос. конф. по физике полупроводников (Новосибирск 1999) и др.

По результатам исследований им опубликовано около 150 статей в отеч. и зарубежных науч. ж., 1 монография, 3 учеб. пособия, получено 11 авт. свидетельств на изобретения. Чл. докт. дис. совета (теорет. физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ и докт. дис. совета в ТПУ. Чл. оргкомитета Всесоюзн. конф. по арсениду галлия (Томск, 1982, 1987), зам. председателя оргкомитета конф. "GaAs-1999" (Томск, 1999), член оргкомитета III Рос. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), учен. секретарь VIII Рос. конф. «GaAs-2002» (Томск, 2002), чл. оргкомитета III междунар. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорган. материалах» (Томск, 2002) и др. Руководитель центра по физике полупроводников проекта «Академический ун-т» программы «Интеграция» (с 1997), куратор ТГУ в Сиб. ассоциации материаловедов. Избирался председателем профбюро отдела физики полупроводников СФТИ, председателем производственной комиссии профбюро СФТИ. Изобретатель СССР (1985). Чл.-корр. РАЕН (1997). Награжден медалью «За заслуги перед Том. гос. ун-том» (1998).

Награды

• медаль «Ветеран труда» (1989).

Труды

• В соавт. с М.А. Кривовым, С.В. Маляновым. Влияние облучения электронами на электрические свойства арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1966. № 6;
• Совм. с А.К. Арефьевым, Д.Л. Будницким, С.А. Воробьевым, А.А. Цоем. Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs, облученном электронами // ФТП. 1979. Т.13(6);
• Совм. с М.А. Кривовым. Радиационные дефекты в арсениде галлия: Обзор // Изв. вузов. Физика. 1980. № 1;
• Совм. с V.M. Diamond. Electrical measurements of the electron irradiated induced E and H traps in GaAs under hydrostatic pressure // Solid State Communication. 1985. Vol. 54(4); Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II-IV-V2 (J,pjh) // Изв. вузов. Физика. 1986. № 8;
• Совм. с V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. Characterization of W-defect in electron irradiated InP // Physica status solidi (a). 1991. Vol. 128(1);
• Совм. с S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B: Condenced Matter. 1995. Vol. 212; Радиационные дефекты в полупроводниках при гидростатическом сжатии // ФТП. 1999. Т. 33;
• Совм. с С.Н. Гриняевым. Закрепление хим. потенциала и электрические свойства облученных сплавов Cd&sub(x)Hg&sub(1-x)Te. // ФТП. 2001. Т. 35(7);
• Совм. с А.И. Потаповым. Электронные свойства полуизолирующего GaAs, облученного протонами. // ФТП. 2001. Т. 35(12);
• Совм. с В.В. Пешевым, А.П. Суржиковым. Радиационное дефектообразование в электрических полях (арсенид галлия, фосфид индия). Новосибирск, 2001.

Источники и литература

• Развитие физ. наук в Том. ун-те: Сб. статей / Ред. В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981.