Дмитрий Игоревич Горн
Дата рождения:	16 июля 1986 г.
Место рождения:	Новокузнецк
Научная сфера:	радиофизика
Период работы в Томском университете :	с 2003 г.
Место работы в Томском университете:	лаборатория наноэлектроники и нанофотоники
Альма-матер:	Томский государственный университет
Научный руководитель:	А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский

ГОРН Дмитрий Игоревич (р. 16 июля 1986, Новокузнецк) – старший научный сотрудник лаборатории наноэлектроники и нанофотоники Томского государственного университета.

Семья

Мать Д.И. Горн, Наталья Геннадьевна (р. 1963), окончила биологический факультет ТГУ (1985), работает в сфере образования. Отец Д.И. Горн, Игорь Андреевич (р. 1962) также работает в сфере образования.

Д.И. Горн женат на Тамаре Андреевне (р. 1986), выпускнице инженерно–экономического факультета Томского политехнического университета (2007). Имеют двух детей: Анастасию (р. 2014, Томск) и Софью (р. 2016, Томск).

Детство, студенческие годы

В 2003 г. Д.И. Горн окончил Костёновскую среднюю общеобразовательную школу (Новокузнецкий район, Кемеровская область). В том же году поступил на I курс радиофизического факультета Томского государственного университета. Среди его учителей были профессора: А.В. Войцеховский, Г.И. Айзенштат, С.И. Борисенко, О.К. Войцеховская (дев. Цыцарева). В 2009 г., защитив дипломную работу по теме: «Расчёт зонных диаграмм гетероструктур CdxHg1-xTe с учётом зависимости электронного сродства от состава» под руководством д-ра физ.-мат. наук, профессора А.П. Коханенко, окончил Томский государственный университет.

После этого Д.И. Горн продолжил свое обучение, поступив в аспирантуру на радиофизический факультет ТГУ (научный руководитель – доктор физико-математических наук, профессор А.В. Войцеховский).

Работа в Томском университете

В 2003-2017 гг. - директор Спортивного клуба аквалангистов ТГУ (СКАТ). В настоящее время является старшим научным сотрудником лаборатории наноэлектроники и нанофотоники Томского государственного университета.

Научная деятельность в Томском университете

Областью научных интересов Д.И. Горна является квантовая физика. В 2012 г. в совете Томском государственном университете Д.И. Горн защитил диссертацию «Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой полупроводниковой электроники В.П. Гермогенов, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой лазерной и световой техники В.М. Лисицын.

Общественная деятельность

В 2012-2016 гг. – заместитель председателя Объединенного Совета обучающихся ТГУ по спорту. В 2013-2017 гг. - возглавил Томскую региональную молодёжную общественную организацию «Студенческий спортивный клуб Томского государственного университета». C 2015 г. возглавил Томское региональное отделение общероссийской общественной организации «Российский студенческий спортивный союз».

Спортивные достижения и увлечения

В студенческие годы Д.И. Горн начал заниматься спортивным дайвингом (2009-2011). Является кандидатом в Мастера спорта. Основные дистанции, который плавал Д.И. Горн были комбинированное плавание (300 м.) и полоса препятствий (100 м.). В 2010 г. - призер Чемпионатов России (Москва) и Томской области на дистанции комбинированное плавание (300м.). В рекреационном дайвинге Д.И. Горн стал квалифицированным инструктором, получив звания "Пловец CMAS", "Ice Diver CMAS", "Инструктор PADI".

Участие в экспедициях:

• Руководитель экспедиции: на Дальний восток, г. Владивосток (2010, 2011, 2012, 2013);
• Руководитель экспедиции: оз. Иссык-Куль, Кыргызстан (2014, 2015);
• Руководитель экспедиции: Средиземное море, Египет (2017).

Руководство научными проектами

• Разработка и исследование свойств и методов формирования наноструктур на основе Ge-Si, включающих массивы вертикально упорядоченных квантовых точек и апериодические оптические системы, для создания высокоэффективных солнечных элементов. (Руководитель, 01 сентября 2012 — 01 сентября 2014);
• Разработка физико-технологических основ создания наноструктур на основе соединения CdHgTe с квантовыми ямами с заданной спектральной характеристикой для проектирования высокоэффективных приборов нанофотоники, включая фотопреобразователи солнечной энергии. (Руководитель, 01 января 2015—31 декабря 2017);
• Разработка барьерных nBn-структур на основе материала CdHgTe для целей создания высокоэффективных приборов ИК-нанофотоники, включая фотопреобразователи солнечной энергии. (Руководитель, 01 января 2018—31 декабря 2020).

Награды

• Диплом Министерства образования и науки по итогам открытого конкурса на лучшую работу студентов по естественным, техническим и гуманитарным наукам (2010);
• Благодарственное письмо Мэра г. Томска, за многолетний плодотворный труд, эффективную научную деятельность (2013).

Премии

• Лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры (2015).
• Лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры (2009).
• Лауреат конкурса «У.М.Н.И.К.» (2010).
• Лауреат фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (2010).

Стипендии

• Лауреат специальной государственной стипендии Правительства РФ (2011–2012).
• Лауреат стипендий Президента РФ (2010 – 2011).
• Лауреат стипендии Президента Российской Федерации молодым учёным и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики (на 2012-2014 гг., 2015-2017 гг., 2018-2020 гг.).

Труды

• Горн Д.И. Лазерное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами: анализ научного-технического уровня / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский // Сборник научных трудов III Международной научно-технической конференции молодых учёных, аспирантов и студентов «Высокие технологии в современной науке и технике», 26-28 марта 2014 г. Томск, 2014 С. 199-203.
• Войцеховский А.В. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн // Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М.: ОАО «НПО «Орион», 2014. С. 390-393.
• Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015» : сб. материалов в 3 т. Т. 1. Новосибирск : СГУГиТ, 2015. С. 184-188.
• Горн Д.И. Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения // Academic science – problems and achievements X: Proceedings of the Conference, North Charleston, USA, 24-25.10.2016. North Charleston, USA, SC, USA: CreateSpace, 2016. Vol. 1. P. 102-104.
• Горн Д.И. Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «ОПТИКА – 2017», г. Санкт-Петербург, 16-20 октября 2017 г. / Под ред. проф. В.Г. Беспалова, проф. С.А. Козлова. СПб: Университет ИТМО, 2017. 606 с.

Источники и литература

• Горн Дмитрий Игоревич // Томский государственный университет. URL: https://persona.tsu.ru/Home/UserProfile/1195 (дата обращения 05.02.2020).
• Горн Дмитрий Игоревич // СКАТ. URL: http://www.skate.tsu.ru/persons/person/gorn-dmitriy-igorevich--67 (дата обращения 05.02.2020).

Автор статьи: О.Р. Киселева