Текущая версия на 16:25, 1 мая 2024

Ивонин Иван Варфоломеевич
Дата рождения:	4 апреля 1947 г.
Место рождения:	Александровск Молотовской области
Научный руководитель:	Л.Г. Лаврентьева
Награды и премии:	медаль «За заслуги перед Томским государственный университетом» (1998); Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие ТГУ» (2007); Заслуженный ветеран труда Томского государственного университета (2009); Лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры (2009); Медаль «Д.И. Менделеев» (2013); Медаль Томской области «За достижения» (награда Губернатора Томской области) (2015); Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» II степени (2018); Знак отличия «За заслуги в сфере образования» (2019);

ИВОНИН Иван Варфоломеевич (родился 4 апреля 1947 г., Александровск Молотовской области) – профессор кафедры физики полупроводников.

Семья

Отец, Ивонин Варфоломей Игнатьевич, (1926-1995), из служащих, участвовал в боевых действиях против Японии, был награжден орденом Отечественной войны II степени и несколькими медалями. После демобилизации (1951) работал на Александровском машзаводе, затем учителем физики и черчения в школах города. Заочно окончил Пермский педагогический институт. Мать, Галина Яковлевна (девичья фамилия Телегина, 1923-1995), из рабочих, после окончания Пермского педагогического института работала преподавателем русского языка и литературы, завучем в школах Александровска. Награждена орденом «Знак Почета». В семье было трое детей (Ивонин Александр, родился в 1952, окончил физический факультет ТГУ; Ивонин Евгений, 1957-1995, окончил радиофизический факультет ТГУ).

После переезда в Томскую область (1969) и до выхода на пенсию родители И.В. Ивонина работали в средних школах села Рыбалово и Нелюбино.

Жена – Елизавета Ивановна (девичья фамилия Тюнина, родилась в 1950 г.). Она окончила юридический факультет ТГУ, работала в городской и областной администрациях (последнее место работы - начальник отдела кадровой службы администрации г. Томска).

Школьные и студенческие годы

И.В. Ивонин в 1964 г. окончил с золотой медалью среднюю школу № 2 (Александровск), где его любимыми предметами были физика, химия и математика. Вел школьный физический кружок и читал лекции по физике. Побеждал на городских олимпиадах по физике, участвовал в областных математических олимпиадах. Занимался в музыкальной школе по классу фортепиано и участвовал в художественной самодеятельности (пел в мужском ансамбле и хоре, танцевал, играл на аккордеоне, читал стихи), выступал на спортивных соревнованиях по баскетболу и легкой атлетике. Избирался комсоргом класса, работал пионервожатым.

После окончания школы поступил (1964) на радиофизический факультет ТГУ.

Среди его учителей Г.И. Карпов, В.Н. Кессених, В.Ф. Конусов, Н.В. Кудрявцева, А.С. Майдановский, Г.И. Потахова, А.Б. Сапожников, А.А. Сироткин, Ю.В. Чистяков, Н.Г. Щеглов и др. Окончил с отличием университет (1969) по специальности «радиофизика и электроника» с квалификацией «физик-радиоэлектроник», защитив дипломную работу «Электронномикроскопическое исследование полосчатой структуры монокристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского» (научный руководитель кандидат физико-математических наук Л.М. Красильникова).

Научно-организаторская деятельность

После окончания университета поступил на работу в Сибирский физико-технический институт (СФТИ) им. академика В.Д. Кузнецова при ТГУ: с 1969 г. – младший, с 1980 г. – старший, с 1993 г. – ведущий научный сотрудник, с 1994 по 1995 и с 1998 по 2002 гг. – заведующий лабораторией № 51. С 1995 по 1998 гг. – докторант кафедры физики полупроводников ТГУ. По совместительству с 1 сентября 1993 г. – доцент, с мая 1999 г. – ТГУ. С 1 сентября 2002 г. по 31 августа 2017 г. – заведующий кафедрой физики полупроводников физического факультета ТГУ. С 2004 г. по 2013 г. – начальник научного управления, с 2014 г. по 2018 г. – проректор по научной работе ТГУ. С 2019 г. – советник при ректорате, заместитель проректора по научной и инновационной деятельности, председатель научно-аттестационного комитета ТГУ.

Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «физика твердого тела» присвоено Высшей Аттестационной комиссией 12 июля 1989 г.

Им подготовлены и прочитаны спецкурсы «Кристаллография», «Дефекты в кристаллах», «Электронная микроскопия», «Основы рентгеноструктурного анализа», «Современные методы исследования структуры и состава твердых тел» (последние 2 читаются и сейчас). С 2001 г. – член 2 диссертационных советов ТГУ, с 2013 по 2020 гг. – член диссовета в ТПУ.

Научно-исследовательская деятельность

И.В. Ивонин занимается изучением влияния условий кристаллизации на состав и структуру эпитаксиальных слоев сложных полупроводников. Изучив в комплексе микроструктуру поверхности и объема твердых тел, их элементный состав (просвечивающая электронная микроскопия, электронография, рентгеноструктурный анализ, вторичная ионная масс-спектрометрия), он выяснил, что микроструктура поверхностей эпитаксиальных слоев бинарных полупроводников А3В5 (GaAs, InAs, InP), выращенных в системах газофазовой эпитаксии (ГФЭ), определяется как условиями роста, так и кристаллографическими индексами поверхности. Были получены прямые экспериментальные доказательства существования элементарных ступеней роста и эшелонов ступеней на вицинальных и несингулярных поверхностях. Детальное исследование взаимодействия элементарных ступеней роста на поверхности (на примере GaAs) выявило существование зависимости высоты ступеней и расстояния между ними от условий ГФЭ (температура роста, концентрация компонентов, ориентация подложки, время роста). Показано, что при ГФЭ эпитаксии GaAs скорость движения ступени зависит от строения ее торцевой поверхности, а скорость встраивания атомов в ступень с верхней и нижней террас неодинакова. На основе экспериментальных данных о структуре ростовых поверхностей проведены оценки параметров, характеризующих диффузионные процессы при росте кристаллов из газовой фазы: средних длин пробега, коэффициентов и энергий активации поверхностной диффузии. Установлена их зависимость от кристаллографической ориентации и состава пленки.

Детальные исследования влияния микроколичеств примеси на рост слоев выявили формирование специфических дефектов роста при ГФЭ GaAs, InAs, InP. Обнаружилось, что данный тип микродефектов отрицательно влияет на характеристики полупроводниковых приборов. Была разработана и внедрена технология, позволяющая избежать образования микродефектов. Детальные исследования структуры и состава переходных слоев на границах раздела двух полупроводников (гетероэпитаксия) и границах металл-полупроводник (барьер Шоттки) позволили установить причины, понять механизмы образования структурно-фазовых неоднородностей на таких границах и оптимизировать технологию их изготовления.

15 июня 1978 г. в специальном совете Харьковского политехнического института И.В. Ивонин защитил диссертацию «Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук, в настоящее время профессор Л.Г. Лаврентьева; официальные оппоненты профессор В.Н. Маслов и кандидат физико-математических наук В.В. Воронков; утверждено Высшей Аттестационной комиссией 29 ноября 1978 г.).

24 ноября 1998 г. в диссертационном совете при Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск) он защитил диссертацию «Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант профессор Л.Г. Лаврентьева; официальные оппоненты доктора физико-математических наук А.В. Войцеховский, Б.Г. Захаров и О.П. Пчеляков; утверждено Высшей Аттестационной комиссией 11 июня 1999 г.).

И.В. Ивонин является представителем научной школы профессора Л.Г. Лаврентьевой (ТГУ).

После защиты под его руководством были проведены теоретические и экспериментальные исследования по: -физике контактных явлений в полупроводниковых наноструктурах, -физике процессов формирования радиационностойких сложных полупроводниковых материалов, -физике процессов формирования низкотемпературных керамик с заданными свойствами на основе наноструктурных порошковых материалов.

Автор более 200 научных работ в отечественной и зарубежной печати, 1 монографии и 4 патентов.

Участие в международных конференциях, совещаниях, симпозиумах

И.В. Ивонин принимал участие в работе более 40 научных конференций, симпозиумов и совещаний. Среди них: Всесоюзная конференция по процессам роста и структуре монокристаллических слоев полупроводников (Новосибирск, 1972, 1975, 1978, 1981, 1984, 1987), Всесоюзная конференция по росту кристаллов (Тбилиси, 1977; Цахкадзор, 1985; Харьков, 1992), VI Международная конференция по росту кристаллов (Москва, 1980), IV Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), VII Российская конференция по арсениду галлия (Томск, 1999), Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2000) и др.

Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации

Научный руководитель 2 защищенных (2001, 2010) кандидатских и 1 докторской (2011, научный консультант) диссертации.

Общественная деятельность

Состоял в КПСС (1974-1991). С 1972 по 1974 гг. – секретарь бюро Всесоюзного Ленинского Коммунистического Союза Молодежи (ВЛКСМ) Сибирского физико-технического института, с 1975 по 1978 гг. – член партбюро Сибирского физико-технического института, с 1979 по 1981 гг. – заместитель председателя профкома сотрудников ТГУ, с 1981 по 1984 гг. – председатель профбюро Сибирского физико-технического института.

Увлечения

Любит музыку, с 1964 по 2002 гг. пел в хоровой капелле ТГУ. В составе капеллы посетил Болгарию (1966), ГДР (1970), ЧССР (1988), Венгрию (1990).

Награды и премии

• Премия ТГУ для молодых ученых (1972);
• Серебряный знак Центрального комитета ВЛКСМ «Молодой гвардеец пятилетки» (1975);
• Знак Всесоюзного центрального совета профессиональных советов (ВЦСПС) «За успехи в развитии самодеятельного искусства» (1989);
• Медаль «За заслуги перед Томским государственный университетом» (1998);
• Нагрудный знак «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2003);
• Юбилейная медаль «400 лет городу Томску» (2004);
• Серебряная медаль «В благодарность за вклад в развитие ТГУ» (2007);
• Нагрудный знак «Почетный работник науки и техники РФ» (2008);
• Заслуженный ветеран труда Томского государственного университета (2009);
• Лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры (2009);
• Почетное звание «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации» (2011);
• Медаль «Д.И. Менделеев» (2013);
• Медаль Томской области «За достижения» (награда Губернатора Томской области) (2015);
• Медаль «За доблестный труд в Томском государственном университете» II степени (2018);
• Знак отличия «За заслуги в сфере образования» (2019);
• Медаль "За вклад в реализацию государственной политики в области образования» (2021).

Труды

Список трудов в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Совместно с Л.Г. Лаврентьевой, Л.П. Пороховниченко. Кинетика и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных системах // Рост кристаллов. Т.13. Москва, 1980;
• Совместно С L.G. Lavrentieva, L.M. Krasilnikova, M.D. Vilisova. Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films // Kristall und Technik. 1980. Vol. 15, № 6;
• Совместно с Л.Г. Лаврентьевой, В.Г. Ивановым, В.А. Московкиным. Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs-AsCl3-H2 // Известия вузов. Физика. 1982. № 9;
• Совместно с С.Е. Тороповым. Электронномикроскопическое исследование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs в окрестности грани (111)А // Известия вузов. Физика. 1987. № 9;
• Совместно с Л.М. Красильниковой, М.П. Якубеней, Н.К. Максимовой, Г.К. Арбузовой. Процессы твердотельной перекристаллизации в структурах Ni-GaAs, Pd-GaAs // Известия вузов. Физика. 1989. № 3;
• Совместно с Л.П. Пороховниченко, Л.А. Борисенко. Исследование латерального роста соединений А3В5 // Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Москва, 1991. Выпуск 3;
• Совместно с С.Ю. Владимировой, Ю.Г. Катаевым и др. Кинетика кристаллизации GaAs при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе // Кристаллография. 1995. № 5;
• Совместно с Л.Г. Лаврентьевой, В.С. Лукашем и др. Начальные стадии роста и образование переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs // Известия вузов. Физика. 1996. № 6;
• Совместно с М.Д. Вилисовой, Л.Г. Лаврентьевой и др. Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. № 8;
• Совместно с И.А. Бобровниковой, М.Д. Вилисовой, Л.Г. Лаврентьевой и др. Влияние отношения потоков элементов III и V групп на структуру и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах // Известия вузов. Физика. 2000. № 10;
• Совместно с Красильниковой Л.М., Л.Г. Лаврентьевой, Л.П. Пороховниченко. Исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии GaAs: асимметричный захват атомов в ступень // Известия вузов. Физика. 2002. Т. 45, № 5;
• Совместно с С.В. Субачем. Роль адсорбционного слоя при формировании фазовой неоднородности на границе раздела InP/GaAs // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 6;
• Совместно с В.Г. Божковым, Н.А. Торховым, В.А. Новиковым. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 5;
• Совместно с И.А. Бобровниковой, В.А. Новиковым, В.В. Преображенским. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 3;
• Совместно с Н.А. Торховым, В.Г. Божковым, В.А. Новиковым. Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности N-GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 11;
• Совместно с И.А. Прудаевым, О.П. Толбановым. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12;
• Совместно с В.А. Новиковым, В.В. Преображенским. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN / // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, выпуск 7;
• Совместно с Н.А. Торховым, В.А. Новиковым и др. Nature of size effects in compact models of field effect transistors // Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119. P. 094505-1 - 094505-13;
• Совместно с В.А Полюшко, Ю.А. Бирюковым, А.Ю. Объедковым. Получение порошков нитрида алюминия с использованием пневмоциркуляционного метода и определение их значимых характеристик //Известия высших учебных заведений. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. 2016. № 1;
• Совместно с В.Н. Лейциным, М.А. Дмитриевой и др. Определяющие факторы формирования структуры низкотемпературной керамики // Физическая мезомеханика. 2017. Т. 20, № 6;
• Совместно с Н.Г. Филоновым. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: [монография] / Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет; [под редакцией Н.Г. Филонова]. - Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. - 362 с.;
• Совместно с В.Н. Лейциным, М. А. Дмитриевой и др. Определяющие факторы формирования структуры низкотемпературной керамики //Физическая мезомеханика. 2018. Т. 20, № 6;
• Совместно с Войцеховским А.В., Несмеловым С.Н. и др. Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K //Thin Solid Films. 2019. Vol. 692;
• Совместно с С.С. Хлудковым, И.А. Прудаевым и др. Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники //Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 11.

Источники и литература

Список источников и литературы в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Архив ТГУ. Ф. Р-815. Оп. 63, Д. 504;
• Томский государственный университет: Ежегодник-2001 / Под редакцией Г.В. Майера. Томск, 2002.