| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Snek (обсуждение | вклад) (→Научные исследования) |
Mgrib (обсуждение | вклад) (→Труды) |
||
| (не показано 13 промежуточных версии 3 участников) | |||
| Строка 19: | Строка 19: | ||
|Альма-матер = Томский государственный университет | |Альма-матер = Томский государственный университет | ||
|Научный руководитель = | |Научный руководитель = | ||
| − | |Знаменитые ученики = | + | |Знаменитые ученики = [[Лаврентьева, Людмила Германовна|Л.Г. Лаврентьева]], [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], Л.Л. Люзе, [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]], [[Божков, Владимир Григорьевич|В.Г. Божков]], В.Н. Брудный |
|Награды и премии = [[:Категория: Кавалеры ордена Красной Звезды|Орден Красной Звезды]] (1943), [[:Категория: Награжденные медалью «За победу над Германией в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.»|Медаль «За победу над Германией в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.»]] (1947), [[:Категория: Лауреаты премии Министерства высшего и среднего специального образования СССР|Лауреат премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу]] (1953). | |Награды и премии = [[:Категория: Кавалеры ордена Красной Звезды|Орден Красной Звезды]] (1943), [[:Категория: Награжденные медалью «За победу над Германией в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.»|Медаль «За победу над Германией в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.»]] (1947), [[:Категория: Лауреаты премии Министерства высшего и среднего специального образования СССР|Лауреат премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу]] (1953). | ||
}} | }} | ||
| Строка 25: | Строка 25: | ||
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
| − | Его отец, Алексей Cтаниславович (1886–1954), по национальности латгалец, был участником революции 1905–1907 гг., до 1908 г. – рабочий вагоностроительного завода в Петербурге. Потом переехал в Сибирь, где некоторое время работал кессонщиком на строительстве опор для второго железнодорожного моста через р. Енисей в районе Красноярска, а затем шахтером-забойщиком на Судженских копях в Кузбассе. В 1920 г. вступил в ряды РКП(б). Мать, Соломея Ивановна (дев. Лубгина, 1880–1969), родом из Витебской губернии, вела домашнее хозяйство и воспитывала детей. Из 12 рожденных ею, кроме В.А. Преснова и его брата Алексея ( | + | Его отец, Алексей Cтаниславович (1886–1954), по национальности латгалец, был участником революции 1905–1907 гг., до 1908 г. – рабочий вагоностроительного завода в Петербурге. Потом переехал в Сибирь, где некоторое время работал кессонщиком на строительстве опор для второго железнодорожного моста через р. Енисей в районе Красноярска, а затем шахтером-забойщиком на Судженских копях в Кузбассе. В 1920 г. вступил в ряды РКП(б). Мать, Соломея Ивановна (дев. Лубгина, 1880–1969), родом из Витебской губернии, вела домашнее хозяйство и воспитывала детей. Из 12 рожденных ею, кроме В.А. Преснова и его брата Алексея (1914, учился в ТПИ, арестован в 1937 г. и расстрелян), остальные умерли в младенчестве. |
| − | Первым браком В.А. Преснов был женат на Вере Константиновне Сончик ( | + | |
| − | Вторым браком В.А. Преснов был женат на В. Андреевой. Их дочь – Виктория ( | + | Первым браком В.А. Преснов был женат на Вере Константиновне Сончик (1921). Она окончила физико-математический факультет Иркутского университета по специальности “Физик” (1945), кандидат физико-математических наук, многие годы работала в СФТИ. Их дети: Ольга (р. 1946), окончила радиофизический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]] по специальности “Радиофизика и электроника”, специализация “полупроводники”, работала в СФТИ, доктор физико-математических наук (2002), профессор кафедры физики Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР); Людмила (р. 1950), училась в Томском медицинском институте (ТМИ, ныне СибГМУ). |
| + | Вторым браком В.А. Преснов был женат на В. Андреевой. Их дочь – Виктория (1968). | ||
=='''Студенческие годы'''== | =='''Студенческие годы'''== | ||
[[Файл:Преснов В.А. Красное знамя. 1939. 8 июня..JPG|справа|мини|350px|Студенты физико-математического факультета. Второй слева В.А. Преснов]] | [[Файл:Преснов В.А. Красное знамя. 1939. 8 июня..JPG|справа|мини|350px|Студенты физико-математического факультета. Второй слева В.А. Преснов]] | ||
| − | После окончания школы (1935) В.А. Преснов поступил на астрономо-геодезический факультет Новосибирского строительного института. После 1-го курса переехал в Томск и выдержал конкурс на физико-математический факультет ТГУ. Окончил университет (1941) по специальности “Физика” с уклоном “Оптика и спектроскопия” и квалификацией “физик” с правом преподавания в высшей и средней школе. Его учителями были профессора [[Большанина, Мария Александровна|М.А. Большанина]], [[Горячев, Николай Никанорович|Н.Н. Горячев]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]], [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцева]], [[Тронов, Борис Владимирович|Б.В. Тронов]], [[Усанович, Михаил Ильич|М.И. Усанович]]. На 5-м курсе исполнял обязанности научного сотрудника лаборатории фотоэлектрических явлений (затем лаборатория спектроскопии) СФТИ, которой заведовала в то время профессор [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцева]]. | + | После окончания школы (1935) В.А. Преснов поступил на астрономо-геодезический факультет Новосибирского строительного института. После 1-го курса переехал в Томск и выдержал конкурс на физико-математический факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]]. Окончил университет (1941) по специальности “Физика” с уклоном “Оптика и спектроскопия” и квалификацией “физик” с правом преподавания в высшей и средней школе. Его учителями были профессора [[Большанина, Мария Александровна|М.А. Большанина]], [[Горячев, Николай Никанорович|Н.Н. Горячев]], [[Кузнецов, Владимир Дмитриевич|В.Д. Кузнецов]], [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцева]], [[Тронов, Борис Владимирович|Б.В. Тронов]], [[Усанович, Михаил Ильич|М.И. Усанович]]. На 5-м курсе исполнял обязанности научного сотрудника лаборатории фотоэлектрических явлений (затем лаборатория спектроскопии) СФТИ, которой заведовала в то время профессор [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцева]]. |
=='''Научно-педагогическая деятельность в 1941–1942 гг.'''== | =='''Научно-педагогическая деятельность в 1941–1942 гг.'''== | ||
| Строка 43: | Строка 44: | ||
=='''Преподавательская деятельность'''== | =='''Преподавательская деятельность'''== | ||
| − | В 1947/48 уч. г. читал курс “Техника высоких напряжений” в Томском индустриальном техникуме. В ТГУ вел лабораторный практикум по физике диэлектриков и читал курсы: “Физика полупроводников”, “Техника высоких напряжений”, “Материаловедение диэлектриков”, “Электроника полупроводников”, “Физикохимия полупроводников”, “Полупроводниковые электронные приборы”. | + | В 1947/48 уч. г. читал курс “Техника высоких напряжений” в Томском индустриальном техникуме. В [[Томский государственный университет|ТГУ]] вел лабораторный практикум по физике диэлектриков и читал курсы: “Физика полупроводников”, “Техника высоких напряжений”, “Материаловедение диэлектриков”, “Электроника полупроводников”, “Физикохимия полупроводников”, “Полупроводниковые электронные приборы”. |
=='''Научные исследования'''== | =='''Научные исследования'''== | ||
С полупроводниковыми материалами начал работать еще студентом, когда под руководством профессора [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] изучал люминесценцию касситерита (SnO2). Производственную практику проходил в лаборатории академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте (Ленинград), где его научным руководителем был Б.В. Курчатов. Посещение научных семинаров, личное обаяние А.Ф. Иоффе, дух творчества, царивший в лаборатории, оказали огромное влияние на практиканта, приехавшего из далекой Сибири, пробудили интерес к полупроводникам. | С полупроводниковыми материалами начал работать еще студентом, когда под руководством профессора [[Кудрявцева, Вера Михайловна|В.М. Кудрявцевой]] изучал люминесценцию касситерита (SnO2). Производственную практику проходил в лаборатории академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте (Ленинград), где его научным руководителем был Б.В. Курчатов. Посещение научных семинаров, личное обаяние А.Ф. Иоффе, дух творчества, царивший в лаборатории, оказали огромное влияние на практиканта, приехавшего из далекой Сибири, пробудили интерес к полупроводникам. | ||
| − | Демобилизовавшись из армии и поступив в лаборатории электрофизики СФТИ, В.А. Преснов в короткий срок изучил физику диэлектриков, овладел методикой измерений и под руководством доцента | + | Демобилизовавшись из армии и поступив в лаборатории электрофизики СФТИ, В.А. Преснов в короткий срок изучил физику диэлектриков, овладел методикой измерений и под руководством доцента [[Вендерович, Александр Моисеевич|А.М. Вендеровича]] выполнил исследования диэлектрических свойств стекол. Анализировалась проблема взаимосвязи структуры стекол и их электрических свойств, в частности, влияние примесей на свойства электротехнических силикатных стекол в сильных электрических полях. 5 апреля 1950 г. в совете физического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]] В.А. Преснов защитил диссертацию “Электропроводность стекол в сильных электрических полях” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора [[Воробьев, Александр Акимович|А.А. Воробьев]] и [[Вергунас, Фелициана Игнатьевна|Ф.И. Вергунас]]; утвержден ВАК 9 августа 1950). |
| + | |||
Примерно в это же время В.А. Преснов выполнил ряд специальных разработок, конечной целью которых было решение конкретных технических задач для предприятий электротехнической промышленности. В 1947 г. им были разработаны и внедрены в производство на томском заводе “Сибкабель” метод сухого испытания полуфабрикатов в процессе производства кабельной продукции и новый метод сплошного контроля резиновой ленты на ее однородность. В последующие годы В.А. Пресновым были организованы и проведены систематические физические исследования по проблеме создания прочного спая стекла и керамики с металлом для Томского электролампового завода и Новосибирского предприятия а/я 92, на котором осваивалась новая технология производства металлокерамических ламп СВЧ-диапазона. Здесь в полной мере были использованы идеи [[Усанович, Михаил Ильич|М.И. Усановича]] о кислотно-основном взаимодействии в твердых телах, которыми В.А. Преснов заинтересовался еще будучи студентом. Экспериментальный материал, полученный в результате проведенных исследований, был положен в основу электронной теории спая. Комитетом по делам изобретений и открытий при СМ СССР был установлен приоритет нашей страны по этой работе и выдано удостоверение о регистрации № 7858. Результаты исследований нашли применение на предприятиях, занимавшихся выпуском высокочастотных приборов. Это принесло значительный экономический эффект. В 1953 г. за работу “Физические основы спая стекла и керамики с металлом” В.А. Преснов был удостоен премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу. Изучение свойств стекла, керамики и их спаев с металлами явилось основой диссертации “Исследования по физике спая” на соискание ученой степени доктора технических наук, которую он защитил 12 июня 1959 г. в совете Ленинградского электротехнического института (утвержден ВАК 18 февраля 1961). Основные материалы и физические идеи работы изложены в его монографии “Основы техники и физики спая”. | Примерно в это же время В.А. Преснов выполнил ряд специальных разработок, конечной целью которых было решение конкретных технических задач для предприятий электротехнической промышленности. В 1947 г. им были разработаны и внедрены в производство на томском заводе “Сибкабель” метод сухого испытания полуфабрикатов в процессе производства кабельной продукции и новый метод сплошного контроля резиновой ленты на ее однородность. В последующие годы В.А. Пресновым были организованы и проведены систематические физические исследования по проблеме создания прочного спая стекла и керамики с металлом для Томского электролампового завода и Новосибирского предприятия а/я 92, на котором осваивалась новая технология производства металлокерамических ламп СВЧ-диапазона. Здесь в полной мере были использованы идеи [[Усанович, Михаил Ильич|М.И. Усановича]] о кислотно-основном взаимодействии в твердых телах, которыми В.А. Преснов заинтересовался еще будучи студентом. Экспериментальный материал, полученный в результате проведенных исследований, был положен в основу электронной теории спая. Комитетом по делам изобретений и открытий при СМ СССР был установлен приоритет нашей страны по этой работе и выдано удостоверение о регистрации № 7858. Результаты исследований нашли применение на предприятиях, занимавшихся выпуском высокочастотных приборов. Это принесло значительный экономический эффект. В 1953 г. за работу “Физические основы спая стекла и керамики с металлом” В.А. Преснов был удостоен премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу. Изучение свойств стекла, керамики и их спаев с металлами явилось основой диссертации “Исследования по физике спая” на соискание ученой степени доктора технических наук, которую он защитил 12 июня 1959 г. в совете Ленинградского электротехнического института (утвержден ВАК 18 февраля 1961). Основные материалы и физические идеи работы изложены в его монографии “Основы техники и физики спая”. | ||
=='''Исследования в области физики полупроводников'''== | =='''Исследования в области физики полупроводников'''== | ||
| − | Параллельно с работами по диэлектрикам В.А. Преснов положил начало исследованиям в СФТИ в области физики полупроводников. В 1957 г. по инициативе В.А. Преснова и при активной поддержке директора института [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривова]] была открыта лаборатория полупроводников, в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]], [[ | + | Параллельно с работами по диэлектрикам В.А. Преснов положил начало исследованиям в СФТИ в области физики полупроводников. В 1957 г. по инициативе В.А. Преснова и при активной поддержке директора института [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривова]] была открыта лаборатория полупроводников, в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]], [[Изергин, Алексей Павлович|А.П. Изергин]], А.П. Вяткин, С.С. Ногина и др. В лаборатории полупроводников были сформированы группы по технологии выращивания монокристаллов полупроводников ([[Изергин, Алексей Павлович|А.П. Изергин]] в последующем стал дважды лауреатом Государственной премии за разработки технологии получения сложных полупроводников), изучению физических свойств полупроводников ([[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]), физике полупроводниковых приборов (А.П. Вяткин), методам исследования структуры ([[Якубеня, Михаил Петрович|М.П. Якубеня]]), полупроводниковым пленкам ([[Лаврентьева, Людмила Германовна|Л.Г. Лаврентьева]]). |
| − | Со временем состав лаборатории пополнился выпускниками кафедры полупроводников, лаборатория полупроводников СФТИ была преобразована в | + | Со временем состав лаборатории пополнился выпускниками кафедры полупроводников, лаборатория полупроводников СФТИ была преобразована в отдел физики полупроводников (1973). Уже на первом этапе к новому направлению подключились кафедра аналитической химии ([[Катаев, Григорий Алексеевич|Г.А. Катаев]]), где разрабатывались методы химического анализа полупроводников (З.И. Отмахова) и методы защиты поверхности полупроводников (И.И. Отмахов), лаборатория теоретической физики (В.А. Чалдышев), где велись работы по расчету структуры энергетических зон полупроводников. Были установлены рабочие контакты со специалистами по электронике ([[Детинко, Владимир Никитич|В.Н. Детинко]]) и кристаллографии (С.А. Строителев). В 1957 г. в [[Томский государственный университет|ТГУ]] были открыты проблемные лаборатории физики полупроводников (на радиофизическом факультете) и химии полупроводников (на химическом факультете). |
| − | + | ||
| − | В.А. Преснов уделял большое внимание организации постоянных научных и деловых контактов сотрудников лаборатории и кафедры с ведущими специалистами и коллективами страны. Сотрудники принимали участие во всесоюзной конференции и научно-технических совещаниях по физике полупроводников, микроэлектронике, росту кристаллов и др. С этой же целью в 1962 г. в ТГУ была организована всесоюзная научная конференция по физике поверхностных и контактных явлений в полупроводниках. На ней В.А. Преснов выступил с обобщающим докладом “Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов”. В дальнейшем в Томске систематически организовывались Всероссийские научные конференции (совещания) по арсениду галлия (1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999), в которых участвовали ведущие специалисты и ученые из разных городов страны. 6-я конференция по арсениду галлия (1987) была посвящена 70-летию В.А. Преснова, но оказалась одновременно конференцией, посвященной его памяти –В.А. Преснов умер за 2 месяца до открытия конференции. | + | Таким образом, к концу 1950-х в Томске сформировался неформальный научно-учебный комплекс, способный решать серьезные научные и технические задачи по физике и технике полупроводников. Его лидером являлся В.А. Преснов. Была разработана технология выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs, изготовления диодов на его основе по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда. Разрабатывалась технология очистки веществ, химического анализа высокочистых веществ. В.А. Преснов принимал активное участие в исследованиях. Он – автор оригинальных работ в области кристаллохимии полупроводников. Им были предложены новые методы выращивания полупроводниковых пленок, новые способы модификации свойств полупроводников путем введения примесей переходных металлов, оригинальные способы формирования контактов металлов с полупроводниками и способы стабилизации поверхности полупроводников. |
| + | |||
| + | В то время Томск был единственным городом за Уралом, где проводились научные исследования по физике и технологии полупроводников и велась подготовка специалистов в этой области. Вопреки общей тенденции перехода от германия к кремнию, а затем к более сложным полупроводникам, томские исследователи сразу перешли к арсениду галлия – новому, тогда еще совершенно не изученному материалу. Первое помещение по синтезу и кристаллизации GaAs размещалось под крыльцом корпуса СФТИ на пл. Революции (ныне Ново-Соборная пл.). | ||
| + | |||
| + | =='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | ||
| + | В.А. Преснов уделял большое внимание организации постоянных научных и деловых контактов сотрудников лаборатории и кафедры с ведущими специалистами и коллективами страны. Сотрудники принимали участие во всесоюзной конференции и научно-технических совещаниях по физике полупроводников, микроэлектронике, росту кристаллов и др. С этой же целью в 1962 г. в [[Томский государственный университет|ТГУ]] была организована всесоюзная научная конференция по физике поверхностных и контактных явлений в полупроводниках. На ней В.А. Преснов выступил с обобщающим докладом “Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов”. В дальнейшем в Томске систематически организовывались Всероссийские научные конференции (совещания) по арсениду галлия (1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999), в которых участвовали ведущие специалисты и ученые из разных городов страны. 6-я конференция по арсениду галлия (1987) была посвящена 70-летию В.А. Преснова, но оказалась одновременно конференцией, посвященной его памяти –В.А. Преснов умер за 2 месяца до открытия конференции. | ||
=='''Научно-организационная деятельность. Организация НИИ полупроводниковых приборов'''== | =='''Научно-организационная деятельность. Организация НИИ полупроводниковых приборов'''== | ||
| Строка 62: | Строка 68: | ||
=='''После отъезда из Томска'''== | =='''После отъезда из Томска'''== | ||
| − | В 1968 г. В.А. Преснов | + | В 1968 г. В.А. Преснов возглавил кафедру физической электроники Одесского университета. Под руководством В.А. Преснова при кафедре физической электроники была создана отраслевая научно-исследовательская лаборатория физических основ электронной техники (ФОЭТ), коллектив которой насчитывал более 200 сотрудников. Основным направлением его научной деятельности становится биомедицинская электроника – проблема воздействия препаратов на проницаемость биологических межклеточных мембран и разработка новых методов лечения раковых заболеваний. Основные идеи нового направления изложены в его монографии “Биоэлектронный митоз клеток”. За эти работы В.А. Преснову было присвоено звание заслуженного деятеля науки УССР. Лично В.А. Пресновым и в соавторстве было опубликовано 2 монографии, ряд статей в сборниках докладов научных конференций, более 100 статей в различных научных изданиях, получено более 20 авторских свидетельств на изобретения. |
| + | |||
| + | =='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''== | ||
| + | Под руководством В.А. Преснов было выполнено более 30 кандидатских диссертаций. Многие из его учеников стали докторами наук: В.Ф. Сыноров, [[Лаврентьева, Людмила Германовна|Л.Г. Лаврентьева]], [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], Л.Л. Люзе, [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]], [[Божков, Владимир Григорьевич|В.Г. Божков]], В.Н. Брудный и др. | ||
=='''Личные качества В.А. Преснова'''== | =='''Личные качества В.А. Преснова'''== | ||
| Строка 68: | Строка 77: | ||
=='''Общественно-политическая жизнь'''== | =='''Общественно-политическая жизнь'''== | ||
| − | Будучи студентом, В.А. Преснов избирался секретарем бюро ВЛКСМ (1938–1940). После Великой Отечественной войны – председателем цехкома [[СФТИ]] (1945–1947), членом месткома ТГУ, членом обкома союза работников просвещения, высшей школы и науч. учреждений и членом республиканского комитета того же союза (1962–1964). Депутат Томского горсовета депутатов трудящихся. Член Кировского райкома КПСС (60-е гг.). Состоял в КПСС с 1965 г. | + | Будучи студентом, В.А. Преснов избирался секретарем бюро ВЛКСМ (1938–1940). После Великой Отечественной войны – председателем цехкома [[СФТИ]] (1945–1947), членом месткома [[Томский государственный университет|ТГУ]], членом обкома союза работников просвещения, высшей школы и науч. учреждений и членом республиканского комитета того же союза (1962–1964). Депутат Томского горсовета депутатов трудящихся. Член Кировского райкома КПСС (60-е гг.). Состоял в КПСС с 1965 г. |
=='''Увековечивание памяти'''== | =='''Увековечивание памяти'''== | ||
| Строка 87: | Строка 96: | ||
* Зависимость угла диэлектрических потерь в борных стеклах от энергии диссоциации ионов // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000649221 Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24]; | * Зависимость угла диэлектрических потерь в борных стеклах от энергии диссоциации ионов // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000649221 Труды СФТИ. 1947. Выпуск 24]; | ||
* Новая секция для аппарата сухого испытания жилы кабеля // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000399144 Труды СФТИ. 1949. Выпуск 29]; | * Новая секция для аппарата сухого испытания жилы кабеля // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000399144 Труды СФТИ. 1949. Выпуск 29]; | ||
| − | * Совместно с А.М. Вендеровичем, В.И. Черных. Зависимость проводимости стекол от силы поля и вопросы строения стекол // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000649138 Труды СФТИ. 1949. Выпуск 28]; | + | * Совместно с [[Вендерович, Александр Моисеевич|А.М. Вендеровичем]], В.И. Черных. Зависимость проводимости стекол от силы поля и вопросы строения стекол // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000649138 Труды СФТИ. 1949. Выпуск 28]; |
* К вопросу о зависимости высоковольтной поляризации диэлектриков от напряженности электрического поля // Журнал технической физики. 1952. Том 22. Выпуск 6; | * К вопросу о зависимости высоковольтной поляризации диэлектриков от напряженности электрического поля // Журнал технической физики. 1952. Том 22. Выпуск 6; | ||
| − | * Совместно с В.И. Гаманом. О связи электрических свойств кристаллов с параметрами кристаллической решетки // Доклады Академии наук СССР. 1957. Том 114; | + | * За комплексность исследований! // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2017/000463479/1955/1955_024.pdf За советскую науку. 1955. № 24]; |
| + | * Всесоюзная конференция по полупроводникам // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2017/000463479/1955/1955_045.pdf За советскую науку. 1955. № 45]; | ||
| + | * Совместно с [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаманом]]. О связи электрических свойств кристаллов с параметрами кристаллической решетки // Доклады Академии наук СССР. 1957. Том 114; | ||
* Новый интерференционный метод измерения коэффициентов термического расширения твердых материалов // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000399135 Труды СФТИ. 1958. Выпуск 36]; | * Новый интерференционный метод измерения коэффициентов термического расширения твердых материалов // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000399135 Труды СФТИ. 1958. Выпуск 36]; | ||
| − | * Совместно с М.А. Кривовым. Исследование новых полупроводниковых материалов из группы А3В5 // Вопросы металлургии и физики полупроводников. М., 1959; | + | * Совместно с [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривовым]]. Исследование новых полупроводниковых материалов из группы А3В5 // Вопросы металлургии и физики полупроводников. М., 1959; |
| − | * Совместно с Ю.Б. Новодворским, М.П. Якубеня. Основы техники и физики спая. Томск, 1961; | + | * Захватывающие перспективы // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2017/000463479/1959/1959_016-017.pdf За советскую науку. 1959. № 16-17]; |
| − | * Совместно с С.С. Хлудковым. О методах получения р-п-переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1; | + | * Хоздоговор - это хорошо // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2017/000463479/1959/1959_034-035.pdf За советскую науку. 1959. № 34-35]; |
| + | * Совместно с Ю.Б. Новодворским, [[Якубеня, Михаил Петрович|М.П. Якубеня]]. Основы техники и физики спая. Томск, 1961; | ||
| + | * Совместно с [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудковым]]. О методах получения р-п-переходов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1961. № 1; | ||
| + | * Новости науки. Квантовая радиоэлектроника // [https://www.lib.tsu.ru/mminfo/2017/000463479/1961/1961_037.pdf За советскую науку. 1961. № 37]; | ||
* Совместно с А.П. Вяткиным. Исследование выпрямляющих свойств арсенида галлия // Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. М., 1962; | * Совместно с А.П. Вяткиным. Исследование выпрямляющих свойств арсенида галлия // Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. М., 1962; | ||
* Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964; | * Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964; | ||
| − | * Совместно с Л.Г. Лаврентьевой и др. Получение и исследование пленок арсенида галлия // // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964; | + | * Совместно с [[Лаврентьева, Людмила Германовна|Л.Г. Лаврентьевой]] и др. Получение и исследование пленок арсенида галлия // // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964; |
* Арсенид галлия – новый перспективный полупроводниковый материал электронной техники // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000094258 Арсенид галлия. Томск, 1968]; | * Арсенид галлия – новый перспективный полупроводниковый материал электронной техники // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000094258 Арсенид галлия. Томск, 1968]; | ||
* Биоэлектронный митоз клеток. Одесса, 1976; Квантовая биоэлектроника. Одесса, 1980. | * Биоэлектронный митоз клеток. Одесса, 1976; Квантовая биоэлектроника. Одесса, 1980. | ||
| Строка 105: | Строка 119: | ||
* Архив СФТИ (Личное дело В.А. Преснова); | * Архив СФТИ (Личное дело В.А. Преснова); | ||
* Красное Знамя. 1939. 8 июня; | * Красное Знамя. 1939. 8 июня; | ||
| − | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей] / Редакторы В.И. Гаман, М.А. Кривов. Томск, 1981; | + | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000160757 Развитие физических наук в Томском университете: Сборник статей] / Редакторы [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Кривов, Михаил Алексеевич|М.А. Кривов]]. Томск, 1981; |
* [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000034817 Физики о физиках и физике: Сборник статей] / Под редакцией И.Н. Анохиной. Томск, 1998; | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000034817 Физики о физиках и физике: Сборник статей] / Под редакцией И.Н. Анохиной. Томск, 1998; | ||
| − | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000123910 Профессора Томского университета: Биографический словарь (1945–1980)] / С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, Л.Л. Берцун и др. Томск, 2001. Том 3; | + | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000123910 Профессора Томского университета: Биографический словарь (1945–1980)] / [[Фоминых, Сергей Федорович|С.Ф. Фоминых]], [[Некрылов, Сергей Александрович|С.А. Некрылов]], [[Берцун, Людмила Лукинична|Л.Л. Берцун]] и др. Томск, 2001. Том 3; |
| − | * Войцеховский А.В., Гаман В.И., Гермогенов В.П., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Мокроусов Г.М. Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском госуниверситете // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285. C. 47–52. Режим доступа: http://sun.tsu.ru/mminfo/000063105/285/image/285-047.pdf (дата обращения: 09.12.2014); | + | * [[Войцеховский, Александр Васильевич|Войцеховский А.В.]], [[Гаман, Василий Иванович|В.И. Гаман]], [[Гермогенов, Валерий Петрович|Гермогенов В.П.]], [[Ивонин, Иван Варфоломеевич|Ивонин И.В.]], [[Лаврентьева, Людмила Германовна|Л.Г. Лаврентьева]], [[Мокроусов, Геннадий Михайлович|Мокроусов Г.М.]] Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском госуниверситете // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285. C. 47–52. Режим доступа: http://sun.tsu.ru/mminfo/000063105/285/image/285-047.pdf (дата обращения: 09.12.2014); |
| − | * Фоминых С.Ф. Преснов Виктор Алексеевич // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000375082 Энциклопедия Томской области. Т. 2: Н – Я. Томск, 2009]; | + | * [[Фоминых, Сергей Федорович|С.Ф. Фоминых]]. Преснов Виктор Алексеевич // [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000375082 Энциклопедия Томской области. Т. 2: Н – Я. Томск, 2009]; |
* ПРЕСНОВ Виктор Алексеевич. Режим доступа: https://phys.tsu.ru/index.php?page=1499 (дата обращения: 09.12.2014); | * ПРЕСНОВ Виктор Алексеевич. Режим доступа: https://phys.tsu.ru/index.php?page=1499 (дата обращения: 09.12.2014); | ||
*“Ищите и осуществляйте новое, лучшее – оно есть в каждом деле” (О Викторе Алексеевиче Преснове) // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 174-175. Режим доступа: http://sun.tsu.ru/mminfo/000063105/278/image/278-174.pdf (дата обращения: 09.12.2014); | *“Ищите и осуществляйте новое, лучшее – оно есть в каждом деле” (О Викторе Алексеевиче Преснове) // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 174-175. Режим доступа: http://sun.tsu.ru/mminfo/000063105/278/image/278-174.pdf (дата обращения: 09.12.2014); | ||
| Виктор Алексеевич Преснов | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: |
Анжеро-Судженск Кемеровская область |
| Дата смерти: | |
| Место смерти: |
Одесса |
| Научная сфера: |
Физика |
| Научная школа |
Основатель научной школы физики и техники полупроводников |
| Период работы в Томском университете : |
1960–1996 |
| Место работы в Томском университете: |
Кафедры полупроводников и диэлектриков радиофизического факультета |
| Учёная степень: |
Доктор технических наук |
| Учёное звание: |
Профессор |
| Альма-матер: |
Томский государственный университет |
| Известные ученики: |
Л.Г. Лаврентьева, В.И. Гаман, Л.Л. Люзе, С.С. Хлудков, В.Г. Божков, В.Н. Брудный |
| Награды и премии: |
|
ПРЕСНОВ Виктор Алексеевич (2 декабря 1917, Анжеро-Судженск Кемеровская область – 17 июля 1987, Одесса) – физик, профессор кафедры полупроводников и диэлектриков Томского государственного университета.
Его отец, Алексей Cтаниславович (1886–1954), по национальности латгалец, был участником революции 1905–1907 гг., до 1908 г. – рабочий вагоностроительного завода в Петербурге. Потом переехал в Сибирь, где некоторое время работал кессонщиком на строительстве опор для второго железнодорожного моста через р. Енисей в районе Красноярска, а затем шахтером-забойщиком на Судженских копях в Кузбассе. В 1920 г. вступил в ряды РКП(б). Мать, Соломея Ивановна (дев. Лубгина, 1880–1969), родом из Витебской губернии, вела домашнее хозяйство и воспитывала детей. Из 12 рожденных ею, кроме В.А. Преснова и его брата Алексея (1914, учился в ТПИ, арестован в 1937 г. и расстрелян), остальные умерли в младенчестве.
Первым браком В.А. Преснов был женат на Вере Константиновне Сончик (1921). Она окончила физико-математический факультет Иркутского университета по специальности “Физик” (1945), кандидат физико-математических наук, многие годы работала в СФТИ. Их дети: Ольга (р. 1946), окончила радиофизический факультет ТГУ по специальности “Радиофизика и электроника”, специализация “полупроводники”, работала в СФТИ, доктор физико-математических наук (2002), профессор кафедры физики Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР); Людмила (р. 1950), училась в Томском медицинском институте (ТМИ, ныне СибГМУ). Вторым браком В.А. Преснов был женат на В. Андреевой. Их дочь – Виктория (1968).
После окончания школы (1935) В.А. Преснов поступил на астрономо-геодезический факультет Новосибирского строительного института. После 1-го курса переехал в Томск и выдержал конкурс на физико-математический факультет ТГУ. Окончил университет (1941) по специальности “Физика” с уклоном “Оптика и спектроскопия” и квалификацией “физик” с правом преподавания в высшей и средней школе. Его учителями были профессора М.А. Большанина, Н.Н. Горячев, В.Д. Кузнецов, В.М. Кудрявцева, Б.В. Тронов, М.И. Усанович. На 5-м курсе исполнял обязанности научного сотрудника лаборатории фотоэлектрических явлений (затем лаборатория спектроскопии) СФТИ, которой заведовала в то время профессор В.М. Кудрявцева.
По окончании университета некоторое время работал учителем физики в селе Ребриха на Алтае. В конце 1941 г. при призыве в армию получил отсрочку, вернулся в Томск и устроился научным сотрудником лаборатории физиологической оптики Всесоюзного института экспериментальной медицины (ВИЭМ), эвакуированного в Томск. В ВИЭМ вместе с профессором Н.Т. Федоровым изучал действие света большой силы на контрастную чувствительность глаза человека и действие противоядия от синильной кислоты на остроту зрения человека. Одновременно по совместительству В.А. Преснов – научный сотрудник лаборатории спектроскопии СФТИ. Занимался разработкой метода визуального количественного спектрального анализа.
В мае 1942 г. был призван в действующую армию. Служил сапером, участвовал в боях под Сталинградом, где получил тяжелое осколочное ранение в ногу и правый бок. После госпиталя был зачислен в штат запасного полка. За активное участие в рационализаторской и изобретательской работе, за изобретения, усиливавшие обороноспособность армии, был награжден орденом Красной Звезды. После демобилизации в звании старшего сержанта (сентябрь 1945) вернулся в Томск.
(%D0%B2_%D1%86%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%80%D0%B5),_%D0%A4%D0%BE%D0%BC%D0%B8%D0%BD_%D0%9D._(%D0%B4%D0%B8%D0%BF%D0%BB%D0%BE%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%BA),_%D0%92%D1%8F%D1%82%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%90.%D0%9F._(%D1%81.%D0%BD.%D1%81.,%D1%81%D0%BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%B0)_%D0%B7%D0%B0_%D1%80%D0%B0%D0%B1%D0%BE%D1%82%D0%BE%D0%B9._1952%D0%B3..png)
В 1947/48 уч. г. читал курс “Техника высоких напряжений” в Томском индустриальном техникуме. В ТГУ вел лабораторный практикум по физике диэлектриков и читал курсы: “Физика полупроводников”, “Техника высоких напряжений”, “Материаловедение диэлектриков”, “Электроника полупроводников”, “Физикохимия полупроводников”, “Полупроводниковые электронные приборы”.
С полупроводниковыми материалами начал работать еще студентом, когда под руководством профессора В.М. Кудрявцевой изучал люминесценцию касситерита (SnO2). Производственную практику проходил в лаборатории академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте (Ленинград), где его научным руководителем был Б.В. Курчатов. Посещение научных семинаров, личное обаяние А.Ф. Иоффе, дух творчества, царивший в лаборатории, оказали огромное влияние на практиканта, приехавшего из далекой Сибири, пробудили интерес к полупроводникам. Демобилизовавшись из армии и поступив в лаборатории электрофизики СФТИ, В.А. Преснов в короткий срок изучил физику диэлектриков, овладел методикой измерений и под руководством доцента А.М. Вендеровича выполнил исследования диэлектрических свойств стекол. Анализировалась проблема взаимосвязи структуры стекол и их электрических свойств, в частности, влияние примесей на свойства электротехнических силикатных стекол в сильных электрических полях. 5 апреля 1950 г. в совете физического факультета ТГУ В.А. Преснов защитил диссертацию “Электропроводность стекол в сильных электрических полях” на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (официальные оппоненты – профессора А.А. Воробьев и Ф.И. Вергунас; утвержден ВАК 9 августа 1950).
Примерно в это же время В.А. Преснов выполнил ряд специальных разработок, конечной целью которых было решение конкретных технических задач для предприятий электротехнической промышленности. В 1947 г. им были разработаны и внедрены в производство на томском заводе “Сибкабель” метод сухого испытания полуфабрикатов в процессе производства кабельной продукции и новый метод сплошного контроля резиновой ленты на ее однородность. В последующие годы В.А. Пресновым были организованы и проведены систематические физические исследования по проблеме создания прочного спая стекла и керамики с металлом для Томского электролампового завода и Новосибирского предприятия а/я 92, на котором осваивалась новая технология производства металлокерамических ламп СВЧ-диапазона. Здесь в полной мере были использованы идеи М.И. Усановича о кислотно-основном взаимодействии в твердых телах, которыми В.А. Преснов заинтересовался еще будучи студентом. Экспериментальный материал, полученный в результате проведенных исследований, был положен в основу электронной теории спая. Комитетом по делам изобретений и открытий при СМ СССР был установлен приоритет нашей страны по этой работе и выдано удостоверение о регистрации № 7858. Результаты исследований нашли применение на предприятиях, занимавшихся выпуском высокочастотных приборов. Это принесло значительный экономический эффект. В 1953 г. за работу “Физические основы спая стекла и керамики с металлом” В.А. Преснов был удостоен премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу. Изучение свойств стекла, керамики и их спаев с металлами явилось основой диссертации “Исследования по физике спая” на соискание ученой степени доктора технических наук, которую он защитил 12 июня 1959 г. в совете Ленинградского электротехнического института (утвержден ВАК 18 февраля 1961). Основные материалы и физические идеи работы изложены в его монографии “Основы техники и физики спая”.
Параллельно с работами по диэлектрикам В.А. Преснов положил начало исследованиям в СФТИ в области физики полупроводников. В 1957 г. по инициативе В.А. Преснова и при активной поддержке директора института М.А. Кривова была открыта лаборатория полупроводников, в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики М.А. Кривов, А.П. Изергин, А.П. Вяткин, С.С. Ногина и др. В лаборатории полупроводников были сформированы группы по технологии выращивания монокристаллов полупроводников (А.П. Изергин в последующем стал дважды лауреатом Государственной премии за разработки технологии получения сложных полупроводников), изучению физических свойств полупроводников (М.А. Кривов), физике полупроводниковых приборов (А.П. Вяткин), методам исследования структуры (М.П. Якубеня), полупроводниковым пленкам (Л.Г. Лаврентьева).
Со временем состав лаборатории пополнился выпускниками кафедры полупроводников, лаборатория полупроводников СФТИ была преобразована в отдел физики полупроводников (1973). Уже на первом этапе к новому направлению подключились кафедра аналитической химии (Г.А. Катаев), где разрабатывались методы химического анализа полупроводников (З.И. Отмахова) и методы защиты поверхности полупроводников (И.И. Отмахов), лаборатория теоретической физики (В.А. Чалдышев), где велись работы по расчету структуры энергетических зон полупроводников. Были установлены рабочие контакты со специалистами по электронике (В.Н. Детинко) и кристаллографии (С.А. Строителев). В 1957 г. в ТГУ были открыты проблемные лаборатории физики полупроводников (на радиофизическом факультете) и химии полупроводников (на химическом факультете).
Таким образом, к концу 1950-х в Томске сформировался неформальный научно-учебный комплекс, способный решать серьезные научные и технические задачи по физике и технике полупроводников. Его лидером являлся В.А. Преснов. Была разработана технология выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs, изготовления диодов на его основе по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда. Разрабатывалась технология очистки веществ, химического анализа высокочистых веществ. В.А. Преснов принимал активное участие в исследованиях. Он – автор оригинальных работ в области кристаллохимии полупроводников. Им были предложены новые методы выращивания полупроводниковых пленок, новые способы модификации свойств полупроводников путем введения примесей переходных металлов, оригинальные способы формирования контактов металлов с полупроводниками и способы стабилизации поверхности полупроводников.
В то время Томск был единственным городом за Уралом, где проводились научные исследования по физике и технологии полупроводников и велась подготовка специалистов в этой области. Вопреки общей тенденции перехода от германия к кремнию, а затем к более сложным полупроводникам, томские исследователи сразу перешли к арсениду галлия – новому, тогда еще совершенно не изученному материалу. Первое помещение по синтезу и кристаллизации GaAs размещалось под крыльцом корпуса СФТИ на пл. Революции (ныне Ново-Соборная пл.).
В.А. Преснов уделял большое внимание организации постоянных научных и деловых контактов сотрудников лаборатории и кафедры с ведущими специалистами и коллективами страны. Сотрудники принимали участие во всесоюзной конференции и научно-технических совещаниях по физике полупроводников, микроэлектронике, росту кристаллов и др. С этой же целью в 1962 г. в ТГУ была организована всесоюзная научная конференция по физике поверхностных и контактных явлений в полупроводниках. На ней В.А. Преснов выступил с обобщающим докладом “Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов”. В дальнейшем в Томске систематически организовывались Всероссийские научные конференции (совещания) по арсениду галлия (1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999), в которых участвовали ведущие специалисты и ученые из разных городов страны. 6-я конференция по арсениду галлия (1987) была посвящена 70-летию В.А. Преснова, но оказалась одновременно конференцией, посвященной его памяти –В.А. Преснов умер за 2 месяца до открытия конференции.
В.А. Преснов был членом Научного совета Министерства высшего и среднего специального образования (Минвуза) СССР по проблемам микроэлектроники. Как специалист, В.А. Преснов понимал, что научные разработки могут быть реализованы только при условии их внедрения в промышленное производство. Поэтому немало усилий им было приложено к тому, чтобы организовать в Томске отраслевой институт соответствующего профиля. В 1960 г. Госкомитетом по радиоэлектронике СМ СССР было принято решение о строительстве в Томске специализированного НИИ, включающего опытное производство полупроводниковых приборов. В 1964 г. НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП) Министерства электронной промышленности СССР вступило в число действующих. Под руководством В.А. Преснова в НИИПП было сформировано основное научно-производственное направление, ориентированное на использование арсенида галлия и его аналогов в излучающих и СВЧ-приборах. Были выполнены разработки соответствующих приборов, налажен их выпуск.
В 1968 г. В.А. Преснов возглавил кафедру физической электроники Одесского университета. Под руководством В.А. Преснова при кафедре физической электроники была создана отраслевая научно-исследовательская лаборатория физических основ электронной техники (ФОЭТ), коллектив которой насчитывал более 200 сотрудников. Основным направлением его научной деятельности становится биомедицинская электроника – проблема воздействия препаратов на проницаемость биологических межклеточных мембран и разработка новых методов лечения раковых заболеваний. Основные идеи нового направления изложены в его монографии “Биоэлектронный митоз клеток”. За эти работы В.А. Преснову было присвоено звание заслуженного деятеля науки УССР. Лично В.А. Пресновым и в соавторстве было опубликовано 2 монографии, ряд статей в сборниках докладов научных конференций, более 100 статей в различных научных изданиях, получено более 20 авторских свидетельств на изобретения.
Под руководством В.А. Преснов было выполнено более 30 кандидатских диссертаций. Многие из его учеников стали докторами наук: В.Ф. Сыноров, Л.Г. Лаврентьева, В.И. Гаман, Л.Л. Люзе, С.С. Хлудков, В.Г. Божков, В.Н. Брудный и др.
Все, кому довелось работать под руководством В.А. Преснова, отмечают, что как ученому ему были присущи умение видеть новое, смелость и оригинальность в постановке и решении научных задач, умение зажечь людей новыми идеями, способность организовать работу коллектива в нужном направлении. В.А. Преснова отличали доброжелательность, демократизм, умение найти подход к каждому. Обращаясь к молодежи, он говорил: “Помните, что счастье дает человеку не только достигнутая цель, но и весь часто очень трудный путь к ней. Большую полноту счастья дает настойчивый научный и инженерный труд, решение загадок, которых еще немало, разработка принципиально новых приборов, изобретения, открывающие новые технические возможности, позволяющие улучшить жизнь человека, его быт, культуру. Ищите и осуществляйте новое, лучшее, оно есть в каждом деле”.
Будучи студентом, В.А. Преснов избирался секретарем бюро ВЛКСМ (1938–1940). После Великой Отечественной войны – председателем цехкома СФТИ (1945–1947), членом месткома ТГУ, членом обкома союза работников просвещения, высшей школы и науч. учреждений и членом республиканского комитета того же союза (1962–1964). Депутат Томского горсовета депутатов трудящихся. Член Кировского райкома КПСС (60-е гг.). Состоял в КПСС с 1965 г.
14 февраля 2008 г. в связи с 90-летием со дня рождения на здании НИИПП открыта мемориальная доска в честь организатора и первого директора НИИПП В.А. Преснова.
