| [досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Mgrib (обсуждение | вклад) |
Ignatenko (обсуждение | вклад) (→Источники и литература) |
||
| (не показаны 4 промежуточные версии ещё одного участника) | |||
| Строка 2: | Строка 2: | ||
|Имя = Толбанов Олег Петрович | |Имя = Толбанов Олег Петрович | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
| − | |Фото = | + | |Фото = ТолбановОП.jpeg |
| + | |||
|Ширина = | |Ширина = | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
| Строка 15: | Строка 16: | ||
|Период работы в Томском университете = | |Период работы в Томском университете = | ||
|Место работы в Томском университете = | |Место работы в Томском университете = | ||
| − | |Учёная степень = | + | |Учёная степень = доктор физико-математических наук |
|Учёное звание = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] | |Учёное звание = [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] | ||
|Альма-матер = | |Альма-матер = | ||
| − | |Научный руководитель = | + | |Научный руководитель = [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]] |
|Знаменитые ученики = | |Знаменитые ученики = | ||
| − | |Награды и премии = | + | |Награды и премии = [[:Категория: Награжденные медалью «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета|Медаль «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета]] (2015) |
}} | }} | ||
| − | ''' ТОЛБАНОВ Олег Петрович ''' ([[3 февраля в истории Томского университета|3]] [[Февраль 1947 года в истории Томского университета|февраля]] [[1947 год в истории Томского университета|1947]] г., [[:Категория: Родившиеся в Томске|Томск]]) | + | ''' ТОЛБАНОВ Олег Петрович ''' ([[3 февраля в истории Томского университета|3]] [[Февраль 1947 года в истории Томского университета|февраля]] [[1947 год в истории Томского университета|1947]] г., [[:Категория: Родившиеся в Томске|Томск]]) – профессор кафедры полупроводниковой электроники. |
=='''Семья'''== | =='''Семья'''== | ||
| − | Отец | + | Отец О.П. Толбанова, Петр Михайлович (1927-1994), из семьи архивариуса на железной дороги, работал директором Томской текстильной фабрики. Мать О.П. Толбанова, Валентина Ивановна (1928-?), из крестьян, работала в торговле. |
| − | Женат на Розе Иосифовне ( | + | Женат на Розе Иосифовне (девичья Марц, родилась в 1950 г.). Она окончила факультет иностранных языков ТГПУ, доцент ТПУ. Их дети: Анна (в замужестве Рассказова, родилась в 1971 г.), окончила биолого-почвенный факультет [[Томский государственный университет|ТГУ]], преподаватель Томского музыкального училища; Людмила (родилась в 1982 г.), училась на инженерно-экономическом факультете ТПУ. |
=='''Школьные и студенческие годы'''== | =='''Школьные и студенческие годы'''== | ||
| − | + | О.П. Толбанов после окончания томской средней школы № 8 (1965) поступил на конструкторско-технологический факультет ТИРиЭТ. Среди его учителей: Таубер Г.И., Бурова Т.Т., Лукутина О.Ф. Окончил институт (1970) по специальности «диэлектрики и полупроводники» с квалификацией инженер-электроник. Дипломный проект «Исследование частотной и температурной зависимости барьерной емкости структур на основе арсенида галлия с глубокими центрами» выполнил в НИИПП (руководитель, доцент [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]]). | |
=='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | =='''Научно-организационная и преподавательская деятельность'''== | ||
| − | С 1970 | + | С 1970 г. – инженер, затем старший и ведущий инженер НИИПП, главный конструктор разработки. С 17 января 1975 г. – [[:Категория: Младшие научные сотрудники Томского университета|младший научный сотрудник]], с 1981 г. по апрель 1996 г. – [[:Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета|старший научный сотрудник]], с апреля 2000 г. – [[:Категория: Заведующие лабораториями Томского университета|заведующий лабораторией]] физики полупроводников СФТИ [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С апреля 1996 г. по апрель 1999 г. – докторант [[Томский государственный университет|ТГУ]]. По совместительству с 1 сентября 2000 г. – [[:Категория: Доценты Томского университета|доцент]], с 1 сентября 2001 г. – [[:Категория: Профессора Томского университета|профессор]] кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета [[Томский государственный университет|ТГУ]]. С сентября 1985 г. по май 1986 г. обучался в заочной аспирантуре. |
| − | + | Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «диэлектрики и полупроводники», присвоено ВАК 23 февраля 1989 г. | |
Читает спецкурс «Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений». | Читает спецкурс «Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений». | ||
=='''Научно-исследовательская деятельность'''== | =='''Научно-исследовательская деятельность'''== | ||
| − | + | Область научных интересов О.П. Толбанова – электронные свойства полупроводниковых структур, легированных примесями с глубокими уровнями. Он положил начало новому прикладному научному направлению в России, связанному с созданием GaAs квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения. Под его руководством выполнен цикл фундаментальных исследований и создан ряд оригинальных приборных структур с глубокими центрами, содержащимися в активной части структур и обусловливающих новые физические эффекты и электронные свойства полупроводниковых приборов. В последнее время занимается разработкой квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения и заряженных частиц высоких энергий и созданием на их основе цифровых диагностических систем различного назначения. В лаборатории физики полупроводников СФТИ под руководством О.П. Толбанова создана не имеющая мировых аналогов технология детекторных структур. Разработаны радиационностойкие микрополосковые координатные детекторы для физики высоких энергий, а также детекторные матрицы и сканирующие детекторные линейки для прямой регистрации единичных рентгеновских и гамма-квантов с целью формирования цифрового изображения объектов в рентгеновских и гамма-лучах. Предложены арсенид галлиевые детекторы для проектов «ATLAS» и CMS Центра европейских ядерных исследований (Швейцария) с координатным разрешением ≈ 10 мкм и радиационной стойкостью, более чем на порядок превышающей лучшие зарубежные аналоги. Разработан цифровой рентгеновский аппарат с детекторными линейками сканирующего типа, с Х-лучевой нагрузкой, на два порядка меньшей, чем в существующих рентгеновских аппаратах. | |
| − | 20 июня 1986 в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] защитил | + | 20 июня 1986 г. в совете [[Томский государственный университет|ТГУ]] [[:Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете|защитил диссертацию]] «Исследование и разработка арсенид галлиевых лавинных S-диодов» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель, доцент [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]]; официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор [[Викулин, Иван Михайлович|И.М. Викулин]], кандидат физико-математических наук А.А. Вилисов; утверждено ВАК 29 октября 1986 г.). |
| − | 19 | + | 19 октября 1999 г. в совете ТПУ защитил диссертацию «Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями: электронные свойства, структуры, применение» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант профессор [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудков]]; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор К.П. Арефьев, доктор технических наук, профессор [[Божков, Владимир Григорьевич|В.Г. Божков]] и доктор физико-математических наук, профессор [[Войцеховский, Александр Васильевич|А.В. Войцеховский]]; утверждено ВАК, 11 февраля 2000 г.). |
| − | Автор более 130 работ (в | + | Автор более 130 работ (в том числе более 60 в зарубежных изданиях), имеет более 20 изобретений и патентов. |
=='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | =='''Участие в конференциях, совещаниях, симпозиумах и международная деятельность'''== | ||
| − | Участвовал в работе ряда | + | Участвовал в работе ряда научных конференций, симпозиумов и семинаров: VI, VII Internnational conference «Instrumentations for experiments at e+e- colliders» (Novosibirsk, Russia, 1996, 2002); IV, V International workshop on GaAs detectors and related compounds (Aberfoyle, Scotland, 1996; Cividale del Friuli, Italy, 1997); ATLAS detector for p-p experiments at large hardron collider at CERN (CERN, Switzerland, 1997); 2th International workshop on radiation imaging detectors (Freiburg, Germany, 2000); 4th International workshop on radiation imaging detectors (Amsterdam, Netherlands, 2002). |
| + | |||
| + | Входил в состав оргкомитет VIII Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2002). Член международных коллабораций (R&D-8, R&D-39) по разработке твердотельных детекторов, координатор по Томску ряда международных проектов. Поддерживает творческие контакты с ведущими учеными и специалистами Германии, Великобритании, Италии и Швеции, опубликовал ряд совместных работ. Регулярно выступает с докладами и лекциями по приглашению на семинарах и конференций в ряде европейских стран. | ||
=='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''== | =='''Деятельность по подготовке кадров высшей квалификации'''== | ||
| Строка 56: | Строка 59: | ||
=='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''== | =='''Научно-организационная и экспертная деятельность'''== | ||
| − | С 2000 | + | С 2000 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ, с 2001 г. – член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в [[Томский государственный университет|ТГУ]]. |
=='''Награды и премии'''== | =='''Награды и премии'''== | ||
| − | * | + | * Знак «Изобретатель СССР»; |
| + | * Медаль «400 лет Томску», За заслуги перед городом (2004); | ||
| + | * Нагрудный знак «Почётный работник высшего профессионального образования Российской Федерации», Минобрнауки РФ (2007); | ||
| + | * Нагрудный знак «Почётный работник науки и техники Российской Федерации», Минобрнауки РФ (2008); | ||
| + | * Золотая медаль «За успехи в научно-техническом творчестве», Всероссийский выставочный центр (2008); | ||
| + | * [[:Категория: Награжденные медалью «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета|Медаль «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета]] (2015). | ||
=='''Труды'''== | =='''Труды'''== | ||
| − | * Совместно с С.С. Хлудковым. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // | + | * Совместно с [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудковым]]. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими центрами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, №2; |
| − | * | + | * Совместно с [[Хлудков, Станислав Степанович|С.С. Хлудковым]]. Полупроводниковые структуры и приборы на основе арсенида галлия с глубокими центрами // Известия вузов. Физика. 1992. № 9; |
| − | * Совместно с А.П. Воробьевым, А.В. Корецким, А.И. Потаповым. Исследование GaAs структур со встроенным π-ν переходом для создания координатно-чувствительных детекторов // | + | * Совместно с А.П. Воробьевым, А.В. Корецким, А.И. Потаповым. Исследование GaAs структур со встроенным π-ν переходом для создания координатно-чувствительных детекторов // Журнал технической физики. 1994. Т. 64, вып.3; |
| − | * Совместно с O.B.Koretskaya, L.S.Okaevitch, A.I.Potapov. Transport and charge collection in compensated GaAs particle detectors // | + | * Совместно с O.B. Koretskaya, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov. Transport and charge collection in compensated GaAs particle detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1996. Vol. A379; |
| − | * Совместно с S.S.Khludkov, V.E.Stepanov. Radiation hardness of semiconductor detectors for high energy physics // | + | * Совместно с S.S. Khludkov, V.E. Stepanov. Radiation hardness of semiconductor detectors for high energy physics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1996. Vol. 29; |
| − | * | + | * Совместно с S.S. Khludkov, V.E. Stepanov. Proton-induced displacement damage in GaAs and radiation hardness // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1997. Vol. A395; |
| − | * Совместно с A.V.Smoll, A.P.Vorobiev. Results of GaAs detector irradiation at the mixed beam neutrino caybe at CERN // | + | * Совместно с A.V. Smoll, A.P. Vorobiev. Results of GaAs detector irradiation at the mixed beam neutrino caybe at CERN // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1998. Vol. A410; |
| − | * GaAs structures compensated with deep centers // WIRESCRIPT | + | * GaAs structures compensated with deep centers // WIRESCRIPT Journal CYEN technologies SRL, 15 Dec. 1999; |
| − | * Совместно с V.B.Chmill, W.Klamra, L.S.Okaevich, A.P.Vorobiev. Investigation of epitaxial GaAs charged particle detectors // | + | * Совместно с V.B. Chmill, W. Klamra, L.S. Okaevich, A.P. Vorobiev. Investigation of epitaxial GaAs charged particle detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1999. Vol. A438; |
| − | * Совместно с G.I.Aizenshtadt, A.V.Tyazhev. Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers // | + | * Совместно с [[Айзенштат, Геннадий Исаакович|G.I. Aizenshtadt]], A.V. Tyazhev. Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2000. Vol. A448; |
| − | * Совместно с G.I. | + | * Совместно с [[Айзенштат, Геннадий Исаакович|G.I. Aizenshtadt]], D.L. Budnitsky, K. Smith, A.P. Vorobiev. GaAs Structures for X-Imaging detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2001. Vol. A466; |
| − | * Совместно с G.I. | + | * Совместно с [[Айзенштат, Геннадий Исаакович|G.I. Aizenshtadt]], A.P. Vorobiev. Modeling of processes of charge division and collection in GaAs detectors taking into account trapping effects // Ibidem; Iidem. GaAs X-Ray coordinate detectors // Ibidem. |
| − | Iidem. GaAs X-Ray coordinate detectors // Ibidem. | + | |
=='''Источники и литература'''== | =='''Источники и литература'''== | ||
| − | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460641 Выдающиеся выпускники Томского государственного университета] /авт.-сост.: [[Фоминых, Сергей Федорович|Фоминых С.Ф.]] (отв. ред.), [[Некрылов, Сергей Александрович|Некрылов С.А.]], [[Грибовский, Михаил Викторович|Грибовский М.В.]] и др. Томск: | + | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460641 Выдающиеся выпускники Томского государственного университета] /авт.-сост.: [[Фоминых, Сергей Федорович|Фоминых С.Ф.]] (отв. ред.), [[Некрылов, Сергей Александрович|Некрылов С.А.]], [[Грибовский, Михаил Викторович|Грибовский М.В.]] и др. Томск: Издательство [[Томский государственный университет|ТГУ]], 2013. 258 с. |
| − | * | + | * [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000174107 Томский государственный университет: Ежегодник-2001] / Под ред. [[Майер, Георгий Владимирович|Майера Г.В.]] Томск, 2002. |
| + | |||
| + | [[Категория: Персоналии]] | ||
| + | [[Категория: Заведующие лабораториями Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Профессора Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Доценты Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Младшие научные сотрудники Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Старшие научные сотрудники Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Сотрудники Радиофизического факультета Томского университета]] | ||
| + | [[Категория: Доктора физико-математических наук]] | ||
| + | [[Категория: Награжденные медалью «Д.И. Менделеев» Томского государственного университета]] | ||
| + | [[Категория: Защитившие кандидатские диссертации в Томском университете]] | ||
| + | [[Категория: Родившиеся в Томске]] | ||
| + | [[Категория: Все статьи]] | ||
| + | [[Категория: Т]] | ||
| Толбанов Олег Петрович | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: | |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: | |
| Научный руководитель: | |
| Награды и премии: |
|
ТОЛБАНОВ Олег Петрович (3 февраля 1947 г., Томск) – профессор кафедры полупроводниковой электроники.
Отец О.П. Толбанова, Петр Михайлович (1927-1994), из семьи архивариуса на железной дороги, работал директором Томской текстильной фабрики. Мать О.П. Толбанова, Валентина Ивановна (1928-?), из крестьян, работала в торговле.
Женат на Розе Иосифовне (девичья Марц, родилась в 1950 г.). Она окончила факультет иностранных языков ТГПУ, доцент ТПУ. Их дети: Анна (в замужестве Рассказова, родилась в 1971 г.), окончила биолого-почвенный факультет ТГУ, преподаватель Томского музыкального училища; Людмила (родилась в 1982 г.), училась на инженерно-экономическом факультете ТПУ.
О.П. Толбанов после окончания томской средней школы № 8 (1965) поступил на конструкторско-технологический факультет ТИРиЭТ. Среди его учителей: Таубер Г.И., Бурова Т.Т., Лукутина О.Ф. Окончил институт (1970) по специальности «диэлектрики и полупроводники» с квалификацией инженер-электроник. Дипломный проект «Исследование частотной и температурной зависимости барьерной емкости структур на основе арсенида галлия с глубокими центрами» выполнил в НИИПП (руководитель, доцент С.С. Хлудков).
С 1970 г. – инженер, затем старший и ведущий инженер НИИПП, главный конструктор разработки. С 17 января 1975 г. – младший научный сотрудник, с 1981 г. по апрель 1996 г. – старший научный сотрудник, с апреля 2000 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников СФТИ ТГУ. С апреля 1996 г. по апрель 1999 г. – докторант ТГУ. По совместительству с 1 сентября 2000 г. – доцент, с 1 сентября 2001 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. С сентября 1985 г. по май 1986 г. обучался в заочной аспирантуре.
Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «диэлектрики и полупроводники», присвоено ВАК 23 февраля 1989 г.
Читает спецкурс «Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений».
Область научных интересов О.П. Толбанова – электронные свойства полупроводниковых структур, легированных примесями с глубокими уровнями. Он положил начало новому прикладному научному направлению в России, связанному с созданием GaAs квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения. Под его руководством выполнен цикл фундаментальных исследований и создан ряд оригинальных приборных структур с глубокими центрами, содержащимися в активной части структур и обусловливающих новые физические эффекты и электронные свойства полупроводниковых приборов. В последнее время занимается разработкой квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения и заряженных частиц высоких энергий и созданием на их основе цифровых диагностических систем различного назначения. В лаборатории физики полупроводников СФТИ под руководством О.П. Толбанова создана не имеющая мировых аналогов технология детекторных структур. Разработаны радиационностойкие микрополосковые координатные детекторы для физики высоких энергий, а также детекторные матрицы и сканирующие детекторные линейки для прямой регистрации единичных рентгеновских и гамма-квантов с целью формирования цифрового изображения объектов в рентгеновских и гамма-лучах. Предложены арсенид галлиевые детекторы для проектов «ATLAS» и CMS Центра европейских ядерных исследований (Швейцария) с координатным разрешением ≈ 10 мкм и радиационной стойкостью, более чем на порядок превышающей лучшие зарубежные аналоги. Разработан цифровой рентгеновский аппарат с детекторными линейками сканирующего типа, с Х-лучевой нагрузкой, на два порядка меньшей, чем в существующих рентгеновских аппаратах.
20 июня 1986 г. в совете ТГУ защитил диссертацию «Исследование и разработка арсенид галлиевых лавинных S-диодов» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель, доцент С.С. Хлудков; официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор И.М. Викулин, кандидат физико-математических наук А.А. Вилисов; утверждено ВАК 29 октября 1986 г.).
19 октября 1999 г. в совете ТПУ защитил диссертацию «Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями: электронные свойства, структуры, применение» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант профессор С.С. Хлудков; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор К.П. Арефьев, доктор технических наук, профессор В.Г. Божков и доктор физико-математических наук, профессор А.В. Войцеховский; утверждено ВАК, 11 февраля 2000 г.).
Автор более 130 работ (в том числе более 60 в зарубежных изданиях), имеет более 20 изобретений и патентов.
Участвовал в работе ряда научных конференций, симпозиумов и семинаров: VI, VII Internnational conference «Instrumentations for experiments at e+e- colliders» (Novosibirsk, Russia, 1996, 2002); IV, V International workshop on GaAs detectors and related compounds (Aberfoyle, Scotland, 1996; Cividale del Friuli, Italy, 1997); ATLAS detector for p-p experiments at large hardron collider at CERN (CERN, Switzerland, 1997); 2th International workshop on radiation imaging detectors (Freiburg, Germany, 2000); 4th International workshop on radiation imaging detectors (Amsterdam, Netherlands, 2002).
Входил в состав оргкомитет VIII Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2002). Член международных коллабораций (R&D-8, R&D-39) по разработке твердотельных детекторов, координатор по Томску ряда международных проектов. Поддерживает творческие контакты с ведущими учеными и специалистами Германии, Великобритании, Италии и Швеции, опубликовал ряд совместных работ. Регулярно выступает с докладами и лекциями по приглашению на семинарах и конференций в ряде европейских стран.
Подготовил 1 кандидата наук.
С 2000 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ, с 2001 г. – член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ.
