| Толбанов Олег Петрович | |
 | |
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: | |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: | |
| Научный руководитель: | |
| Награды и премии: |
|
ТОЛБАНОВ Олег Петрович (3 февраля 1947 г., Томск) – профессор кафедры полупроводниковой электроники.
Отец О.П. Толбанова, Петр Михайлович (1927-1994), из семьи архивариуса на железной дороги, работал директором Томской текстильной фабрики. Мать О.П. Толбанова, Валентина Ивановна (1928-?), из крестьян, работала в торговле.
Женат на Розе Иосифовне (девичья Марц, родилась в 1950 г.). Она окончила факультет иностранных языков ТГПУ, доцент ТПУ. Их дети: Анна (в замужестве Рассказова, родилась в 1971 г.), окончила биолого-почвенный факультет ТГУ, преподаватель Томского музыкального училища; Людмила (родилась в 1982 г.), училась на инженерно-экономическом факультете ТПУ.
О.П. Толбанов после окончания томской средней школы № 8 (1965) поступил на конструкторско-технологический факультет ТИРиЭТ. Среди его учителей: Таубер Г.И., Бурова Т.Т., Лукутина О.Ф. Окончил институт (1970) по специальности «диэлектрики и полупроводники» с квалификацией инженер-электроник. Дипломный проект «Исследование частотной и температурной зависимости барьерной емкости структур на основе арсенида галлия с глубокими центрами» выполнил в НИИПП (руководитель, доцент С.С. Хлудков).
С 1970 г. – инженер, затем старший и ведущий инженер НИИПП, главный конструктор разработки. С 17 января 1975 г. – младший научный сотрудник, с 1981 г. по апрель 1996 г. – старший научный сотрудник, с апреля 2000 г. – заведующий лабораторией физики полупроводников СФТИ ТГУ. С апреля 1996 г. по апрель 1999 г. – докторант ТГУ. По совместительству с 1 сентября 2000 г. – доцент, с 1 сентября 2001 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. С сентября 1985 г. по май 1986 г. обучался в заочной аспирантуре.
Ученое звание старшего научного сотрудника по специальности «диэлектрики и полупроводники», присвоено ВАК 23 февраля 1989 г.
Читает спецкурс «Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений».
Область научных интересов О.П. Толбанова – электронные свойства полупроводниковых структур, легированных примесями с глубокими уровнями. Он положил начало новому прикладному научному направлению в России, связанному с созданием GaAs квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения. Под его руководством выполнен цикл фундаментальных исследований и создан ряд оригинальных приборных структур с глубокими центрами, содержащимися в активной части структур и обусловливающих новые физические эффекты и электронные свойства полупроводниковых приборов. В последнее время занимается разработкой квантово-чувствительных детекторов ионизирующего излучения и заряженных частиц высоких энергий и созданием на их основе цифровых диагностических систем различного назначения. В лаборатории физики полупроводников СФТИ под руководством О.П. Толбанова создана не имеющая мировых аналогов технология детекторных структур. Разработаны радиационностойкие микрополосковые координатные детекторы для физики высоких энергий, а также детекторные матрицы и сканирующие детекторные линейки для прямой регистрации единичных рентгеновских и гамма-квантов с целью формирования цифрового изображения объектов в рентгеновских и гамма-лучах. Предложены арсенид галлиевые детекторы для проектов «ATLAS» и CMS Центра европейских ядерных исследований (Швейцария) с координатным разрешением ≈ 10 мкм и радиационной стойкостью, более чем на порядок превышающей лучшие зарубежные аналоги. Разработан цифровой рентгеновский аппарат с детекторными линейками сканирующего типа, с Х-лучевой нагрузкой, на два порядка меньшей, чем в существующих рентгеновских аппаратах.
20 июня 1986 г. в совете ТГУ защитил диссертацию «Исследование и разработка арсенид галлиевых лавинных S-диодов» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель, доцент С.С. Хлудков; официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор И.М. Викулин, кандидат физико-математических наук А.А. Вилисов; утверждено ВАК 29 октября 1986 г.).
19 октября 1999 г. в совете ТПУ защитил диссертацию «Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями: электронные свойства, структуры, применение» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (научный консультант профессор С.С. Хлудков; официальные оппоненты доктор физико-математических наук, профессор К.П. Арефьев, доктор технических наук, профессор В.Г. Божков и доктор физико-математических наук, профессор А.В. Войцеховский; утверждено ВАК, 11 февраля 2000 г.).
Автор более 130 работ (в том числе более 60 в зарубежных изданиях), имеет более 20 изобретений и патентов.
Участвовал в работе ряда научных конференций, симпозиумов и семинаров: VI, VII Internnational conference «Instrumentations for experiments at e+e- colliders» (Novosibirsk, Russia, 1996, 2002); IV, V International workshop on GaAs detectors and related compounds (Aberfoyle, Scotland, 1996; Cividale del Friuli, Italy, 1997); ATLAS detector for p-p experiments at large hardron collider at CERN (CERN, Switzerland, 1997); 2th International workshop on radiation imaging detectors (Freiburg, Germany, 2000); 4th International workshop on radiation imaging detectors (Amsterdam, Netherlands, 2002).
Входил в состав оргкомитет VIII Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2002). Член международных коллабораций (R&D-8, R&D-39) по разработке твердотельных детекторов, координатор по Томску ряда международных проектов. Поддерживает творческие контакты с ведущими учеными и специалистами Германии, Великобритании, Италии и Швеции, опубликовал ряд совместных работ. Регулярно выступает с докладами и лекциями по приглашению на семинарах и конференций в ряде европейских стран.
Подготовил 1 кандидата наук.
С 2000 г. – член докторского диссертационного совета в ТПУ, с 2001 г. – член докторского диссертационного совета (теоретическая физика; физика конденсированного состояния; физика полупроводников) в ТГУ.
