Борисенко, Сергей Иванович

Сергей Иванович Борисенко
Дата рождения:	1 января 1951 г.
Место рождения:	Анжеро-Судженск Кемеровской области
Научная сфера:	физика
Период работы в Томском университете :	с 1973 г.
Место работы в Томском университете:	СФТИ; кафедра полупроводниковой электроники
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	доцент
Альма-матер:	Томский государственный университет
Научный руководитель:	Г.Ф. Караваев
Награды и премии:	премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976)

БОРИСЕНКО Сергей Иванович (родился 1 января 1951, Анжеро-Судженск Кемеровской области) – физик, профессор кафедры полупроводниковой электроники Томского государственного университета.

Семья

Отец С.И. Борисенко, Иван Тимофеевич (1919–1980), из крестьян, был кадровым военным, после демобилизации преподавал в техникуме. Мать, Мария Федоровна (дев. Клепикова 1924–1987), из крестьян, работала воспитателем в детском саду.

С.И. Борисенко был женат на Татьяне Петровне Жирниковой (1957–2014), она окончила ТИСИ, работала плановиком на заводе крупнопанельного домостроения. Их дети Мария (родилась в 1982), окончила ТУСУР, менеджер по продажам электронных компонентов, Анна (родилась 1986), окончила ТПУ, технолог по производству керамики.

Студенческие годы

После окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И.З. Шуклина в Горно-Алтайске (1968) С.И. Борисенко поступил на физический факультет ТГУ. Среди его университетских преподавателей – М.А. Большанина, В.А. Перкальскис, Е.М. Чеглоков, Л.А. Брыснева, В.Ф. Конусов, Г.Ф. Караваев, А.Ф. Терпугова, М.Р. Куваев и другие. Окончил университет (1973) по специальности «физика» с квалификацией «физик», защитив дипломную работу по теме «Исследование законов дисперсии зоны проводимости полупроводников A2 B4 C52» (научный руководитель старший научный сотрудник Г.Ф. Караваев).

Работа

С 1973 г. – младший научный сотрудник, в 1986–2004 гг. – научный сотрудник лаборатории теоретической физики СФТИ при ТГУ.

Одновременно с 1992 г. – старший преподаватель, с 2000 г. – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ.

С 2004 г. – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ.

По совместительству с 2005 г. – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ. В 2001–2004 гг. – докторант кафедры полупроводниковой электроники.

Ученое звание доцента по кафедре полупроводниковой электроники присвоено в 2000 г. В ТГУ читает курсы лекций: «Оптические свойства полупроводников»; «Основы наноэлектроники»; «Низкоразмерные структуры в электронике». Вел лабораторные занятия по дисциплинам: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника».

Направления научной деятельности

Сфера научных интересов С.И. Борисенко – электрические и оптические свойства наноразмерных полупроводниковых структур. С.И. Борисенко совместно и под руководством Г.Ф. Караваева построена четырехзонная непараболическая анизотропная модель энергетического спектра электронов и дырок в прямозонных полупроводниках А2В4С52 с решеткой халькопирита. Определены параметры модели и рассчитан тензор обратной эффективной массы носителей заряда для целого ряда рассматриваемых кристаллов. Развита теория поглощения поляризованного света в полупроводниках А2В4С52 в областях соответствующих краю собственного поглощения и селективного поглощения на дырках. Проведен численный анализ и дана интерпретация экспериментальных данных по межзонному поглощению и селективному поглощению излучения на дырках в некоторых рассматриваемых полупроводниках. Показано, что спектр селективного поглощения на дырках должен существенно зависеть от поляризации света. В рамках трехзонной кР-теории возмущений разработана методика численного расчета энергетического спектра электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs в обл. полей, соответствующих штарковской локализации минизон. В приближении однородного электрического поля проведен анализ штарковского сдвига спектра межподзонного поглощения в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Установлено, что величина сдвига и его знак существенно зависят от числа взаимодействующих мини-зон, учитываемых в расчете. Также развита теория рассеяния носителей заряда на фононах и ионах примеси в прямозонных полупроводниках А2В4С52 и сверхрешетках с квазидвумерным электронным газом типа n-GaAs/AlxGa1-xAs, однородно легированных или с легированными квантовыми ямами. Получены формулы для расчета вероятности рассеяния. Рассчитан тензор деформационного акустического потенциала для дырок ряда соединений А2В4С52. Наряду с этим разработан комплекс методик численного расчета ряда кинетических характеристик в полупроводниках и сверхрешетках, учитывающих сложный характер энергетического спектра электронов и фононов, электрон-фононного взаимодействия. С помощью этих методик проведены анализ и интерпретация экспериментальных данных по температурной зависимости низкополевой подвижности носителей заряда в CdGeAs2 и в сверхрешетках n-GaAs/AlxGa1-xAs с квазидвумерным электронным газом. Исследована зависимость компонент тензора эффективного времени релаксации электронов от конструктивных параметров сверхрешеток GaAs/AlxGa1-xAs. Получены аналитические формулы для компонент тензора времени релаксации и подвижности квазидвумерного электронного газа сверхрешеток за счет рассеяния на полярных фононах в области низких температур. Осуществлен расчет и интерпретация экспериментальных данных по измерению резонансного тока электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами в областях полей, соответствующих штарковской локализации минизон.

В 1986 г. в специализированном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников А2В4С52» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (научный руководитель кандидат физико-математических наук Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктор физико-математических наук профессор А.С. Поплавной, кандидат физико-математических наук А.А. Вааль; утвержден ВАК в 1987).

В 2004 г. в диссертационном совете при ТГУ С.И. Борисенко защитил диссертацию «Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников; научный консультант профессор Г.Ф. Караваев; официальные оппоненты доктора физико-математических наук профессора А.С. Поплавной, Б.Ф. Самсонов, Д.И. Вайсбурдт; утвержден ВАК в 2005).

В настоящее время С.И. Борисенко занимается изучением оптических и кинетических свойств сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор 46 работ, 5 учебных пособий (в том числе «Оптические свойства низкоразмерных полупроводниковых структур» (Томск, 2007), «Физика полупроводниковых наноструктур» (Томск, 2010).

Награды

Ведомственные

• Почетная грамота Минобрнауки РФ (2011).

Премии

Государственные

• Премия Ленинского комсомола в составе хоровой капеллы ТГУ (1976).

Томского государственного университета

• Премия ТГУ за учебные пособия «Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток» и «Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования» (2000).

Труды

Список трудов в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Совместно с Г.Ф. Караваевым. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 // Известия вузов. Физика. 1978. № 6;
• Совместно с Г.Ф. Караваевым, В.Г. Тютеревым. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 3;
• Совместно с Г.Ф. Караваевым, С.И. Скачковым, В.Г. Тютеревым. Рассеяние электронов на пьезооптическом потенциале оптических фононов в CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 12;
• Совместно с Г.Ф. Караваевым, С.И. Скачковым, В.Г. Тютеревым. Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20, № 7;
• Совместно с V.N. Brudnyi, A.I. Potapov. Electrical and optical properties and Fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. Vol. 118;
• Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках АIIIВV // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 3;
• Совместно с В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютеревым. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 6;
• Совместно с V.Yu. Rud, Yu.V. Rud, V.G. Tyuterev. Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals // Semiconductor Science and Technology. 2002. Vol. 17, № 10;
• Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9;
• Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума // Известия вузов. Физика. 2003. № 12;
• Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, № 7;
• Физика полупроводниковых наноструктур // Учебно-методический комплекс. Томск, 2011. Режим доступа: http://edu.tsu.ru/eor/resourse/572/tpl/index.html (дата обращения: 16.02.2015);
• Совместно с О.Г. Ревинской, Н.С. Кравченко, А.В.Черновым. Показатель преломления света и методы его экспериментального определения. Учебно-методическое пособие. Томск, 2014.

Источники и литература

Список источников и литературы в разделе "Персоналии ученых ТГУ" на сайте НБ

• Профессора Томского университета: биографический словарь (2003–2012) / авт.-сост. С.Ф. Фоминых, С.А. Некрылов, М.В. Грибовский и др. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. Т. 6: 2003–2012;
• Борисенко Сергей Иванович // Энциклопедия. Учёные России. Ученые стран СНГ и ближнего зарубежья. Режим доступа: http://www.famous-scientists.ru/9988 (дата обращения: 16.02.2015);
• Борисенко Сергей Иванович // Томский государственный университет. Радиофизический факультет. Режим доступа: http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/bsi.htm (дата обращения: 16.02.2015).